Pengingat baik :F atau lebih banyak IGBT diskrit, silakan kirim email.
Fitur
- Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
- Kerugian switching rendah
- Suhu junction maksimum 175oC
- VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
- Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
- Kemasan bebas timbal
Tipikal Aplikasi
- Inverter untuk motor drive
- AC dan DC servo drive amplifier
- Catu Daya Tak Terputus
Absolute Maksimum Peringkat T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
IGBT
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
V CES |
Tegangan kolektor-emitter |
650 |
V |
V GES |
Tegangan gerbang-emitter |
±20 |
V |
Saya C |
Arus Pengumpul @ T C =25o C @ T C =135o C |
240
120
|
A |
Saya CM |
Berdenyut Kolektor Arus t p terbatas oleh T jmax |
360 |
A |
P P |
Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C |
893 |
W |
Dioda
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
V RRM |
Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia |
650 |
V |
Saya F |
Arus Maju Kontinu Diode @ T C =25o C @ T C =80o C |
177
120
|
A |
Saya Fm |
Dioda Maksimum Maju Arus t p terbatas oleh T jmax |
360 |
A |
Diskrit
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
T jopp |
Suhu Junction Operasi |
-40 hingga +175 |
o C |
T STG |
Rentang suhu penyimpanan |
-55 hingga +150 |
o C |
T S |
Suhu Penyolderan,1.6mm d ari casing untuk 10-an |
260 |
o C |
IGBT Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
|
V CE(sat)
|
Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh
|
Saya C =120A,V GE = 15V, T j =25o C |
|
1.40 |
1.85 |
V
|
Saya C =120A,V GE = 15V, T j =150o C |
|
1.70 |
|
Saya C =120A,V GE = 15V, T j =175o C |
|
1.75 |
|
V GE (th ) |
Ambang Gerbang-Emitor Tegangan |
Saya C =1.92mA ,V CE =V GE , T j =25o C |
5.1 |
5.8 |
6.5 |
V |
Saya CES |
Kolektor Potong -MATI Arus |
V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C |
|
|
250 |
uA |
Saya GES |
Kebocoran Gerbang-Emitor Arus |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
200 |
nA |
R Gint |
Resistensi Gerbang Dalam keturunan |
|
|
/ |
|
ω |
C ies |
Kapasitas input |
V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V |
|
14.1 |
|
nF |
C res |
Transfer Balik Kapasitansi |
|
0.42 |
|
nF |
Q G |
Biaya gerbang |
V GE =-15 ...+15V |
|
0.86 |
|
uC |
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC = 300V,I C =120A, R G =7.5Ω,
V GE = ± 15V, L S =40nH ,T j =25o C
|
|
68 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
201 |
|
n |
t d ((off) |
Matikan Waktu tunda |
|
166 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
54 |
|
n |
E pADA |
Nyalakan Beralih Kerugian |
|
7.19 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
2.56 |
|
mJ |
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC = 300V,I C =120A, R G =7.5Ω,
V GE = ± 15V, L S =40nH ,T j =150o C
|
|
70 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
207 |
|
n |
t d ((off) |
Matikan Waktu tunda |
|
186 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
106 |
|
n |
E pADA |
Nyalakan Beralih Kerugian |
|
7.70 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
2.89 |
|
mJ |
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC = 300V,I C =120A, R G =7.5Ω,
V GE = ± 15V, L S =40nH ,T j =175o C
|
|
71 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
211 |
|
n |
t d ((off) |
Matikan Waktu tunda |
|
195 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
139 |
|
n |
E pADA |
Nyalakan Beralih Kerugian |
|
7.80 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
2.98 |
|
mJ |
|
Saya SC
|
Data SC
|
t P ≤6μs, V GE = 15V,
T j =150 o C,V CC = 300V, V CEM ≤ 650V
|
|
600
|
|
A
|
Dioda Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
|
V F
|
Dioda Maju Tegangan |
Saya F =120A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.65 |
2.10 |
V
|
Saya F =120A,V GE =0V,T j =150o C |
|
1.60 |
|
Saya F =120A,V GE =0V,T j =175o C |
|
1.60 |
|
t r |
Dioda Mundur Waktu Pemulihan |
V R = 300V,I F =120A,
-di/dt=450A/μs,V GE = 15V L S =40nH ,T j =25o C
|
|
184 |
|
n |
Q r |
Muatan yang Dipulihkan |
|
1.65 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Balik
Arus pemulihan
|
|
17.2 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
0.23 |
|
mJ |
t r |
Dioda Mundur Waktu Pemulihan |
V R = 300V,I F =120A,
-di/dt=450A/μs,V GE = 15V L S =40nH ,T j =150o C
|
|
221 |
|
n |
Q r |
Muatan yang Dipulihkan |
|
3.24 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Balik
Arus pemulihan
|
|
23.1 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
0.53 |
|
mJ |
t r |
Dioda Mundur Waktu Pemulihan |
V R = 300V,I F =120A,
-di/dt=450A/μs,V GE = 15V L S =40nH ,T j =175o C
|
|
246 |
|
n |
Q r |
Muatan yang Dipulihkan |
|
3.98 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Balik
Arus pemulihan
|
|
26.8 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
0.64 |
|
mJ |
Diskrit Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
R thJC |
Junction-to-Case (per IGB T) Hubungan ke kasus (per D) yodium) |
|
|
0.168 0.369 |
K/W |
R thJA |
Junction-to-Ambient |
|
40 |
|
K/W |