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Module IGBT 1200V

Module IGBT 1200V

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GD300MNX120C6SA, Module IGBT, STARPOWER

Module IGBT, 1200V 300A, Conditionnement : C2

Brand:
Le système de régulation
Spu:
GD300MNX120C6SA
  • Introduction
  • Le schéma
  • Schéma de circuit équivalent
Introduction

Présentation succincte

Module IGBT ,produit par Le système de régulation .1200V 300A. Je suis désolé.

Caractéristiques

  • Technologie IGBT NPT
  • capacité de court-circuit de 10 μs
  • Faibles pertes de commutation
  • VCE (sat) avec coefficient de température positif
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications Typiques

  • Énergie solaire
  • UPS
  • applications à 3-niveaux

- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T F =25o C à moins autrement noté

Unité de mesure de la pression

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

IC

Courant collecteur @ T C=25o C @ T C=100o C

468

300

A

ICRM

Répétitif Picote Le collecteur Actuel tp limité par T vjop

600

A

PD

Puissance maximale Dissipation @ T vj =175o C

1530

L

Déplacement de diode

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V

IF

Diode courant continu avant Cu rente

300

A

IMFN

Répétitif Picote Avant Actuel tp limité par T vjop

600

A

Diode à 3 niveaux

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V

IF

Diode courant continu avant Cu rente

300

A

IMFN

Répétitif Picote Avant Actuel tp limité par T vjop

600

A

Module

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

T vjmax

Température maximale de jonction

175

o C

T vjop

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

2500

V

L'IGBT -invertisseur Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

IC= 300 A,V Généralement générés = 15 V, T vj =25o C

1.70

2.15

V

IC= 300 A,V Généralement générés = 15 V, T vj =125o C

1.95

IC= 300 A,V Généralement générés = 15 V, T vj =150o C

2.00

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC=12.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T vj =25o C

1.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Le gint

Résistance à la porte interne ance

2.5

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz, V Généralement générés =0V

31.1

nF

Crés

Transfert inverse Capacité

0.87

nF

QG

Charge de la porte

V Généralement générés =-15 ... + 15V

2.33

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C= 300A, R G=2,4Ω, Ls=35nH, V Généralement générés =±15V,T vj =25o C

215

n.S.

t r

Il est temps de monter.

53

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

334

n.S.

t f

Temps d'automne

205

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

21.5

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

20.7

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C= 300A, R G=2,4Ω, Ls=35nH, V Généralement générés =±15V,T vj =125o C

231

n.S.

t r

Il est temps de monter.

59

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

361

n.S.

t f

Temps d'automne

296

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

30.1

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

28.1

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C= 300A, R G=2,4Ω, Ls=35nH, V Généralement générés =±15V,T vj =150o C

240

n.S.

t r

Il est temps de monter.

62

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

376

n.S.

t f

Temps d'automne

311

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

32.9

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

29.9

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤ 10 μs, V Généralement générés = 15 V,

T vj =150o C,V CC =800V, V MEC ≤1200V

1200

A

Diode -invertisseur Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V F

Diode vers l'avant Tension

IF = 300 A,V Généralement générés =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF = 300 A,V Généralement générés =0V,T vj =125o C

1.90

IF = 300 A,V Généralement générés =0V,T vj =150o C

1.95

Qr

Charge récupérée

V CC =600V,I F = 300A,

-di/dt=2937A/μs, Ls=70nH, V Généralement générés =-15V,T vj =25o C

36.3

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

235

A

Eréc

Récupération Énergie

15.7

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V CC =600V,I F = 300A,

-di/dt=2720A/μs, Ls=70nH, V Généralement générés =-15V,T vj =125o C

61.3

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

257

A

Eréc

Récupération Énergie

27.5

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V CC =600V,I F = 300A,

-di/dt=2616A/μs, Ls=70nH, V Généralement générés =-15V,T vj =150o C

68.8

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

262

A

Eréc

Récupération Énergie

30.8

je suis désolé.

Diode -3-niveau Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V F

Diode vers l'avant Tension

IF = 300 A,V Généralement générés =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF = 300 A,V Généralement générés =0V,T vj =125o C

1.90

IF = 300 A,V Généralement générés =0V,T vj =150o C

1.95

Qr

Charge récupérée

V CC =600V,I F = 300A,

-di/dt=5683A/μs, Ls=35nH, V Généralement générés =-15V,T vj =25o C

36.2

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

290

A

Eréc

Récupération Énergie

13.4

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V CC =600V,I F = 300A,

-di/dt=4958A/μs,Ls=35nH, V Généralement générés =-15V,T vj =125o C

56.6

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

301

A

Eréc

Récupération Énergie

22.2

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V CC =600V,I F = 300A,

-di/dt=4673A/μs,Ls=35nH, V Généralement générés =-15V,T vj =150o C

65.9

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

306

A

Eréc

Récupération Énergie

26.3

je suis désolé.

NTC Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R 25

Résistance nominale

5.0

∆R/R

Déviation de R 100

T C=100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/501/T 2- je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/801/T 2- je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/1001/T 2- je suis désolé.

3433

K

Module Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

LCE

Inductivité de déplacement

35

nH

R CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

1.45

R le CJJ

Réservoir -à -Boîtier (parIGBT -invertisseur ) Jonction-à-Case (par Diode-invert eur) Jonction-à-Case (par Diode-3-nive au)

0.098 0.176 0.176

Pour les produits de base

R thCH

Case-à-Dissipateur (par IGBT-in verter) Case-à-Dissipateur (par Diode-i nverseur) Case-à-Dissipateur (par Diode-3- niveau) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.033 0.059 0.059 0.009

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m.

G

Poids de Module

350

g

Le schéma

Schéma de circuit équivalent

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