Module IGBT 1700V

GD650HFX170P1S,Module IGBT,STARPOWER

1700V 650A

Brand:

Le système de régulation

Spu:

Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.

Introduction
Le schéma

Introduction

Brève introduction action

Module IGBT , produit par STARPOWER. 1700V 650A

Caractéristiques

Faible V CE (assis ) Tranchée L'IGBT tECHNOLOGIE
10 μs capab de court-circuit l'égalité
V CE (assis ) avec positifs température coefficient
Maximum température de jonction 175o C
Diode agrandie pour régénératif fonctionnement
Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC
Capacité de puissance élevée et de cyclage thermique ité

Typique Applications

Convertisseur de haute puissance
Énergie éolienne et solaire
Entraînement de traction

- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T C =25o C à moins autrement remarque

L'IGBT

Le symbole	Description	Valeur	Unité
V Le CES	Voltage du collecteur-émetteur	1700	V
V GES	Voltage de l'émetteur de la porte	±20	V
E C	Courant collecteur @ T C =25o C @ T C = 100o C	1073 650	A
E Cm	Courant collecteur pulsé t p =1ms	1300	A
P D	Puissance maximale Dissipation @ T j =175o C	4.2	kW

Diode

Le symbole	Description	Valeur	Unité
V RRM	Voltage inverse de pointe répétitif	1700	V
E F	Diode à dérive continue le loyer	650	A
E FM	Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms	1300	A

Module

Le symbole	Description	Valeur	Unité
T jmax	Température maximale de jonction	175	o C
T le jouet	Température de fonctionnement des jonctions	-40 à +150	o C
T GST	Température de stockage Autonomie	-40 à +150	o C
V ISO	Tension d'isolation RMS, f=50Hz, t= une minute.	4000	V

L'IGBT Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité
V CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	E C =650A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C		1.90	2.35	V
		E C =650A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C		2.35
		E C =650A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C		2.45
V Généralement générés (th)	Seuil d'émetteur de porte Tension	E C =24.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C	5.6	6.2	6.8	V
E Le CES	Le collecteur Découpé -Éteint Actuel	V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25o C			5.0	le nombre de
E GES	Fuite de l'émetteur de la porte Actuel	V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C			400	nA
Barre Le gint	Résistance à la porte interne ance			2.3		oh
C - Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V CE = 25V, f=1 MHz, V Généralement générés =0V		72.3		nF
C rés	Transfert inverse Capacité	V CE = 25V, f=1 MHz, V Généralement générés =0V		1.75		nF
Q: Le numéro G	Charge de la porte	V Généralement générés =- 15...+15V		5.66		le taux de décharge
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V CC = 900V,I C =650A, Barre Gon = 1,8Ω,R Goff =2.7Ω, V Généralement générés =±15V,T j =25o C		468		n.S.
t barre	Il est temps de monter.			86		n.S.
t d (éteint )	Débranchement Temps de retard			850		n.S.
t f	Temps d'automne			363		n.S.
E sur	On le met en marche Le changement Perte de			226		je suis désolé.
E éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			161		je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V CC = 900V,I C =650A, Barre Gon = 1,8Ω,R Goff =2.7Ω, V Généralement générés =±15V,T j = 125o C		480		n.S.
t barre	Il est temps de monter.			110		n.S.
t d (éteint )	Débranchement Temps de retard			1031		n.S.
t f	Temps d'automne			600		n.S.
E sur	On le met en marche Le changement Perte de			338		je suis désolé.
E éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			226		je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V CC = 900V,I C =650A, Barre Gon = 1,8Ω,R Goff =2.7Ω, V Généralement générés =±15V,T j = 150o C		480		n.S.
t barre	Il est temps de monter.			120		n.S.
t d (éteint )	Débranchement Temps de retard			1040		n.S.
t f	Temps d'automne			684		n.S.
E sur	On le met en marche Le changement Perte de			368		je suis désolé.
E éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			242		je suis désolé.
E SC	Données SC	t P ≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C,V CC = un débit de tension de 1000 V, V MEC ≤ 1700V		2600		A

Diode Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité
V F	Diode vers l'avant Tension	E F =650A,V Généralement générés =0V,T j =25o C		1.85	2.30	V
		E F =650A,V Généralement générés =0V,T j = 125o C		1.98
		E F =650A,V Généralement générés =0V,T j = 150o C		2.02
Q: Le numéro barre	Charge récupérée	V Barre = 900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V Généralement générés =- 15V T j =25o C		176		le taux de décharge
E RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			765		A
E réc	Récupération Énergie			87.4		je suis désolé.
Q: Le numéro barre	Charge récupérée	V Barre = 900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V Généralement générés =- 15V T j = 125o C		292		le taux de décharge
E RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			798		A
E réc	Récupération Énergie			159		je suis désolé.
Q: Le numéro barre	Charge récupérée	V Barre = 900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V Généralement générés =- 15V T j = 150o C		341		le taux de décharge
E RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			805		A
E réc	Récupération Énergie			192		je suis désolé.

NTC Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité
Barre 25	Résistance nominale			5.0		kΩ
δR/R	Déviation de Barre 100	T C = 100 o C,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Puissance Dissipation				20.0	mW
B 25/50	Valeur B	Barre 2= R 25exp [B 25/501/T 2- je suis désolé.		3375		K
B 25/80	Valeur B	Barre 2= R 25exp [B 25/801/T 2- je suis désolé.		3411		K
B 25/100	Valeur B	Barre 2= R 25exp [B 25/1001/T 2- je suis désolé.		3433		K

Module Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole	Paramètre	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité
L CE	Inductivité de déplacement		18		nH
Barre CC+EE	Module de résistance au plomb, Terminal au chip		0.30		mΩ
Barre le CJJ	Les points de jonction (par IGB) T) Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)			35.8 71.3	K/kW
Barre thCH	Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne. Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)		13.5 26.9 4.5		K/kW
M	Le couple de connexion du terminal, Vire M4 Connexion Terminal Couple, Vire M8 Le couple de montage Vire M5	1.8 8.0 3.0		2.1 10.0 6.0	N.m.
G	Poids de Module		810		g

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Convertisseur Analogique-Numérique Haute Précision

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LDO Haute Précision

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Relais Photo MOS

Relais électromagnétique

Relais temporisé

Contrôleur intégré

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vAA (Pile à combustible à hydrogène)

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Produit associé

YMIF250-65, module IGBT

GD300HFX170C2S, Module IGBT, STARPOWER

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MZx300, module de diode à récupération rapide, TECHSEM

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