IGCT asimétrico (A-IGCT)

YT-ASC80Y6500IC#, IGCT asimétrico Plus

6500 V, 8000 A, unidad de accionamiento de compuerta integrada

Brand:

Spu:

YT-ASC80Y6500IC#

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Introducción
Esquema

Introducción

YT-ASC80Y6500IC#

Aplicaciones

Convertidor modular multinivel
Compensador estático de potencia reactiva
Convertidor de Alta Potencia

Características

Alta corriente de resistencia
Capacidad de arranque en negro
Modo de cortocircuito por fallo

Clave Parámetros

V _DRM	6500	V
I_TGQM	8000	A
I_TSM	48.2	kA
V A	1.24	V
barra _T	0.22	mΩ
V _DClink	4000	V

Bloqueo Datos

S sÍMBOLO	Condiciones	Men	Typ	Max	Unidad
V _DRM	T VJ = 125 ℃,ID≤IDRM, t p = 10 ms	-	-	6500	V
I_DRM	T VJ = 125 ℃,V D= V DRM, t p = 10 ms	-	-	150	el número de
dv/dt	T VJ = 125 ℃,V D = 0,67 V DRM			1000	V/ μs
V _DClink	Tensión intermedia de corriente continua permitida para una tasa de fallos de 100 FIT	-	-	4000	V
V _RRM	/	-	-	20	V

Estado de encendido Datos

El símbolo	Condiciones	MIN	Typ	Máx.	Unidad
IT(RMS)	TC = 85 ℃, onda senoidal de media onda, refrigeración bilateral	-	-	4290	A
ITSM El 1 de enero	TVJ = 125 ℃, onda senoidal de media onda, 10 ms, VD = VR = 0	- -	- -	48.2 1162	kA 104A2s
VTM	TVJ = 125 ℃, IT = 4000 A	-	2.52	-	V
VTO	TVJ = 125 ℃,	-	1.24	-
rT	IT = 1000…4000 A	-	0.22		V mΩ

Enciende Datos

El símbolo

Condiciones

Men

Typ

Max

Unidad

diT/dt

TVJ = 125 ℃, IT = 4000 A, VD = 4000 V, f = 0…500 Hz

1000

A/ μs

tdon

tdonSF

t r

E on

TVJ = 125 ℃, IT = 4000 A, VD = 4000 V, di/dt = VD/Li, CCL = 20 μF,

Li = 3 μH, LCL = 0,3 μH

1.5

μs

Datos de apagado

S sÍMBOLO

Condiciones

Men

Typ

Max

Unidad

I_TGQM

T VJ = 125 ℃,V DM ≤ V DRM, V D = 4000 V, L CL = 0.3μH, C CL = 20 μF, Barra S = 0,5 Ω

8000

t _doff

t _doffSF

t _f

E _off

T Vj = 125℃,ITGQ = 8000 A, V D = 4000 V, V DM ≤ V DRM, C CL = 20 μF, Barra S = 4 ω ,

L i = 2 μH, L CL = 0.3μH

μs

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