Pengingat baik :F atau lebih banyak IGBT diskrit, silakan kirim email.
Fitur
Tipikal Aplikasi
Absolute Maksimum Peringkat T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat
IGBT
Simbol  | 
Deskripsi  | 
Nilai  | 
Unit  | 
V CES  | 
Tegangan kolektor-emitter  | 
650  | 
V  | 
V GES  | 
Tegangan gerbang-emitter  | 
±20  | 
V  | 
Saya C  | 
Arus Pengumpul @ T C =25 o C @ T C =135 o C  | 
 240 120  | 
A  | 
Saya CM  | 
Berdenyut Kolektor Arus t p terbatas oleh T jmax  | 
360  | 
A  | 
P P  | 
Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 o C  | 
893  | 
W  | 
Dioda
Simbol  | 
Deskripsi  | 
Nilai  | 
Unit  | 
V RRM  | 
Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia  | 
650  | 
V  | 
Saya F  | 
Arus Maju Kontinu Diode @ T C =25 o C @ T C =80 o C  | 
 177 120  | 
A  | 
Saya Fm  | 
Dioda Maksimum Maju Arus t p terbatas oleh T jmax  | 
360  | 
A  | 
Diskrit
Simbol  | 
Deskripsi  | 
Nilai  | 
Unit  | 
T jopp  | 
Suhu Junction Operasi  | 
-40 hingga +175  | 
o C  | 
T STG  | 
Rentang suhu penyimpanan  | 
-55 hingga +150  | 
o C  | 
T S  | 
Suhu Penyolderan,1.6mm d ari casing untuk 10-an  | 
260  | 
o C  | 
IGBT Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol  | 
Parameter  | 
Kondisi pengujian  | 
Min.  | 
- Tempel.  | 
Maks.  | 
Unit  | 
| 
 
 
 V CE(sat)  | 
 
 
 Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh  | 
Saya C =120A,V GE = 15V, T j =25 o C  | 
  | 
1.40  | 
1.85  | 
 
 
 V  | 
Saya C =120A,V GE = 15V, T j = 150 o C  | 
  | 
1.70  | 
  | 
|||
Saya C =120A,V GE = 15V, T j = 175 o C  | 
  | 
1.75  | 
  | 
|||
V GE (th )  | 
Ambang Gerbang-Emitor Tegangan  | 
Saya C =1.92 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C  | 
5.1  | 
5.8  | 
6.5  | 
V  | 
Saya CES  | 
Kolektor Potong -MATI Arus  | 
V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C  | 
  | 
  | 
250  | 
uA  | 
Saya GES  | 
Kebocoran Gerbang-Emitor Arus  | 
V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C  | 
  | 
  | 
200  | 
nA  | 
R Gint  | 
Resistensi Gerbang Dalam keturunan  | 
  | 
  | 
/  | 
  | 
ω  | 
C ies  | 
Kapasitas input  | 
V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V  | 
  | 
14.1  | 
  | 
nF  | 
C res  | 
Transfer Balik Kapasitansi  | 
  | 
0.42  | 
  | 
nF  | 
|
Q G  | 
Biaya gerbang  | 
V GE =-15 ...+15V  | 
  | 
0.86  | 
  | 
uC  | 
t p (pADA )  | 
Waktu penundaan menyala  | 
 
 
 V CC = 300V,I C =120A, R G =7.5Ω, V GE = ± 15V, L S = 40 nH ,T j =25 o C  | 
  | 
68  | 
  | 
n  | 
t r  | 
Waktu naik  | 
  | 
201  | 
  | 
n  | 
|
t d ((off)  | 
Matikan Waktu tunda  | 
  | 
166  | 
  | 
n  | 
|
t f  | 
Waktu musim gugur  | 
  | 
54  | 
  | 
n  | 
|
E pADA  | 
Nyalakan Beralih Kerugian  | 
  | 
7.19  | 
  | 
mJ  | 
|
E mATI  | 
Switching Matikan Kerugian  | 
  | 
2.56  | 
  | 
mJ  | 
|
t p (pADA )  | 
Waktu penundaan menyala  | 
 
 
 V CC = 300V,I C =120A, R G =7.5Ω, V GE = ± 15V, L S = 40 nH ,T j = 150 o C  | 
  | 
70  | 
  | 
n  | 
t r  | 
Waktu naik  | 
  | 
207  | 
  | 
n  | 
|
t d ((off)  | 
Matikan Waktu tunda  | 
  | 
186  | 
  | 
n  | 
|
t f  | 
Waktu musim gugur  | 
  | 
106  | 
  | 
n  | 
|
E pADA  | 
Nyalakan Beralih Kerugian  | 
  | 
7.70  | 
  | 
mJ  | 
|
E mATI  | 
Switching Matikan Kerugian  | 
  | 
2.89  | 
  | 
mJ  | 
|
t p (pADA )  | 
Waktu penundaan menyala  | 
 
 
 V CC = 300V,I C =120A, R G =7.5Ω, V GE = ± 15V, L S = 40 nH ,T j = 175 o C  | 
  | 
71  | 
  | 
n  | 
t r  | 
Waktu naik  | 
  | 
211  | 
  | 
n  | 
|
t d ((off)  | 
Matikan Waktu tunda  | 
  | 
195  | 
  | 
n  | 
|
t f  | 
Waktu musim gugur  | 
  | 
139  | 
  | 
n  | 
|
E pADA  | 
Nyalakan Beralih Kerugian  | 
  | 
7.80  | 
  | 
mJ  | 
|
E mATI  | 
Switching Matikan Kerugian  | 
  | 
2.98  | 
  | 
mJ  | 
|
| 
 
 Saya SC  | 
 
 Data SC  | 
 t P ≤6μs, V GE = 15V, T j = 150 o C,V CC = 300V, V CEM ≤ 650V  | 
  | 
 
 600  | 
  | 
 
 A  | 
Dioda Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol  | 
Parameter  | 
Kondisi pengujian  | 
Min.  | 
- Tempel.  | 
Maks.  | 
Unit  | 
| 
 
 V F  | 
Dioda Maju Tegangan  | 
Saya F =120A,V GE =0V,T j =25 o C  | 
  | 
1.65  | 
2.10  | 
 
 V  | 
Saya F =120A,V GE =0V,T j =1 50o C  | 
  | 
1.60  | 
  | 
|||
Saya F =120A,V GE =0V,T j =1 75o C  | 
  | 
1.60  | 
  | 
|||
t r  | 
Dioda Mundur Waktu Pemulihan  | 
 
 
 V R = 300V,I F =120A, -di/dt=450A/μs,V GE = 15V L S = 40 nH ,T j =25 o C  | 
  | 
184  | 
  | 
n  | 
Q r  | 
Muatan yang Dipulihkan  | 
  | 
1.65  | 
  | 
μC  | 
|
Saya RM  | 
 Puncak Balik Arus pemulihan  | 
  | 
17.2  | 
  | 
A  | 
|
E rEC  | 
Pemulihan Terbalik Energi  | 
  | 
0.23  | 
  | 
mJ  | 
|
t r  | 
Dioda Mundur Waktu Pemulihan  | 
 
 
 V R = 300V,I F =120A, -di/dt=450A/μs,V GE = 15V L S = 40 nH ,T j = 150 o C  | 
  | 
221  | 
  | 
n  | 
Q r  | 
Muatan yang Dipulihkan  | 
  | 
3.24  | 
  | 
μC  | 
|
Saya RM  | 
 Puncak Balik Arus pemulihan  | 
  | 
23.1  | 
  | 
A  | 
|
E rEC  | 
Pemulihan Terbalik Energi  | 
  | 
0.53  | 
  | 
mJ  | 
|
t r  | 
Dioda Mundur Waktu Pemulihan  | 
 
 
 V R = 300V,I F =120A, -di/dt=450A/μs,V GE = 15V L S = 40 nH ,T j = 175 o C  | 
  | 
246  | 
  | 
n  | 
Q r  | 
Muatan yang Dipulihkan  | 
  | 
3.98  | 
  | 
μC  | 
|
Saya RM  | 
 Puncak Balik Arus pemulihan  | 
  | 
26.8  | 
  | 
A  | 
|
E rEC  | 
Pemulihan Terbalik Energi  | 
  | 
0.64  | 
  | 
mJ  | 
Diskrit Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol  | 
Parameter  | 
Min.  | 
- Tempel.  | 
Maks.  | 
Unit  | 
R thJC  | 
Junction-to-Case (per IGB T) Hubungan ke kasus (per D) yodium)  | 
  | 
  | 
0.168 0.369  | 
K/W  | 
R thJA  | 
Junction-to-Ambient  | 
  | 
40  | 
  | 
K/W  | 
Tim penjualan profesional kami siap memberikan konsultasi untuk Anda. 
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.