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IGBT discrète

IGBT discrète

Page d'accueil/Produits/Module IGBT/Composant IGBT

DG25X12T2, IGBT discrète, démarrage

1200V,25A

Brand:
Le système de régulation
  • Introduction
Introduction

Rappel amical :F ou plus d'IGBT discrets, veuillez envoyer un e-mail.

Caractéristiques

  • Faible VCE(sat) Tranchée L'IGBT technologie
  • capacité de court-circuit de 10 μs
  • Faible perte de commutation
  • Température maximale de jonction 175oC
  • Cas à faible inductance
  • VCE (sat) avec positifs température coefficient
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Emballage sans plomb

Typique Applications

  • Invertisseurs pour moteur
  • Amplificateur à servo-entraînement CA et CC
  • Énergie ininterrompue

- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T C=25o C à moins autrement noté

L'IGBT

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

IC

Courant collecteur @ T C=25o C

@ T C= 110o C

50

25

A

ICm

Courant collecteur pulsé t p limité par T jmax

100

A

PD

Puissance maximale Dissipation @ T j =175o C

573

L

Diode

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V RRM

Voltage inverse de pointe répétitif

1200

V

IF

Courant continu de diode en avant @ T C= 110o C

25

A

IFM

Diode Maximum Avant Actuel t p limité par T jmax

100

A

Discret

Le symbole

DESCRIPTION

Valeurs

Unité

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +175

o C

T GST

Température de stockage Autonomie

-55 à +150

o C

T S

Température de soudage,1.6mm fro m boîtier pour 10s

260

o C

M

Le couple de montage Vis M3

0.6

N.m.

L'IGBT Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

IC=25A, V Généralement générés = 15 V,

T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=25A, V Généralement générés = 15 V,

T j =125o C

1.95

IC=25A, V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C

2.00

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC=0.63le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint

Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V,

T j =25o C

1.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Le gint

Résistance à la porte interne ance

0

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz,

V Généralement générés =0V

2.59

nF

Crés

Transfert inverse

Capacité

0.07

nF

QG

Charge de la porte

V Généralement générés =-15…+15V

0.19

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=25A, R G=20Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =25o C

28

n.S.

t r

Il est temps de monter.

17

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

196

n.S.

t f

Temps d'automne

185

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement

Perte de

1.71

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

1.49

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=25A, R G=20Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =125o C

28

n.S.

t r

Il est temps de monter.

21

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

288

n.S.

t f

Temps d'automne

216

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement

Perte de

2.57

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

2.21

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=25A, R G=20Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =150o C

28

n.S.

t r

Il est temps de monter.

22

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

309

n.S.

t f

Temps d'automne

227

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement

Perte de

2.78

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

2.42

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C,V CC =900V, V MEC ≤1200V

100

A

Diode Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant

Tension

IF =25A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

2.20

2.65

V

IF =25A,V Généralement générés =0V,T j = 125o C

2.30

IF =25A,V Généralement générés =0V,T j = 150o C

2.25

Qr

Charge récupérée

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V Généralement générés =-15V T j =25o C

1.43

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

34

A

Eréc

Récupération Énergie

0.75

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V Généralement générés =-15V T j = 125o C

2.4

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

42

A

Eréc

Récupération Énergie

1.61

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V Généralement générés =-15V T j = 150o C

2.6

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

44

A

Eréc

Récupération Énergie

2.10

je suis désolé.

Discret Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R le CJJ

Les points de jonction (par IGB) T)

Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi

0.262

0.495

Pour les produits de base

R thJA

Jonction-à-Ambiant

40

Pour les produits de base

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