modulo IGBT
Il modulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) rappresenta un avanzamento rivoluzionario nell'elettronica di potenza, combinando le migliori caratteristiche delle tecnologie MOSFET e dei transistor bipolari. Questo sofisticato dispositivo semiconduttore funge da componente essenziale nelle moderne applicazioni di controllo della potenza, offrendo straordinarie capacità di commutazione e una gestione efficiente dell'energia. Il modulo è composto da più chip IGBT disposti in varie configurazioni, completati da diodi in anti-parallelo e un packaging specializzato progettato per un'ottimale gestione termica. Funzionando a frequenze comprese tra 1 kHz e 100 kHz, i moduli IGBT possono gestire tensioni da 600V fino a 6500V e correnti di diverse migliaia di ampere. Questi moduli si distinguono nelle applicazioni che richiedono elevate capacità di gestione di tensione e corrente, rendendoli indispensabili nei gruppi motore industriali, nei sistemi di energia rinnovabile e nei powertrain dei veicoli elettrici. L'integrazione di sofisticata circuiteria di controllo del gate garantisce un preciso controllo della commutazione, mentre le protezioni integrate tutelano da condizioni di sovracorrente, cortocircuito e sovratemperatura. I moduli IGBT moderni incorporano inoltre soluzioni avanzate per la gestione termica, inclusi substrati in rame direttamente legati (DCB) e sistemi di raffreddamento evoluti, permettendo un funzionamento affidabile anche in condizioni impegnative.
EN
