Toutes les catégories
Obtenir un devis

Obtenez un devis gratuit

Notre représentant vous contactera prochainement.
E-mail
Nom
Nom de l'entreprise
Message
0/1000

IGCT asymétrique (A-IGCT)

IGCT asymétrique (A-IGCT)

Page d'accueil /  Produits /  Module IGCT /  IGCT asymétrique (A-IGCT)

YT-ASC80Y6500IC#, IGCT asymétrique Plus

6500 V, 8000 A, commande de grille intégrée

Brand:
YT
Spu:
YT-ASC80Y6500IC#
Appurtenance:

Brochure produit :Télécharger

  • Introduction
  • Le schéma
Introduction

YT-ASC80Y6500IC#

Applications

  • Convertisseur multiniveau modulaire
  • Compensateur statique de puissance réactive
  • Convertisseur de haute puissance

Caractéristiques

  • Courant de résistance élevé
  • Capacité de démarrage en mode noir
  • Mode de court-circuit par défaillance

Clé Paramètres

V DRM

6500

V

E TGQM

8000

A

E TSM

48.2

kA

V À

1.24

V

barre T

0.22

V Le lien DC

4000

V

Blocage Données

S sYMBOLE

Conditions

M sur

Typ

M le fer

Unité

V DRM

T VJ = 125 , E D E DRM, t p = 10 ms

-

-

6500

V

E DRM

T VJ = 125 , V D= V DRM, t p = 10 ms

-

-

150

le nombre de

dv/dt

T VJ = 125 , V D = 0,67 V DRM

1000

V/ μs

V Le lien DC

Tension continue intermédiaire autorisée pour un taux de défaillance de 100 FIT

-

-

4000

V

V RRM

/

-

-

20

V

État passant Données

Le symbole

Conditions

Min

Typ

Max

Unité

RMS (en anglais seulement)

T C = 85 ℃, sinusoïdale demi-onde, refroidissement double face

-

-

4290

A

E TSM

E 2t

T Vj = 125 ℃, sinusoïdale demi-onde, 10 ms, V D = V Barre =0

-

-

-

-

48.2

1162

kA

104A 2s

V TM

T Vj = 125 ℃, I T = 4000 A

-

2.52

-

V

V À

barre T

T Vj = 125 ℃,

E T = 1000…4000 A

-

-

1.24

0.22

-

-

V mΩ

On le met en marche Données

S sYMBOLE

Conditions

M sur

Typ

M le fer

Unité

d e T /dt

TVJ = 125 , IT = 4000 A, VD = 4000 V, f = 0…500 Hz

-

-

1000

A/ μs

t don

t donSF

t barre

E sur

T Vj = 125 , E T = 4000 A, V D = 4000 V, d e /dt = V D/ L i , C CL = 20 μF,

L i = 3 μH, L CL = 0.3μH

-

-

-

-

-

-

-

-

5

8

1.5

1.5

μs

μs

μs

J

Données de débranchement

S sYMBOLE

Conditions

M sur

Typ

M le fer

Unité

E TGQM

T VJ = 125 , V Dm V DRM, V D = 4000 V, L CL = 0.3μH, C CL = 20 μF, Barre S = 0,5 Ω

-

-

8000

A

t - Je ne sais pas.

t doffSF

t f

E éteint

T Vj = 125 , E TGQ = 8000 A, V D = 4000 V, V Dm V DRM, C CL = 20 μF, Barre S = 4 oh ,

L i = 2 μH, L CL = 0.3μH

-

-

-

-

-

-

-

84

10

10

1

-

μs

μs

μs

J

Le schéma

Obtenez un devis gratuit

Notre représentant vous contactera prochainement.
E-mail
Nom
Nom de l'entreprise
Message
0/1000

Produit associé

Vous avez des questions sur les produits?

Notre équipe de vente professionnelle attend votre consultation.
Vous pouvez suivre leur liste de produits et poser toutes les questions qui vous intéressent.

Obtenir un devis

Obtenez un devis gratuit

Notre représentant vous contactera prochainement.
E-mail
Nom
Nom de l'entreprise
Message
0/1000

Obtenez un devis gratuit

Notre représentant vous contactera prochainement.
E-mail
Nom
Nom de l'entreprise
Message
0/1000