Avec le développement rapide des véhicules électriques, des énergies renouvelables, de l’automatisation industrielle et de l’électronique de puissance avancée, les semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium (SiC) deviennent une technologie essentielle pour les systèmes de puissance haute efficacité de nouvelle génération.
Par rapport aux composants conventionnels à base de silicium, les dispositifs SiC offrent plusieurs avantages techniques, notamment une fréquence de commutation plus élevée, des pertes de commutation réduites, une capacité de fonctionnement à des températures plus élevées et une densité de puissance améliorée. Ces caractéristiques contribuent à améliorer l’efficacité du système, à réduire la consommation d’énergie et à favoriser des conceptions de systèmes plus compactes et plus légères.
Pour répondre à la demande croissante du marché en semi-conducteurs de puissance hautes performances, nous élargissons notre portefeuille de produits afin d’inclure une gamme complète de dispositifs SiC produits et de solutions. Notre gamme de produits SiC comprend :
Modules MOSFET SiC
Dispositifs MOSFET SiC discrets
Diodes à barrière Schottky (SBD) en SiC
Solutions de puissance entièrement en SiC
Nos produits peuvent être appliqués dans un large éventail d’industries et d’applications, notamment :
Véhicules électriques (VE)
Systèmes de stockage d'énergie (ESS)
Onduleurs solaires
Onduleurs industriels et variateurs de moteur
Systèmes de recharge EV
Matériel d'alimentation électrique
Systèmes d'automatisation industrielle
Applications ferroviaires et industrielles à forte puissance
Nous comprenons que les clients peuvent avoir des exigences différentes en matière de performances, de types d’emballage et d’optimisation des coûts, ainsi que d’ application environnements. Par conséquent, outre nos produits standards, nous visons également à accompagner les clients dans la sélection de produits et l’adéquation aux applications, conformément aux besoins spécifiques de leurs projets.
À mesure que la technologie SiC continue de progresser et de s’imposer davantage sur le marché mondial, nous souhaitons collaborer avec des clients et des partenaires du monde entier afin de fournir des solutions fiables et efficaces de semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium (SiC) pour les futures applications énergétiques et industrielles.

SCE900N1200ED
Module en SiC
Caractéristiques
- Fonctionnement à haute température, humidité et polarisation
- Pertes ultrafaibles
- Fonctionnement haute fréquence
- Courant de queue à l’arrêt nul provenant du MOSFET
- Fonctionnement normalement bloqué et sécurisé
- Plaque de base en cuivre et isolateur en nitrure d'aluminium
Applications
- Convertisseurs haute puissance
- Variateurs de vitesse
- Servo-entraînement
- Systèmes UPS
- Éoliennes
Le symbole |
Paramètre |
Valeurs |
Unité |
Essai Conditions |
Maximum absolu notation |
V Ds |
Tension Drain-Source |
1200 |
V |
T C = 25°C |
E D |
Courant de fuite (continu) |
900 |
A |
T C = 25°C |
T J |
Température de jonction |
175 |
。C |
|
Le symbole |
Paramètre |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
Essai Conditions |
Caractéristiques statiques ics |
Barre DS(ON) |
Résistance statique drain-source Résistance |
- |
1.8 |
2.5 |
mΩ |
V GS =18 V ; E D = 450 A ; T C = 25°C |
Caractéristiques dynamiques |
Q: Le numéro G |
Gâchette totale Charge |
- |
2142 |
- |
nC |
V DD =800 V ; V GS =-5/+18 V ; E D = 450 A ; T C = 25°C |
Q: Le numéro GD |
Charge de la porte-drain |
- |
705 |
- |
Diode source-drain |
Q: Le numéro RR |
Récupération Charge |
- |
5517 |
- |
nC |
V GS =-5/+18 V ; E F = 500 A ; V Barre = 900 V ; Charge = 100 µH ; T J = 25°C |
- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation (à T C =25°C à moins autrement spécifié )