MTx600 MFx600 MT600,Modul Thyristor/Diode,Pendinginan Air

V RRM ,V DRM

Jenis & Rangka kerja

600V

MTx600-06-406F3

MFx600-06-406F3

800V

MTx600-08-406F3

MFx600-08-406F3

1000V

MTx600-10-406F3

MFx600-10-406F3

1200V

MTx600-12-406F3

MFx600-12-406F3

1400V

MTx600-14-406F3

MFx600-14-406F3

1600V

MTx600-16-406F3

MFx600-16-406F3

1800V

MTx600-18-406F3

MFx600-18-406F3

1800V

MT600-18-406F3G

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj( ℃ )

Nilai

Unit

Min

TIPE

Max.

IT(AV)

Arus rata-rata dalam keadaan hidup

180° gelombang setengah sinus 50Hz

Satu sisi didinginkan, THS=55 。C

125

600

A

IT(RMS)

Arus on-state RMS

942

A

Idrm Irrm

Arus puncak repetitif

pada VDRM pada VRRM

125

45

mA

ITSM

Arus dalam keadaan hidup lonjakan

VR=60%VRRM, t=10ms setengah sinus

125

16.0

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

125

1280

10³A ²s

VTO

Tegangan Ambang

125

0.85

V

rT

Resistansi kemiringan dalam keadaan hidup

0.30

mΩ

VTM

Tegangan puncak dalam keadaan hidup

ITM=1800A

25

1.90

V

dv/dt

Laju kritis kenaikan tegangan off-state

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Tingkat kritis peningkatan arus pada keadaan aktif

Sumber gerbang 1.5A

tr ≤0.5μs Berulang

125

200

A/μs

IGT

Arus pemicu gerbang

VA=12V, IA=1A

25

30

200

mA

Vgt

Tegangan pemicu gerbang

0.8

3.0

V

IH

Arus penahan

10

200

mA

IL

Arus pengunci

1000

mA

VGD

Tegangan gerbang non-pemicu

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Dingin sisi tunggal per chip

0.085

℃ /W

Rth(c-h)

Resistansi termal casing ke heatsink

Dingin sisi tunggal per chip

0.040

℃ /W

VISO

Tegangan isolasi

50Hz,R.M.S,t=1min,Iiso:1mA(maks)

3000

V

Fm

Torsi koneksi terminal ((M12)

12

14

Jumlah

Torsi pemasangan(M6)

4.5

6

Jumlah

TVj

Suhu persimpangan

-40

125

℃

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

125

℃

Wt

Berat

1580

g

Rangka kerja

406F3