Modules IGCT à blocage inverse
Modules thyristors à commutation par porte intégrée à blocage inverse (RB-IGCT) sont des dispositifs semi-conducteurs haute puissance avancés conçus pour les systèmes de conversion d’énergie haute tension de nouvelle génération. Dotés d’une capacité intégrée de blocage en tension inverse, les modules RB-IGCT offrent d’excellentes performances électriques, une fiabilité élevée et un rendement supérieur dans les applications exigeantes de conversion d’énergie.
Fondés sur la technologie éprouvée des IGCT et sur un procédé de conditionnement press-pack , les modules RB-IGCT allient les avantages des thyristors, notamment des pertes de conduction ultra-faibles et une forte capacité de courant, à des performances de coupure commandée par la porte rapides et efficaces. La structure robuste en conditionnement press-pack assure d’excellentes performances thermiques, une grande résistance mécanique et un fonctionnement fiable sous des contraintes électriques et thermiques sévères.
La capacité intégrée de blocage en sens inverse permet aux modules RB-IGCT de simplifier la conception du système en réduisant le besoin de composants supplémentaires de protection contre la tension inverse, ce qui améliore la densité de puissance et la fiabilité globale du système.
Les principaux avantages
Capacité intégrée de blocage en sens inverse pour une conception de système simplifiée ;
Capacité haute tension et fort courant pour des applications de conversion d’énergie à grande échelle ;
Pertes de conduction ultra-faibles pour une efficacité énergétique accrue ;
Capacité d’extinction rapide avec des performances de commutation excellentes ;
Conception avancée de boîtier press-pack avec capacité de refroidissement bidirectionnel ;
Haute fiabilité dans des conditions de contraintes électriques, thermiques et mécaniques .
Applications
Transmission continue haute tension (HVDC) ;
Systèmes de transmission alternative flexibles (FACTS) ;
Convertisseurs moyenne et haute tension ;
Systèmes d’alimentation pour la traction ferroviaire ;
Alimentations industrielles à grande échelle ;
Énergies renouvelables et systèmes de conversion d’énergie connectés au réseau ;
Applications de stockage d’énergie et de conversion à forte puissance.
YT-RBC5580Y11
Paramètres Clés
V DRM |
8000 |
V |
V RRM |
8000 |
V |
E TGQM |
6600 |
A |
E T(AV) |
3290 |
A |
E TSM |
40 |
kA |
V À |
1.25 |
V |
barre T |
0.26 |
mΩ |
Barre le CJJ |
3.6 |
K/ kW |
Applications
● Circuit continu |
● Convertisseur hybride à commutation par disjoncteur |
Caractéristiques
● Courant de tenue élevé |
● Faible perte de conduction |
● Blocage dans les deux sens (direct et inverse) |
● Acquisition autonome d’énergie |
Blocage Données
Symbo l |
Paramètres |
Conditions |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
V DRM |
Tension de seuil répétitive |
Unité de gâchette sous tension ,T Vj =90℃,E D ≤E DRM ,t p = 10ms |
- |
- |
8000 |
V |
E DRM |
Courant répétitif de crête à l’état bloqué |
Unité de gâchette sous tension ,T Vj =90℃,V D ≤V DRM ,t p = 10ms |
- |
- |
300 |
le nombre de |
V RRM |
Tension inverse maximale répétée à l’état bloqué |
Unité de gâchette sous tension ,T Vj =90℃,E Barre ≤E RRM ,t p = 10ms |
- |
- |
8000 |
V |
E RRM |
Courant inverse maximal répété à l’état bloqué |
Unité de gâchette sous tension ,T Vj =90℃,V Barre ≤V RRM ,t p = 10ms |
- |
- |
300 |
le nombre de |
V GRM |
Tension inverse maximale répétée à la gâchette |
/ |
- |
- |
24 |
V |
E D(CC) |
Courant à l’état bloqué en courant continu |
Unité de gâchette sous tension ,T Vj =90℃,V D (CC )=6450 V |
- |
- |
40 |
le nombre de |
E R(CC) |
Courant inverse en courant continu |
Unité de gâchette sous tension ,T Vj =90℃,V Barre (CC )=6450 V |
- |
- |
40 |
le nombre de |
V Ral |
Tension d’avalanche inverse prolongée |
Unité de gâchette sous tension , T Vj =90℃ ,t p =250 μs/2 500 µs |
- |
- |
8500 |
V |
E Ral |
Courant d’avalanche inverse long |
Unité de gâchette sous tension , T Vj =90℃ ,t p =250 μs/2 500 µs |
- |
- |
30 |
A |
V Ras |
Tension d’avalanche inverse courte |
Unité de gâchette sous tension , T Vj =90℃ ,t p= 1,5 µs/50 µs |
- |
- |
8900 |
V |
E Ras |
Courant d’avalanche inverse court |
Porte unité sous tension, T Vj =90℃ ,t p= 1,5 µs/50 µs |
- |
- |
50 |
A |
d v /dt |
Taux critique d'augmentation de la tension de seuil |
Unité de gâchette sous tension ,T Vj =90℃,V Dm = 6400 V |
- |
- |
4000 |
V/ μs |
EN
