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Módulo IGBT 1700V

Módulo IGBT 1700V

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GD600HFX170C6S,Módulo IGBT,STARPOWER

Módulo IGBT,1700V 600A

Brand:
El sistema de energía
Spu:
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las
  • Introducción
  • Esquema
Introducción

Introducción breve

Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1700V 600A.

Características

  • Tecnología IGBT de trinchera con baja VCE (sat)
  • capacidad de cortocircuito de 10 μs
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Temperatura máxima de unión 175oC
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Base de cobre aislada con tecnología DBC

Típico Aplicaciones

  • Inversores para motor de transmisión
  • Con un volumen de carga de más de 300 W
  • Suministro de energía ininterrumpible

En absoluto Máximo Calificaciones T C=25a C a menos que de otro modo anotado

El IGBT

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

Unidad

V El CES

Voltagem del colector-emittente

1700

V

V El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

V

Yo C

El colector Actual @ T C=25a C

@ T C= 100a C

1069

600

R

Yo Cm

Pulsado El colector Actual t p =1ms

1200

R

PG

Máximo Potencia Disipación @ T j =175a C

4166

R

Diodo

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

Unidad

V RRM

Voltado inverso de pico repetitivo

1700

V

Yo F

Diodo de corriente continua hacia adelante

600

R

Yo - ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms

1200

R

Módulo

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

Unidad

T jmax

Temperatura máxima de unión naturaleza

175

a C

T el juego

Temperatura de funcionamiento de las uniones

-40 a +150

a C

T El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

a C

V ISO

El aislamiento Tensión RMS ,f=50 HZ ,t=1 mIN

4000

V

El IGBT Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

V CE (sat )

Recolector al emisor

Voltagem de saturación

Yo C=600A, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =25a C

1.85

2.20

V

Yo C=600A, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =125a C

2.25

Yo C=600A, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =150a C

2.35

V GE (th)

Umbral de emisor de puertas Tensión

Yo C= 12.0el número de ,V CE =V GE ,T j =25a C

5.6

6.2

6.8

V

Yo El CES

Corte de Colector

Actual

V CE =V El CES ,V GE =0V,

T j =25a C

5.0

el número de

Yo El GES

Fugas de los emisores de puertas Actual

V GE =V El GES ,V CE =0V,

T j =25a C

400

nA

Barra El ginto

Resistencia de la puerta interna

1.1

ω

Cies

Capacidad de entrada

V CE =25V,f=1 MHz ,

V GE el valor de la energía de la corriente

72.3

nF (número de trabajo)

Cres

Transferencia inversa

Capacidad

1.75

nF (número de trabajo)

PG

Cargo por puerta

V GE =- 15...+15V

5.66

el valor de la concentración

t g (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC =900V, Yo C=600A, Barra G= 1.0Ω, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =25a C

160

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

67

el Consejo

t g (off )

Apagado Tiempo de retraso

527

el Consejo

t f

Tiempo de caída

138

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio

Pérdida

154

mJ

Eoff

Cambiar el encendido

Pérdida

132

mJ

t g (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC =900V, Yo C=600A, Barra G= 1.0Ω, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j = 125a C

168

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

80

el Consejo

t g (off )

Apagado Tiempo de retraso

585

el Consejo

t f

Tiempo de caída

168

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio

Pérdida

236

mJ

Eoff

Cambiar el encendido

Pérdida

189

mJ

t g (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC =900V, Yo C=600A, Barra G= 1.0Ω, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j = 150a C

192

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

80

el Consejo

t g (off )

Apagado Tiempo de retraso

624

el Consejo

t f

Tiempo de caída

198

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio

Pérdida

259

mJ

Eoff

Cambiar el encendido

Pérdida

195

mJ

Yo SC

Datos de la SC

t P≤10μs, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

T j =150a C,V CC = de una potencia de 1000 V, V El CEM no más de 700 V

2400

R

Diodo Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

V F

Diodo hacia adelante

Tensión

Yo F =600A, V GE =0V, T j =25a C

1.80

2.25

V

Yo F =600A, V GE =0V, T j = 125a C

1.90

Yo F =600A, V GE =0V, T j = 150a C

1.95

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra =900V, Yo F =600A,

-di /dt =6700A/μs, V GE =- 15V T j =25a C

153

el valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

592

R

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

76.5

mJ

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra =900V, Yo F =600A,

-di /dt =6700A/μs, V GE =- 15V T j =125a C

275

el valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

673

R

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

150

mJ

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra =900V, Yo F =600A,

-di /dt =6700A/μs, V GE =- 15V T j =150a C

299

el valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

690

R

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

173

mJ

NTC Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

Barra 25

Resistencia nominal

5.0

δR/R

Desviación de Barra 100

T C= 100 a C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Potencia

Disipación

20.0

mW

B 25/50

¿ Qué es eso? valor

Barra 2=R 25exp [B 25/501/T 2-

¿Qué es lo que se está haciendo?

3375

K

B 25/80

¿ Qué es eso? valor

Barra 2=R 25exp [B 25/801/T 2-

¿Qué es lo que se está haciendo?

3411

K

B 25/100

¿ Qué es eso? valor

Barra 2=R 25exp [B 25/1001/T 2-

¿Qué es lo que se está haciendo?

3433

K

Módulo Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

CCE

Inductividad de alejamiento

20

nH

Barra CC ’+EE

Resistencia de conexión del módulo, Terminal al chip

1.10

Barra el JC

Unión -a -Caso (por El IGBT )

Unión -a -Caso (por Diodo )

0.036

0.073

El número de unidades

Barra el CH

Caso -a -Disipador de calor (por El IGBT )

Caso -a -Disipador de calor (por Diodo )

En caso de que el sistema de refrigeración de la caja esté equipado con un sistema de refrigeración de la caja, el sistema de refrigeración de la caja deberá utilizarse para la instalación de los sistemas de refrigeración de la caja.

0.027

0.055

0.009

El número de unidades

M

El par de conexión de la terminal, Tornillo M6 Montaje Par , Tornillo M5

3.0

3.0

6.0

6.0

Nuevo Méjico

G

PESO DE Módulo

350

g

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