IGBT Modul 1700V

GD650HFX170P1S,IGBT Modul,STARPOWER

1700V 650A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD650HFX170P1S

Bevezetés
Az ábrázolás

Bevezetés

Rövid bevezetés tőz

IGBT modul , amelyet a STARPOWER gyártott. 1700V 650A

Jellemzők

Alacsony V CE (ülés ) Árok IGBT tECHNOLOGIA
10μs rövidzárlat-kapacitás a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a)
V. CE (ülés ) a pozitív hőmérséklet szorzó
Legfeljebb kötési hőmérséklet 175o C
Növelt dióda regeneratív működés
DBC technológiát használó, szigetelt réz alaplemez
Magas teljesítmény és hőciklus képesség szak

Tipikus Alkalmazások

Nagy teljesítményű átalakító
Szél- és napenergia
Hajtómű

Abszolút Legfeljebb Szabályozás T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

IGBT

Szimbólum	Leírás	Érték	Egység
V. A CES	A kollektor-kibocsátó feszültség	1700	V.
V. GES	Kapu-kibocsátó feszültség	±20	V.
Én... C	Gyűjtőáram @ T C =25 o C @ T C = 100o C	1073 650	A
Én... A CM	Pulzáló gyűjtőáram t p =1 ms	1300	A
P M	Maximális teljesítmény disszipáció @ T j =175 o C	4.2	kW

Diódák

Szimbólum	Leírás	Érték	Egység
V. RRM	Ismétlődő csúcs visszafelé feszültség	1700	V.
Én... F	Diódák folyamatos előrehajtás bérleti díj	650	A
Én... FM	Dióda maximális előre irányuló áram t p =1 ms	1300	A

Modul

Szimbólum	Leírás	Érték	Egység
T jmax	A csatlakozás maximális hőmérséklete	175	o C
T jopp	A csatlakozó üzemfoka hőmérséklete	-40 és +150 között	o C
T STG	Tárolási hőmérséklet Hatótávolság	-40 és +150 között	o C
V. ISO-k	Izolációs feszültség RMS,f=50Hz,t= 1perc	4000	V.

IGBT A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység
V. CE (szombat)	A gyűjtő a kibocsátóhoz Telítettség	Én... C =650A,V Általános energia =15V, T j =25 o C		1.90	2.35	V.
		Én... C =650A,V Általános energia =15V, T j = 125 o C		2.35
		Én... C =650A,V Általános energia =15V, T j =150 o C		2.45
V. Általános energia (a )	A kapcsoló-kibocsátó küszöbértéke Feszültség	Én... C =24.0 mA ,V. CE = V. Általános energia , T j =25 o C	5.6	6.2	6.8	V.
Én... A CES	Gyűjtő Vágás -Ki van kapcsolva. A jelenlegi	V. CE = V. A CES ,V. Általános energia =0V, T j =25 o C			5.0	mA
Én... GES	A kapuk kibocsátójának szivárgása A jelenlegi	V. Általános energia = V. GES ,V. CE =0V, T j =25 o C			400	nA
R Gint	Belső kapu ellenállás a			2.3		ó
C a)	Bevezető kapacitás	V. CE = 25V, f=1Mhz, V. Általános energia =0V		72.3		nF
C res	Visszafordítás A kapacitás	V. CE = 25V, f=1Mhz, V. Általános energia =0V		1.75		nF
Q G	Kapu díj	V. Általános energia =- 15…+15V		5.66		μC
t m (a )	Beállítási késleltetési idő	V. CC =900V,I C =650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V. Általános energia =±15V,T j =25 o C		468		cs
t r	Felemelkedési idő			86		cs
t m (ki van kapcsolva. )	Kiállás Késésítési idő			850		cs
t f	Őszidő			363		cs
E a	Beállítva Átváltás Veszély			226		mJ
E ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			161		mJ
t m (a )	Beállítási késleltetési idő	V. CC =900V,I C =650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V. Általános energia =±15V,T j = 125o C		480		cs
t r	Felemelkedési idő			110		cs
t m (ki van kapcsolva. )	Kiállás Késésítési idő			1031		cs
t f	Őszidő			600		cs
E a	Beállítva Átváltás Veszély			338		mJ
E ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			226		mJ
t m (a )	Beállítási késleltetési idő	V. CC =900V,I C =650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V. Általános energia =±15V,T j = 150o C		480		cs
t r	Felemelkedési idő			120		cs
t m (ki van kapcsolva. )	Kiállás Késésítési idő			1040		cs
t f	Őszidő			684		cs
E a	Beállítva Átváltás Veszély			368		mJ
E ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			242		mJ
Én... A sz.	SC-adatok	t P ≤ 10 μs,V Általános energia =15V, T j =150 o C,V CC = 1000V, V. A CEM ≤1700V		2600		A

Diódák A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység
V. F	Előrehajtó diódák Feszültség	Én... F =650A,V Általános energia =0V,T j =25 o C		1.85	2.30	V.
		Én... F =650A,V Általános energia =0V,T j = 125o C		1.98
		Én... F =650A,V Általános energia =0V,T j = 150o C		2.02
Q r	Helyreállított töltés	V. R =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V Általános energia =- 15V T j =25 o C		176		μC
Én... RM	A csúcs fordított Visszanyerési áram			765		A
E a felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			87.4		mJ
Q r	Helyreállított töltés	V. R =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V Általános energia =- 15V T j = 125o C		292		μC
Én... RM	A csúcs fordított Visszanyerési áram			798		A
E a felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			159		mJ
Q r	Helyreállított töltés	V. R =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V Általános energia =- 15V T j = 150o C		341		μC
Én... RM	A csúcs fordított Visszanyerési áram			805		A
E a felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			192		mJ

NTC A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység
R 25	Névleges ellenállás			5.0		kΩ
δR/R	Eltérés a R 100	T C = 100 o C,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Teljesítmény Disszipáció				20.0	mW
B 25/50	B-érték	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-érték	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-érték	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység
L CE	Sétáló induktancia		18		nH
R CC+EE	Modul vezetési ellenállás, Terminál a chipphez		0.30		mΩ
R thJC	A "Case-to-Case" (IGB-onként) T) A D-számra vonatkozó összeköttetés jód)			35.8 71.3	K/kW
R thCH	Case-to-Heatsink (per IGBT) A hőszink (p) er dióda) Case-to-Heatsink (per Modul)		13.5 26.9 4.5		K/kW
M	Terminál csatlakozási nyomaték, Csavar M4 Terminál Kapcsolat Nyomaték, Csavar M8 Szerelési nyomaték, Csavar M5	1.8 8.0 3.0		2.1 10.0 6.0	N.m.
G	Súly a Modul		810		g