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IGCT asymétrique (A-IGCT)

IGCT asymétrique (A-IGCT)

Page d'accueil/Produits/Module IGCT/IGCT asymétrique (A-IGCT)

YT-ASC80Y6500IC#, IGCT asymétrique Plus

6500 V, 8000 A, commande de grille intégrée

Brand:
YT
Spu:
YT-ASC80Y6500IC#
Appurtenance:

Brochure produit :Télécharger

  • Introduction
  • Le schéma
Introduction

YT-ASC80Y6500IC#

Applications

  • Convertisseur multiniveau modulaire
  • Compensateur statique de puissance réactive
  • Convertisseur de haute puissance

Caractéristiques

  • Courant de résistance élevé
  • Capacité de démarrage en mode noir
  • Mode de court-circuit par défaillance

Clé Paramètres

V DRM

6500

V

ITGQM

8000

A

ITSM

48.2

kA

V À

1.24

V

r T

0.22

mΩ

V Le lien DC

4000

V

Blocage Données

S sYMBOLE

Conditions

Msur

Typ

Mle fer

Unité

V DRM

T VJ = 125 ℃,ID≤IDRM, t p = 10 ms

-

-

6500

V

IDRM

T VJ = 125 ℃,V D= V DRM, t p = 10 ms

-

-

150

le nombre de

dv/dt

T VJ = 125 ℃,V D = 0,67 V DRM

1000

V/ μs

V Le lien DC

Tension continue intermédiaire autorisée pour un taux de défaillance de 100 FIT

-

-

4000

V

V RRM

/

-

-

20

V

État passant Données

Le symbole

Conditions

MIN

Typ

Max

Unité

RMS (en anglais seulement)

TC = 85 °C, onde sinusoïdale demi-onde, refroidissement double face

-

-

4290

A

ITSM

I2t

TVJ = 125 °C, onde sinusoïdale demi-onde, 10 ms, VD = VR = 0

-

-

-

-

48.2

1162

kA

104A2s

VTM

TVJ = 125 °C, IT = 4000 A

-

2.52

-

V

VTO

TVJ = 125 °C,

-

1.24

-

rT

IT = 1000…4000 A

-

0.22

V mΩ

On le met en marche Données

Le symbole

Conditions

Msur

Typ

Mle fer

Unité

diT/dt

TVJ = 125 °C, IT = 4000 A, VD = 4000 V, f = 0…500 Hz

-

-

1000

A/ μs

tdon

tdonSF

t r

E on

TVJ = 125 ℃, IT = 4000 A, VD = 4000 V, di/dt = VD/Li, CCL = 20 μF,

Li = 3 μH, LCL = 0,3 μH

-

-

-

-

-

-

-

-

5

8

1.5

1.5

μs

μs

μs

J

Données de débranchement

S sYMBOLE

Conditions

Msur

Typ

Mle fer

Unité

ITGQM

T VJ = 125 ℃,V Dm ≤ V DRM, V D = 4000 V, L CL = 0.3μH, C CL = 20 μF, R S = 0,5 Ω

-

-

8000

A

t - Je ne sais pas.

t doffSF

t f

E éteint

T Vj = 125℃,ITGQ = 8000 A, V D = 4000 V, V Dm ≤ V DRM, C CL = 20 μF, R S = 4 oh ,

L i = 2 μH, L CL = 0.3μH

-

-

-

-

-

-

-

84

10

10

1

-

μs

μs

μs

J

Le schéma

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