MDC110,Hegesztő dióda modul,Légk hűtés

VRRM

Típus és körvonal

600V

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MDC 110-06-229H3

MDC 110-08-229H3

MDC 110-10-229H3

MDC 110-12-229H3

MDC 110-14-229H3

MDC 110-16-229H3

MDC 110-18-229H3

Szimbólum

A tulajdonságok

A vizsgálati feltételek

Tj( ℃ )

Érték

Egység

Min.

Típus

Max.

IF(AV)

Átlagos előre irányuló áram

180° fél szinuszos hullám 50Hz

Egyoldali hűtés, TC=100 ℃

150

110

A

IF(RMS)

RMS előre irányuló áram

173

A

IRRM

Ismétlődő csúcsáram

vRRM-nél

150

8

mA

IFSM

Túláram Előre Áram

VR=60%VRRM,,t= 10ms fél szinusz,

150

2.0

kA

I2t

I2t az olvadási koordinációhoz

20.0

10³A ²s

VFO

Küszöbfeszültség

150

0.80

V.

rF

Előre irányuló lejtési ellenállás

1.74

mΩ

VFM

Csúcs előre irányuló feszültség

IFM=330A

25

1.55

V.

Rth(j-c)

Hőellenállás csatlakozótól a házig

1800 szinusz. Egyoldali hűtés chipenként

0.35

℃ /W

Rth(c-h)

Hőellenállás a háztól a hűtőbordáig

1800 szinusz. Egyoldali hűtés chipenként

0.20

℃ /W

VISO

Szigetelési feszültség

50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX)

3000

V.

FM

Terminál csatlakozási nyomaték(M5)

2.5

4

N·m

Rögzítési nyomaték (M6)

4.5

6

N·m

Tvj

Kötési hőmérséklet

-40

150

℃

TSTG

Tárolási hőmérséklet

-40

125

℃

Wt

Súly

100

g

Az ábrázolás

224H3