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Módulo IGBT 1700V

Módulo IGBT 1700V

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GD600HFX170C6S,Módulo IGBT,STARPOWER

Módulo IGBT,1700V 600A

Brand:
El sistema de energía
Spu:
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las
  • Introducción
  • Esquema
Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1700V 600A.

Características

  • Tecnología IGBT de trinchera con baja VCE (sat)
  • capacidad de cortocircuito de 10 μs
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Temperatura máxima de unión 175oC
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Base de cobre aislada con tecnología DBC

Típico Aplicaciones

  • Inversores para motor de transmisión
  • Con un volumen de carga de más de 300 W
  • Suministro de energía ininterrumpible

En absoluto Máximo Calificaciones El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado

El IGBT

El símbolo

Descripción

Valor

UNIDAD

V El CES

Voltagem del colector-emittente

1700

V

V El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

V

I Do

El colector Corriente @ El Do =25o Do

@ El Do = 100o Do

1069

600

A

I Cm

Pulsado El colector Corriente el p =1ms

1200

A

P D

Máximo Fuerza Disipación @ El j =175o Do

4166

W

Diodo

El símbolo

Descripción

Valor

UNIDAD

V RRM

Voltado inverso de pico repetitivo

1700

V

I F

Diodo de corriente continua hacia adelante

600

A

I - ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms

1200

A

Módulo

El símbolo

Descripción

Valor

UNIDAD

El jmax

Temperatura máxima de unión naturaleza

175

o Do

El el juego

Temperatura de funcionamiento de las uniones

-40 a +150

o Do

El El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

o Do

V ISO

El aislamiento Voltaje RMS ,f=50 HZ ,t=1 mínimo

4000

V

El IGBT Características El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

V CE (sat )

Recolector al emisor

Voltagem de saturación

I Do =600A, V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j =25o Do

1.85

2.20

V

I Do =600A, V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j =125o Do

2.25

I Do =600A, V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j =150o Do

2.35

V El sector de la energía (th )

Umbral de emisor de puertas Voltaje

I Do = 12.0el número de ,V CE =V El sector de la energía ,El j =25o Do

5.6

6.2

6.8

V

I El CES

Corte de Colector

Corriente

V CE =V El CES ,V El sector de la energía =0V,

El j =25o Do

5.0

el número de

I El GES

Fugas de los emisores de puertas Corriente

V El sector de la energía =V El GES ,V CE =0V,

El j =25o Do

400

nA

R El ginto

Resistencia de la puerta interna

1.1

ω

Do ies

Capacidad de entrada

V CE =25V,f=1 MHz ,

V El sector de la energía el valor de la energía de la corriente

72.3

nF (número de trabajo)

Do res

Transferencia inversa

Capacidad

1.75

nF (número de trabajo)

¿Qué es? GRAMO

Cargo por puerta

V El sector de la energía =- 15...+15V

5.66

el valor de la concentración

el d (on )

Tiempo de retraso de encendido

V CC =900V, I Do =600A, R GRAMO = 1.0Ω, V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j =25o Do

160

el Consejo

el r

Tiempo de ascenso

67

el Consejo

el d (off )

Apagado Tiempo de retraso

527

el Consejo

el f

Tiempo de caída

138

el Consejo

Mi on

Enciende Conmutación

Pérdida

154

mJ

Mi off

Cambiar el encendido

Pérdida

132

mJ

el d (on )

Tiempo de retraso de encendido

V CC =900V, I Do =600A, R GRAMO = 1.0Ω, V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j = 125o Do

168

el Consejo

el r

Tiempo de ascenso

80

el Consejo

el d (off )

Apagado Tiempo de retraso

585

el Consejo

el f

Tiempo de caída

168

el Consejo

Mi on

Enciende Conmutación

Pérdida

236

mJ

Mi off

Cambiar el encendido

Pérdida

189

mJ

el d (on )

Tiempo de retraso de encendido

V CC =900V, I Do =600A, R GRAMO = 1.0Ω, V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j = 150o Do

192

el Consejo

el r

Tiempo de ascenso

80

el Consejo

el d (off )

Apagado Tiempo de retraso

624

el Consejo

el f

Tiempo de caída

198

el Consejo

Mi on

Enciende Conmutación

Pérdida

259

mJ

Mi off

Cambiar el encendido

Pérdida

195

mJ

I SC

Datos de la SC

el P ≤10μs, V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

El j =150o Do ,V CC = de una potencia de 1000 V, V El CEM no más de 700 V

2400

A

Diodo Características El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

V F

Diodo hacia adelante

Voltaje

I F =600A, V El sector de la energía =0V, El j =25o Do

1.80

2.25

V

I F =600A, V El sector de la energía =0V, El j = 125o Do

1.90

I F =600A, V El sector de la energía =0V, El j = 150o Do

1.95

¿Qué es? r

Cargo recuperado

V R =900V, I F =600A,

-di /dt =6700A/μs, V El sector de la energía =- 15V El j =25o Do

153

el valor de la concentración

I RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

592

A

Mi reconocimiento

Recuperación inversa Energía

76.5

mJ

¿Qué es? r

Cargo recuperado

V R =900V, I F =600A,

-di /dt =6700A/μs, V El sector de la energía =- 15V El j =125o Do

275

el valor de la concentración

I RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

673

A

Mi reconocimiento

Recuperación inversa Energía

150

mJ

¿Qué es? r

Cargo recuperado

V R =900V, I F =600A,

-di /dt =6700A/μs, V El sector de la energía =- 15V El j =150o Do

299

el valor de la concentración

I RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

690

A

Mi reconocimiento

Recuperación inversa Energía

173

mJ

NTC Características El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

R 25

Resistencia nominal

5.0

δR/R

Desviación de R 100

El Do = 100 o Do ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Fuerza

Disipación

20.0

mW

B 25/50

¿ Qué es eso? valor

R 2=R 25exp [B 25/501/T 2-

¿Qué es lo que se está haciendo?

3375

K

B 25/80

¿ Qué es eso? valor

R 2=R 25exp [B 25/801/T 2-

¿Qué es lo que se está haciendo?

3411

K

B 25/100

¿ Qué es eso? valor

R 2=R 25exp [B 25/1001/T 2-

¿Qué es lo que se está haciendo?

3433

K

Módulo Características El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

L CE

Inductividad de alejamiento

20

nH

R CC ’+EE

Resistencia de conexión del módulo, Terminal al chip

1.10

R el JC

Unión -a -Caso (por El IGBT )

Unión -a -Caso (por Diodo )

0.036

0.073

El número de unidades

R el CH

Caso -a -Disipador de calor (por El IGBT )

Caso -a -Disipador de calor (por Diodo )

En caso de que el sistema de refrigeración de la caja esté equipado con un sistema de refrigeración de la caja, el sistema de refrigeración de la caja deberá utilizarse para la instalación de los sistemas de refrigeración de la caja.

0.027

0.055

0.009

El número de unidades

METRO

El par de conexión de la terminal, Tornillo M6 y M6 Montaje Par , Tornillo METRO 5

3.0

3.0

6.0

6.0

Nuevo Méjico

GRAMO

Peso de Módulo

350

gRAMO

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