GD300HFX170C2S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C

@ T C= 100o C

493

300

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

600

A

PD

Penghambatan Daya Maksimal T =175o C

1829

S

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

IC= 300A,V GE = 15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC= 300A,V GE = 15V, T j =125o C

2.25

IC= 300A,V GE = 15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC= 12,0 mA,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI

Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

2.5

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

36.1

nF

Cres

Transfer Balik

Kapasitansi

0.88

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

2.83

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C= 300A, R G=2.4Ω,

V GE = ± 15V, T j =25o C

204

n

t r

Waktu naik

48

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

595

n

t f

Waktu musim gugur

100

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

69.3

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

63.3

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C= 300A, R G=2.4Ω

,V GE = ± 15V, T j = 125o C

224

n

t r

Waktu naik

55

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

611

n

t f

Waktu musim gugur

159

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

96.8

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

99.0

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C= 300A, R G=2.4Ω

,V GE = ± 15V, T j = 150o C

240

n

t r

Waktu naik

55

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

624

n

t f

Waktu musim gugur

180

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

107

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

105

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V

1200

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

IF = 300A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF = 300A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

IF = 300A,V GE =0V,T j = 150o C

1.95

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

55

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

297

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

32.2

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

116

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

357

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

68.2

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150o C

396

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

120

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

81.6

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Modul Lead Resista nce, terminal ke chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.082

0.129

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.033

0.051

0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g