Module IGBT 1700V

GD650HFX170P1S,Module IGBT,STARPOWER

1700V 650A

Brand:

Le système de régulation

Spu:

Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.

Introduction
Le schéma

Introduction

Brève introduction action

Module IGBT , produit par STARPOWER. 1700V 650A

Caractéristiques

Faible V CE (assis ) Tranchée L'IGBT technologie
10 μs capab de court-circuit l'égalité
V CE (assis ) avec positifs température coefficient
Maximum température de jonction 175o C
Diode agrandie pour régénératif opération
Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC
Capacité de puissance élevée et de cyclage thermique ité

Typique Applications

Convertisseur de haute puissance
Énergie éolienne et solaire
Entraînement de traction

- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T C=25o C à moins autrement remarque

L'IGBT

Le symbole	DESCRIPTION	Valeur	Unité
V Le CES	Voltage du collecteur-émetteur	1700	V
V GES	Voltage de l'émetteur de la porte	±20	V
IC	Courant collecteur @ T C=25o C @ T C= 100o C	1073 650	A
ICm	Courant collecteur pulsé t p =1ms	1300	A
PD	Puissance maximale Dissipation @ T j =175o C	4.2	kW

Diode

Le symbole	DESCRIPTION	Valeur	Unité
V RRM	Voltage inverse de pointe répétitif	1700	V
IF	Diode à dérive continue le loyer	650	A
IFM	Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms	1300	A

Module

Le symbole	DESCRIPTION	Valeur	Unité
T jmax	Température maximale de jonction	175	o C
T le jouet	Température de fonctionnement des jonctions	-40 à +150	o C
T GST	Température de stockage Autonomie	-40 à +150	o C
V ISO	Tension d'isolation RMS, f=50Hz, t= une minute.	4000	V

L'IGBT Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité
V CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	IC=650A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C		1.90	2.35	V
		IC=650A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C		2.35
		IC=650A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C		2.45
V Généralement générés (th)	Seuil d'émetteur de porte Tension	IC=24.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C	5.6	6.2	6.8	V
ILe CES	Le collecteur Découpé -Éteint Actuel	V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25o C			5.0	le nombre de
IGES	Fuite de l'émetteur de la porte Actuel	V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C			400	nA
R Le gint	Résistance à la porte interne ance			2.3		oh
C- Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V CE = 25V, f=1 MHz, V Généralement générés =0V		72.3		nF
Crés	Transfert inverse Capacité	V CE = 25V, f=1 MHz, V Généralement générés =0V		1.75		nF
QG	Charge de la porte	V Généralement générés =- 15...+15V		5.66		le taux de décharge
t d (activé )	Temps de retard d'activation	V CC = 900V,I C=650A, R Gon = 1,8Ω,R Goff =2.7Ω, V Généralement générés =±15V,T j =25o C		468		n.S.
t r	Il est temps de monter.			86		n.S.
t d (éteint )	Débranchement Temps de retard			850		n.S.
t f	Temps d'automne			363		n.S.
Eactivé	On le met en marche Le changement Perte de			226		je suis désolé.
Eéteint	Commutateur d'arrêt Perte de			161		je suis désolé.
t d (activé )	Temps de retard d'activation	V CC = 900V,I C=650A, R Gon = 1,8Ω,R Goff =2.7Ω, V Généralement générés =±15V,T j = 125o C		480		n.S.
t r	Il est temps de monter.			110		n.S.
t d (éteint )	Débranchement Temps de retard			1031		n.S.
t f	Temps d'automne			600		n.S.
Eactivé	On le met en marche Le changement Perte de			338		je suis désolé.
Eéteint	Commutateur d'arrêt Perte de			226		je suis désolé.
t d (activé )	Temps de retard d'activation	V CC = 900V,I C=650A, R Gon = 1,8Ω,R Goff =2.7Ω, V Généralement générés =±15V,T j = 150o C		480		n.S.
t r	Il est temps de monter.			120		n.S.
t d (éteint )	Débranchement Temps de retard			1040		n.S.
t f	Temps d'automne			684		n.S.
Eactivé	On le met en marche Le changement Perte de			368		je suis désolé.
Eéteint	Commutateur d'arrêt Perte de			242		je suis désolé.
ISC	Données SC	t P≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C,V CC = un débit de tension de 1000 V, V MEC ≤ 1700V		2600		A

Diode Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité
V F	Diode vers l'avant Tension	IF =650A,V Généralement générés =0V,T j =25o C		1.85	2.30	V
		IF =650A,V Généralement générés =0V,T j = 125o C		1.98
		IF =650A,V Généralement générés =0V,T j = 150o C		2.02
Qr	Charge récupérée	V R = 900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V Généralement générés =- 15V T j =25o C		176		le taux de décharge
IRM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			765		A
Eréc	Récupération Énergie			87.4		je suis désolé.
Qr	Charge récupérée	V R = 900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V Généralement générés =- 15V T j = 125o C		292		le taux de décharge
IRM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			798		A
Eréc	Récupération Énergie			159		je suis désolé.
Qr	Charge récupérée	V R = 900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V Généralement générés =- 15V T j = 150o C		341		le taux de décharge
IRM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			805		A
Eréc	Récupération Énergie			192		je suis désolé.

NTC Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité
R 25	Résistance nominale			5.0		kΩ
δR/R	Déviation de R 100	T C= 100 o C,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P25	Puissance Dissipation				20.0	mW
B 25/50	Valeur B	R 2= R 25exp [B 25/501/T 2- je suis désolé.		3375		K
B 25/80	Valeur B	R 2= R 25exp [B 25/801/T 2- je suis désolé.		3411		K
B 25/100	Valeur B	R 2= R 25exp [B 25/1001/T 2- je suis désolé.		3433		K

Module Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole	Paramètre	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité
LCE	Inductivité de déplacement		18		nH
R CC+EE	Module de résistance au plomb, Terminal au chip		0.30		mΩ
R le CJJ	Les points de jonction (par IGB) T) Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)			35.8 71.3	K/kW
R thCH	Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne. Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)		13.5 26.9 4.5		K/kW
M	Le couple de connexion du terminal, Vire M4 Connexion Terminal Couple, Vire M8 Le couple de montage Vire M5	1.8 8.0 3.0		2.1 10.0 6.0	N.m.
G	Poids de Module		810		g

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