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Módulo IGBT 1700V

Módulo IGBT 1700V

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GD600HFX170C6S,Módulo IGBT,STARPOWER

Módulo IGBT,1700V 600A

Brand:
El sistema de energía
Spu:
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las
  • Introducción
  • Esquema
Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1700V 600A.

Características

  • Tecnología IGBT de trinchera con baja VCE (sat)
  • capacidad de cortocircuito de 10 μs
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Temperatura máxima de unión 175oC
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Base de cobre aislada con tecnología DBC

Típico Aplicaciones

  • Inversores para motor de transmisión
  • Con un volumen de carga de más de 300 W
  • Suministro de energía ininterrumpible

En absoluto Máximo Calificaciones T C =25o C a menos que de otro modo anotado

El IGBT

El símbolo

Descripción

Valor

Unidad

V El CES

Voltagem del colector-emittente

1700

V

V El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

V

I C

El colector Actual @ T C =25o C

@ T C = 100o C

1069

600

A

I Cm

Pulsado El colector Actual t p =1ms

1200

A

P D

Máximo Potencia Disipación @ T j =175o C

4166

A

Diodo

El símbolo

Descripción

Valor

Unidad

V RRM

Voltado inverso de pico repetitivo

1700

V

I F

Diodo de corriente continua hacia adelante

600

A

I - ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms

1200

A

Módulo

El símbolo

Descripción

Valor

Unidad

T jmax

Temperatura máxima de unión naturaleza

175

o C

T el juego

Temperatura de funcionamiento de las uniones

-40 a +150

o C

T El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

o C

V ISO

El aislamiento Voltaje RMS ,f=50 HZ ,t=1 mínimo

4000

V

El IGBT Características T C =25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetros

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

V CE (sat )

Recolector al emisor

Voltagem de saturación

I C =600A, V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =25o C

1.85

2.20

V

I C =600A, V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =125o C

2.25

I C =600A, V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =150o C

2.35

V El sector de la energía (th)

Umbral de emisor de puertas Voltaje

I C = 12.0el número de ,V CE =V El sector de la energía ,T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

I El CES

Corte de Colector

Actual

V CE =V El CES ,V El sector de la energía =0V,

T j =25o C

5.0

el número de

I El GES

Fugas de los emisores de puertas Actual

V El sector de la energía =V El GES ,V CE =0V,

T j =25o C

400

nA

Barra El ginto

Resistencia de la puerta interna

1.1

ω

C ies

Capacidad de entrada

V CE =25V,f=1 MHz ,

V El sector de la energía el valor de la energía de la corriente

72.3

nF (número de trabajo)

C res

Transferencia inversa

Capacidad

1.75

nF (número de trabajo)

¿Qué es? G

Cargo por puerta

V El sector de la energía =- 15...+15V

5.66

el valor de la concentración

t d (en )

Tiempo de retraso de encendido

V CC =900V, I C =600A, Barra G = 1.0Ω, V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =25o C

160

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

67

el Consejo

t d (off )

Apagado Tiempo de retraso

527

el Consejo

t f

Tiempo de caída

138

el Consejo

E en

Enciende Conmutación

Pérdida

154

mJ

E off

Cambiar el encendido

Pérdida

132

mJ

t d (en )

Tiempo de retraso de encendido

V CC =900V, I C =600A, Barra G = 1.0Ω, V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j = 125o C

168

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

80

el Consejo

t d (off )

Apagado Tiempo de retraso

585

el Consejo

t f

Tiempo de caída

168

el Consejo

E en

Enciende Conmutación

Pérdida

236

mJ

E off

Cambiar el encendido

Pérdida

189

mJ

t d (en )

Tiempo de retraso de encendido

V CC =900V, I C =600A, Barra G = 1.0Ω, V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j = 150o C

192

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

80

el Consejo

t d (off )

Apagado Tiempo de retraso

624

el Consejo

t f

Tiempo de caída

198

el Consejo

E en

Enciende Conmutación

Pérdida

259

mJ

E off

Cambiar el encendido

Pérdida

195

mJ

I SC

Datos de la SC

t P ≤10μs, V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

T j =150o C ,V CC = de una potencia de 1000 V, V El CEM no más de 700 V

2400

A

Diodo Características T C =25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetros

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

V F

Diodo hacia adelante

Voltaje

I F =600A, V El sector de la energía =0V, T j =25o C

1.80

2.25

V

I F =600A, V El sector de la energía =0V, T j = 125o C

1.90

I F =600A, V El sector de la energía =0V, T j = 150o C

1.95

¿Qué es? barra

Cargo recuperado

V Barra =900V, I F =600A,

-di /dt =6700A/μs, V El sector de la energía =- 15V T j =25o C

153

el valor de la concentración

I RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

592

A

E reconocimiento

Recuperación inversa Energía

76.5

mJ

¿Qué es? barra

Cargo recuperado

V Barra =900V, I F =600A,

-di /dt =6700A/μs, V El sector de la energía =- 15V T j =125o C

275

el valor de la concentración

I RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

673

A

E reconocimiento

Recuperación inversa Energía

150

mJ

¿Qué es? barra

Cargo recuperado

V Barra =900V, I F =600A,

-di /dt =6700A/μs, V El sector de la energía =- 15V T j =150o C

299

el valor de la concentración

I RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

690

A

E reconocimiento

Recuperación inversa Energía

173

mJ

NTC Características T C =25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetros

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

Barra 25

Resistencia nominal

5.0

δR/R

Desviación de Barra 100

T C = 100 o C ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Potencia

Disipación

20.0

mW

B 25/50

¿ Qué es eso? valor

Barra 2=R 25exp [B 25/501/T 2-

¿Qué es lo que se está haciendo?

3375

K

B 25/80

¿ Qué es eso? valor

Barra 2=R 25exp [B 25/801/T 2-

¿Qué es lo que se está haciendo?

3411

K

B 25/100

¿ Qué es eso? valor

Barra 2=R 25exp [B 25/1001/T 2-

¿Qué es lo que se está haciendo?

3433

K

Módulo Características T C =25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetros

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

L CE

Inductividad de alejamiento

20

nH

Barra CC ’+EE

Resistencia de conexión del módulo, Terminal al chip

1.10

Barra el JC

Unión -a -Caso (por El IGBT )

Unión -a -Caso (por Diodo )

0.036

0.073

El número de unidades

Barra el CH

Caso -a -Disipador de calor (por El IGBT )

Caso -a -Disipador de calor (por Diodo )

En caso de que el sistema de refrigeración de la caja esté equipado con un sistema de refrigeración de la caja, el sistema de refrigeración de la caja deberá utilizarse para la instalación de los sistemas de refrigeración de la caja.

0.027

0.055

0.009

El número de unidades

M

El par de conexión de la terminal, Tornillo M6 Montaje Par , Tornillo M 5

3.0

3.0

6.0

6.0

Nuevo Méjico

G

PESO DE Módulo

350

g

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