GD450HFX170C6S, Module IGBT, STARPOWER

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1700

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

E C

Courant collecteur @ T C =25o C

@ T C = 100o C

706

450

A

E Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

900

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T =175o C

2542

L

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V RRM

Voltage inverse de pointe répétitif

1700

V

E F

Diode à dérive continue le loyer

450

A

E FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

900

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Température de stockage Autonomie

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

E C =450A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.85

2.20

V

E C =450A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

2.25

E C =450A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

2.35

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

E C = 18,0 mA,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

E Le CES

Le collecteur Découpé -Éteint

Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V,

T j =25o C

5.0

le nombre de

E GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barre Le gint

Résistance à la porte interne ance

1.67

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz,

V Généralement générés =0V

54.2

nF

C rés

Transfert inverse

Capacité

1.32

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V Généralement générés =- 15...+15V

4.24

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C =450A, Barre G = 3,3Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =25o C

179

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

105

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

680

n.S.

t f

Temps d'automne

375

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

116

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

113

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C =450A, Barre G = 3,3Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 125o C

208

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

120

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

784

n.S.

t f

Temps d'automne

613

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

152

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

171

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C =450A, Barre G = 3,3Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 150o C

208

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

120

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

800

n.S.

t f

Temps d'automne

720

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

167

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

179

je suis désolé.

E SC

Données SC

t P ≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C,V CC = un débit de tension de 1000 V, V MEC ≤ 1700V

1800

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant

Tension

E F =450A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

E F =450A,V Généralement générés =0V,T j = 125o C

1.95

E F =450A,V Généralement générés =0V,T j = 150o C

1.90

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre = 900V,I F =450A,

-di/dt=4580A/μs,V Généralement générés =- 15V T j =25o C

105

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

198

A

E réc

Récupération Énergie

69.0

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre = 900V,I F =450A,

-di/dt=4580A/μs,V Généralement générés =- 15V T j = 125o C

187

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

578

A

E réc

Récupération Énergie

129

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre = 900V,I F =450A,

-di/dt=4580A/μs,V Généralement générés =- 15V T j = 150o C

209

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

585

A

E réc

Récupération Énergie

150

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

Barre 25

Résistance nominale

5.0

kΩ

δR/R

Déviation de Barre 100

T C = 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/501/T 2-

je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/801/T 2-

je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/1001/T 2-

je suis désolé.

3433

K

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

20

nH

Barre CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

1.10

mΩ

Barre le CJJ

Les points de jonction (par IGB) T)

Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi

0.059

0.083

Pour les produits de base

Barre thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne.

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 diode)

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.031

0.043

0.009

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.m.

G

Poids de Module

350

g