DG120X07T2, IGBT diskrit, STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

650

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=135o C

240

120

A

ICm

Berdenyut Kolektor Saat ini t p terbatas oleh T jmax

360

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C

893

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

650

V

IF

Arus Maju Kontinu Diode @ T C=25o C @ T C=80o C

177

120

A

IFm

Dioda Maksimum Maju Saat ini t p terbatas oleh T jmax

360

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +175

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-55 hingga +150

o C

T D

Suhu Penyolderan,1.6mm d ari casing untuk 10-an

260

o C

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC=120A,V GE = 15V, T j =25o C

1.40

1.85

V

IC=120A,V GE = 15V, T j =150o C

1.70

IC=120A,V GE = 15V, T j =175o C

1.75

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=1.92mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.1

5.8

6.5

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

250

uA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

200

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

/

ω

Cies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

14.1

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

0.42

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

0.86

uC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 300V,I C=120A, R G=7.5Ω,

V GE = ± 15V, LD=40nH ,T j =25o C

68

n

t r

Waktu naik

201

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

166

n

t f

Waktu musim gugur

54

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

7.19

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

2.56

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 300V,I C=120A, R G=7.5Ω,

V GE = ± 15V, LD=40nH ,T j =150o C

70

n

t r

Waktu naik

207

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

186

n

t f

Waktu musim gugur

106

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

7.70

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

2.89

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 300V,I C=120A, R G=7.5Ω,

V GE = ± 15V, LD=40nH ,T j =175o C

71

n

t r

Waktu naik

211

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

195

n

t f

Waktu musim gugur

139

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

7.80

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

2.98

mJ

ISC

Data SC

t P≤6μs, V GE = 15V,

T j =150 o C,V CC = 300V, V CEM ≤ 650V

600

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =120A,V GE =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

IF =120A,V GE =0V,T j =150o C

1.60

IF =120A,V GE =0V,T j =175o C

1.60

t r

Dioda Mundur Waktu Pemulihan

V R = 300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE = 15V LD=40nH ,T j =25o C

184

n

T r

Muatan yang Dipulihkan

1.65

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

17.2

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

0.23

mJ

t r

Dioda Mundur Waktu Pemulihan

V R = 300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE = 15V LD=40nH ,T j =150o C

221

n

T r

Muatan yang Dipulihkan

3.24

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

23.1

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

0.53

mJ

t r

Dioda Mundur Waktu Pemulihan

V R = 300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE = 15V LD=40nH ,T j =175o C

246

n

T r

Muatan yang Dipulihkan

3.98

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

26.8

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

0.64

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.168 0.369

K/W

R thJA

Junction-to-Ambient

40

K/W