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Introduction brève
Modules de thyristor à coupure rapide ,MK(H)x 300 MK 300,3 00A .Air refroidissement,produit par TECHSEM .
VDRM, VRRM |
Type & Contour |
|
600V |
MKx300-06-405F3 |
MHx300-06-405F3 |
800V |
MKx300-08-405F3 |
MHx300-08-405F3 |
1000V |
MKx300-10-405F3 |
MHx300-10-405F3 |
les autres |
MKx300-12-405F3 |
MHx300-12-405F3 |
1400V |
MKx300-14-405F3 |
MHx300-14-405F3 |
1600V |
MKx300-16-405F3 |
MHx300-16-405F3 |
1800V |
MKx300-18-405F3 |
MHx300-18-405F3 |
Caractéristiques :
Applications Typiques
Le symbole |
Caractéristique |
Conditions d'essai |
Tj(°C) |
Valeur |
Unité |
||
Min |
Type |
Max |
|||||
Les États membres |
Courant moyen en état passant |
onde sinusoïdale demi-cycle à 180° 50Hz Refroidi par un seul côté,Tc=55°C |
125 |
|
|
300 |
Une |
RMS (en anglais seulement) |
Courant de l'état actif RMS |
|
|
471 |
Une |
||
Idrm Irrm |
Courant de crête répétitif |
à VDRM à VRRM |
125 |
|
|
50 |
le nombre de |
ITSM |
Courant de surtension en état passant |
onde sinusoïdale demi-cycle 10ms VR=60%VRRM |
125 |
|
|
5.60 |
kA |
I2t |
I2t pour coordination de fusion |
|
|
160 |
Une 2s* 10 3 |
||
VTO |
Voltage de seuil |
|
125 |
|
|
1.50 |
V. Le groupe |
rT |
Résistance de pente en état passant |
|
|
0.75 |
mΩ |
||
VTM |
Tension de pointe en état passant |
ITM=900A |
25 |
|
|
2.20 |
V. Le groupe |
dv/dt |
Taux critique d'augmentation de la tension de seuil |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
800 |
V/μs |
di/dt |
Taux critique d'augmentation du courant en état actif |
Source de porte 1.5A tr ≤0.5μs Répétitif |
125 |
|
|
200 |
A/μs |
tq |
Temps d'extinction commuté par circuit |
ITM=300A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs |
125 |
20 |
|
40 |
μs |
25 |
6 |
|
16 |
μs |
|||
TIG |
Courant de déclenchement de porte |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
30 |
|
200 |
le nombre de |
Vgt |
Tension de déclenchement de porte |
0.8 |
|
3.0 |
V. Le groupe |
||
Je suis |
Courant de maintien |
10 |
|
200 |
le nombre de |
||
VGD |
Tension de porte non déclenchée |
VDM= 67%VDRM |
125 |
|
|
0.2 |
V. Le groupe |
Rth(j-c) |
Résistance thermique jonction à boîtier |
Refroidi par un seul côté par puce |
|
|
|
0.110 |
°C /W |
Rth(c-h) |
Résistance thermique du boîtier au dissipateur |
Refroidi par un seul côté par puce |
|
|
|
0.040 |
°C /W |
VISO |
Tension d'isolement |
50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
|
2500 |
|
|
V. Le groupe |
FM |
Couple de connexion des bornes (M8) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
N m |
Couple de montage (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N m |
|
Tvj |
Température de jonction |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
TSTG |
Température de stockage |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
Wt |
Poids |
|
|
|
1060 |
|
g |
Le schéma |
405F3 |
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