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IGCT asimétrico (A-IGCT)

IGCT asimétrico (A-IGCT)

Página de inicio /  Productos /  Módulo Igct /  IGCT asimétrico (A-IGCT)

YT-ASC80Y6500IC#, IGCT asimétrico Plus

6500 V, 8000 A, unidad de accionamiento de compuerta integrada

Brand:
YT
Spu:
YT-ASC80Y6500IC#
Appurtenance:

Folleto del producto:Descargar

  • Introducción
  • Esquema
Introducción

YT-ASC80Y6500IC#

Aplicaciones

  • Convertidor modular multinivel
  • Compensador estático de potencia reactiva
  • Convertidor de Alta Potencia

Características

  • Alta corriente de resistencia
  • Capacidad de arranque en negro
  • Modo de cortocircuito por fallo

Clave Parámetros

V DRM

6500

V

I TGQM

8000

A

I TSM

48.2

kA

V A

1.24

V

barra T

0.22

V DClink

4000

V

Bloqueo Datos

S sÍMBOLO

Condiciones

M en

Typ

M ax

Unidad

V DRM

T VJ = 125 , I D I DRM, t p = 10 ms

-

-

6500

V

I DRM

T VJ = 125 , V D= V DRM, t p = 10 ms

-

-

150

el número de

dv/dt

T VJ = 125 , V D = 0,67 V DRM

1000

V/ μs

V DClink

Tensión intermedia de corriente continua permitida para una tasa de fallos de 100 FIT

-

-

4000

V

V RRM

/

-

-

20

V

Estado de encendido Datos

El símbolo

Condiciones

Mínimo

Typ

Máx.

Unidad

IT(RMS)

T C = 85 ℃, senoidal de media onda, refrigeración bilateral

-

-

4290

A

I TSM

I 2t

T Vj = 125 ℃, senoidal de media onda, 10 ms, V D = V Barra =0

-

-

-

-

48.2

1162

kA

104A 2s

V TM

T Vj = 125 ℃, I T = 4000 A

-

2.52

-

V

V A

barra T

T Vj = 125 ℃,

I T = 1000…4000 A

-

-

1.24

0.22

-

-

V mΩ

Enciende Datos

S sÍMBOLO

Condiciones

M en

Typ

M ax

Unidad

d i T /dt

TVJ = 125 , IT = 4000 A, VD = 4000 V, f = 0…500 Hz

-

-

1000

A/ μs

t don

t donSF

t barra

E en

T Vj = 125 , I T = 4000 A, V D = 4000 V, d i /dt = V D/ L i , C CL = 20 μF,

L i = 3 μH, L CL = 0.3μH

-

-

-

-

-

-

-

-

5

8

1.5

1.5

μs

μs

μs

J

Datos de apagado

S sÍMBOLO

Condiciones

M en

Typ

M ax

Unidad

I TGQM

T VJ = 125 , V DM V DRM, V D = 4000 V, L CL = 0.3μH, C CL = 20 μF, Barra S = 0,5 Ω

-

-

8000

A

t doff

t doffSF

t f

E off

T Vj = 125 , I TGQ = 8000 A, V D = 4000 V, V DM V DRM, C CL = 20 μF, Barra S = 4 ω ,

L i = 2 μH, L CL = 0.3μH

-

-

-

-

-

-

-

84

10

10

1

-

μs

μs

μs

J

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