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Module IGBT 1700V

Module IGBT 1700V

Page d'accueil/Produits/Module IGBT/Module IGBT 1700V

GD300HFX170C2S, Module IGBT, STARPOWER

Module IGBT, 1700V 300A

Brand:
Le système de régulation
Spu:
GD300HFX170C2S
  • Introduction
  • Le schéma
Introduction

Présentation succincte

Module IGBT , produit par STARPOWER. 1700V 300A.

Caractéristiques

  • Faible VCE(sat) Tranchée L'IGBT technologie
  • capacité de court-circuit de 10 μs
  • VCE (sat) avec positifs température coefficient
  • Température maximale de jonction 175oC
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Typique Applications

  • Invertisseurs pour moteur
  • Amplificateur à servo-entraînement CA et CC
  • Énergie ininterrompue

- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T C=25o C à moins autrement noté

L'IGBT

Le symbole

DESCRIPTION

Valeurs

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1700

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

IC

Courant collecteur @ T C=25o C

@ T C= 100o C

493

300

A

ICm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

600

A

PD

Dissipation maximale de l'énergie T =175o C

1829

L

Diode

Le symbole

DESCRIPTION

Valeurs

Unité

V RRM

Voltage inverse de pointe répétitif

1700

V

IF

Diode à dérive continue le loyer

300

A

IFM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

600

A

Module

Le symbole

DESCRIPTION

Valeurs

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Température de stockage Autonomie

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 mIN

4000

V

L'IGBT Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

IC= 300 A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC= 300 A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

2.25

IC= 300 A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

2.35

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC= 12,0 mA,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint

Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V,

T j =25o C

1.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Le gint

Résistance à la porte interne ance

2.5

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz,

V Généralement générés =0V

36.1

nF

Crés

Transfert inverse

Capacité

0.88

nF

QG

Charge de la porte

V Généralement générés =- 15...+15V

2.83

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C= 300A, R G= 2,4Ω,

V Généralement générés = ± 15 V, T j =25o C

204

n.S.

t r

Il est temps de monter.

48

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

595

n.S.

t f

Temps d'automne

100

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement

Perte de

69.3

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

63.3

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C= 300A, R G=2.4Ω

,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 125o C

224

n.S.

t r

Il est temps de monter.

55

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

611

n.S.

t f

Temps d'automne

159

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement

Perte de

96.8

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

99.0

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C= 300A, R G=2.4Ω

,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 150o C

240

n.S.

t r

Il est temps de monter.

55

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

624

n.S.

t f

Temps d'automne

180

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement

Perte de

107

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

105

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C,V CC = un débit de tension de 1000 V, V MEC ≤ 1700V

1200

A

Diode Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V F

Diode vers l'avant

Tension

IF = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF = 300 A,V Généralement générés =0V,T j = 125o C

1.90

IF = 300 A,V Généralement générés =0V,T j = 150o C

1.95

Qr

Charge récupérée

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=5400A/μs,V Généralement générés =- 15V T j =25o C

55

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

297

A

Eréc

Récupération Énergie

32.2

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=5400A/μs,V Généralement générés =- 15V T j =125o C

116

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

357

A

Eréc

Récupération Énergie

68.2

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=5400A/μs,V Généralement générés =- 15V T j =150o C

396

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

120

A

Eréc

Récupération Énergie

81.6

je suis désolé.

Module Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

LCE

Inductivité de déplacement

20

nH

R CC+EE

Module de résistance au plomb ensuite, terminal à puce

0.35

R le CJJ

Les points de jonction (par IGB) T)

Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi

0.082

0.129

Pour les produits de base

R thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne.

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 diode)

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.033

0.051

0.010

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Poids de Module

300

g

Le schéma

image(c3756b8d25).png

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