Módulos IGCT de bloqueo inverso
Módulos de tiristor con compuerta integrada de bloqueo inverso (RB-IGCT) son dispositivos semiconductores de alta potencia avanzados diseñados para sistemas de conversión de potencia de alta tensión de próxima generación. Con capacidad integrada de bloqueo de tensión inversa, los módulos RB-IGCT ofrecen un excelente rendimiento eléctrico, alta fiabilidad y una eficiencia superior para aplicaciones exigentes de conversión de energía.
Basados en la tecnología probada de IGCT y en empaque tipo presión , los módulos RB-IGCT combinan las ventajas de los dispositivos tiristores, incluyendo pérdidas de conducción ultra bajas y alta capacidad de corriente, con un apagado controlado por compuerta rápido y eficiente. La robusta estructura de empaque tipo presión permite un excelente rendimiento térmico, resistencia mecánica y funcionamiento fiable bajo esfuerzos eléctricos y térmicos severos.
La capacidad integrada de bloqueo en sentido inverso permite que los módulos RB-IGCT simplifiquen el diseño del sistema al reducir la necesidad de componentes adicionales de protección contra tensión inversa, mejorando la densidad de potencia y la fiabilidad general del sistema.
Ventajas clave
Capacidad integrada de bloqueo de tensión inversa para un diseño de sistema simplificado;
Capacidad de alta tensión y alta corriente para aplicaciones de conversión de potencia a gran escala;
Pérdidas de conducción ultra-bajas para una mayor eficiencia energética;
Capacidad de conmutación rápida con un excelente rendimiento de conmutación;
Diseño avanzado de empaque tipo press-pack con capacidad de refrigeración bilateral;
Alta fiabilidad bajo condiciones de esfuerzo eléctrico, térmico y mecánico .
Aplicaciones
Transmisión de corriente continua de alto voltaje (HVDC);
Sistemas flexibles de transmisión de corriente alterna (FACTS);
Convertidores de media y alta tensión;
Sistemas de alimentación para tracción ferroviaria;
Fuentes de alimentación industriales a gran escala;
Sistemas de conversión de energía renovable y conexión a la red;
Aplicaciones de almacenamiento de energía y conversión de alta potencia.
YT-RBC5580Y11
Parámetros clave
V DRM |
8000 |
V |
V RRM |
8000 |
V |
I TGQM |
6600 |
A |
I T(AV) |
3290 |
A |
I TSM |
40 |
kA |
V A |
1.25 |
V |
barra T |
0.26 |
mΩ |
Barra el JC |
3.6 |
K/ kW |
Aplicaciones
● Circuito de corriente continua |
● Convertidor conmutado híbrido con interruptor |
Características
● Alta corriente de soporte |
● Bajas pérdidas de conducción |
● Bloqueo tanto en sentido directo como inverso |
● Adquisición autónoma de energía |
Bloqueo Datos
Símbolo l |
Parámetros |
Condiciones |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
Unidad |
V DRM |
Voltado máximo de apagado repetitivo |
Unidad de puerta activada ,T Vj =90℃,I D ≤I DRM ,t p = 10ms |
- |
- |
8000 |
V |
I DRM |
Corriente repetitiva máxima en estado de bloqueo |
Unidad de puerta activada ,T Vj =90℃,V D ≤V DRM ,t p = 10ms |
- |
- |
300 |
el número de |
V RRM |
Tensión inversa repetitiva de pico en estado de bloqueo |
Unidad de puerta activada ,T Vj =90℃,I Barra ≤I RRM ,t p = 10ms |
- |
- |
8000 |
V |
I RRM |
Corriente inversa repetitiva de pico en estado de bloqueo |
Unidad de puerta activada ,T Vj =90℃,V Barra ≤V RRM ,t p = 10ms |
- |
- |
300 |
el número de |
V GRM |
Tensión inversa repetitiva de pico en la puerta |
/ |
- |
- |
24 |
V |
I D(DC) |
Corriente en estado de bloqueo de CC |
Unidad de puerta activada ,T Vj =90℃,V D (CC )=6450 V |
- |
- |
40 |
el número de |
I R(DC) |
Corriente inversa de CC |
Unidad de puerta activada ,T Vj =90℃,V Barra (CC )=6450 V |
- |
- |
40 |
el número de |
V Ral |
Tensión de avalancha inversa prolongada |
Unidad de puerta activada , T Vj =90℃ ,t p =250 μs/2 500 μs |
- |
- |
8500 |
V |
I Ral |
Corriente de avalancha inversa prolongada |
Unidad de puerta activada , T Vj =90℃ ,t p =250 μs/2 500 μs |
- |
- |
30 |
A |
V Ras |
Tensión de avalancha inversa breve |
Unidad de puerta activada , T Vj =90℃ ,t p= 1,5 μs/50 μs |
- |
- |
8900 |
V |
I Ras |
Corriente de avalancha inversa breve |
Puerta unidad activado, T Vj =90℃ ,t p= 1,5 μs/50 μs |
- |
- |
50 |
A |
d v /dt |
Tasa crítica de aumento de la tensión en estado muerto |
Unidad de puerta activada ,T Vj =90℃,V DM = 6400 V |
- |
- |
4000 |
V/ μs |
EN
