modulo igbt duale
Il modulo dual IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) rappresenta un significativo progresso nell'elettronica di potenza, combinando due dispositivi IGBT in un'unica confezione per ottenere prestazioni ed efficienza migliorate. Questo sofisticato componente costituisce una pietra angolare nei moderni sistemi di conversione e controllo della potenza. Il modulo integra due IGBT con diodi di ricircolo antiparalleli, permettendo un'efficiente commutazione e il controllo della corrente in entrambe le direzioni. Funzionando a frequenze elevate pur mantenendo basse perdite di commutazione, questi moduli gestiscono tipicamente tensioni nominali comprese tra 600V e 6500V e correnti nominali comprese tra 50A e 3600A. La configurazione duale consente diverse topologie circuitali, inclusi schemi a mezzo ponte, essenziali per applicazioni di inverter. Soluzioni avanzate di gestione termica, tra cui il bonding diretto del rame e tecniche di confezionamento innovative, garantiscono un'ottimale dissipazione del calore e affidabilità. La progettazione del modulo include circuiti di controllo avanzati per la gate, che offrono un preciso controllo della commutazione e la protezione da condizioni di sovracorrente e cortocircuito. Questa tecnologia trova ampio impiego negli azionamenti industriali per motori, nei sistemi di energia rinnovabile, negli alimentatori di riserva (UPS) e nei gruppi propulsori dei veicoli elettrici, dove efficienza e affidabilità sono di fondamentale importanza.