MZ250, module de diode à récupération rapide, TECHSEM

RRVM

Type & Contour

pour les appareils électriques

2200V

des émissions de CO2

pour les appareils électroniques

3000V

MZ250-20-417F2

MZ250-22-417F2

MZ250-25-417F2

MZ250-28-417F2

MZ250-30-417F2

Le symbole

CARAC TÉRISTIQUE

Conditions d'essai

Tj(°C)

Valeur

Unité

Min

Type

Max

IF(AV)

Courant direct moyen

180° demi-onde sinusoïdale 50Hz

Refroidi d'un seul côté, TC=85°C

140

250

Une

IF(RMS)

Courant direct RMS

392

Une

RSI

Courant de crête répétitif

à VRRM

140

50

le nombre de

MFI

Courant de surtension avant

10ms onde sinusoïdale demi VR=0.6VRRM

140

8

kA

Je ²t

Je ²t pour la coordination de fusion

320

10³Une ²s

VFO

Voltage de seuil

140

1.85

V. Le groupe

rF

Résistance de pente directe

0.50

mΩ

VFM

Tension directe de crête

IFM=750A

25

2.67

V. Le groupe

le

Temps de récupération inverse

IFM=300A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR= 100V

140

4

μs

Rth(j-c)

Résistance thermique jonction à boîtier

Refroidi par un seul côté par puce

0.065

°C /W

Rth(c-h)

Résistance thermique du boîtier au dissipateur

Refroidi par un seul côté par puce

0.030

°C /W

VISO

Tension d'isolement

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V. Le groupe

FM

Couple de connexion des bornes (M10)

10

12

N m

Couple de montage (M6)

4.5

6.0

N m

Tvj

Température de jonction

-40

140

°C

TSTG

Température de stockage

-40

125

°C

Wt

Poids

770

g

Le schéma

417F2