GD750HFA120C6S,Module IGBT,STARPOWER

Le symbole

DESCRIPTION

Valeurs

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

IC

Courant collecteur @ T C=100o C

750

A

ICm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

1500

A

PD

Puissance maximale Dissipation @ T vj =175o C

3125

L

Le symbole

DESCRIPTION

Valeurs

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V

IF

Diode courant continu avant Cu rente

900

A

IFM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

1500

A

ILe FSM

Courant de pointe p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

3104

2472

A

I2t

I2t- valeur ,t p =10ms @ T vj =25o C@ T vj =150o C

48174

30554

A2s

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

T vjmax

Température maximale de jonction

175

o C

T vjop

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

4000

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

IC=750A,V Généralement générés = 15 V, T vj =25o C

1.35

1.85

V

IC=750A,V Généralement générés = 15 V, T vj =125o C

1.55

IC=750A,V Généralement générés = 15 V, T vj =175o C

1.55

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC=24.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T vj =25o C

1.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

0.5

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE =25V,f=100kHz, V Généralement générés =0V

85.2

nF

Crés

Transfert inverse Capacité

0.45

nF

QG

Charge de la porte

V Généralement générés =-15…+15V

6.15

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=750A,

R G=0.5Ω,

V Généralement générés =-8V/+15V,

LS =40nH ,T vj =25o C

238

n.S.

t r

Il est temps de monter.

76

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

622

n.S.

t f

Temps d'automne

74

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

68.0

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

52.8

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=750A, R G=0.5Ω,

V Généralement générés =-8V/+15V,

LS =40nH ,T vj =125o C

266

n.S.

t r

Il est temps de monter.

89

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

685

n.S.

t f

Temps d'automne

139

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

88.9

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

67.4

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=750A, R G=0.5Ω,

V Généralement générés =-8V/+15V,

LS =40nH ,T vj =175o C

280

n.S.

t r

Il est temps de monter.

95

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

715

n.S.

t f

Temps d'automne

166

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

102

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

72.7

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤8μs, V Généralement générés = 15 V,

T vj =150o C,V CC =800V, V MEC ≤1200V

2500

A

t P≤6μs, V Généralement générés = 15 V,

T vj =175o C,V CC =800V, V MEC ≤1200V

2400

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V F

Diode vers l'avant Tension

IF =750A,V Généralement générés =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

IF =750A,V Généralement générés =0V,T vj =125o C

1.65

IF =750A,V Généralement générés =0V,T vj =175o C

1.65

Qr

Charge récupérée

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=6500A/μs,V Généralement générés =-8V, LS =40nH ,T vj =25o C

79.7

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

369

A

Eréc

Récupération Énergie

23.3

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=5600A/μs,V Généralement générés =-8V, LS =40nH ,T vj =125o C

120

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

400

A

Eréc

Récupération Énergie

39.5

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=5200A/μs,V Généralement générés =-8V, LS =40nH ,T vj =175o C

151

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

423

A

Eréc

Récupération Énergie

49.7

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R 25

Résistance nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Déviation de R 100

T C=100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/501/T 2- je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/801/T 2- je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/1001/T 2- je suis désolé.

3433

K

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

LCE

Inductivité de déplacement

20

nH

R CC+EE

Résistance au plomb du module, terminal à la puce

0.80

mΩ

R le CJJ

Réservoir -à -Boîtier (parIGBT ) Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)

0.048 0.088

Pour les produits de base

R thCH

Boîtier -à -Disjoncteur (parIGBT )Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.028 0.051 0.009

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m.

G

Poids de Module

350

g