Módulo IGBT 1700V

YMIBD800-17,Módulo IGBT,IGBT de doble interruptor,CRRC

YMIBD800-17,Módulo IGBT,IGBT de doble interruptor,CRRC

1700V 800A

Brand:

El CRRC

Spu:

YMIBD800-17 / TIM800DDM17-PSA011

Introducción
Esquema

Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT ,módulos IGBT de interruptor único producidos por CRRC. 1700V 1200A.

Clave Parámetros

V El CES	1700		V
V CE (sat )	(Tipo)	2.30	V
Yo C	(máx)	800	A. El
Yo C(RM)	(máx)	1600	A. El

Típico Aplicaciones

Las unidades de tracción
Controladores de motor
Viento Poder
Alto Fiabilidad El invertidor

Características

AlSiC Base
AIN Sustratos
Alto Térmico Ciclismo Capacidad
10μ s Es corto. CIRCUITO Resista.
Bajo V cE (sat ) dispositivo
Alto corriente densidad

En absoluto Máximo Calificación

(Simbolo)	(Parámetro)	(Condiciones de ensayo)	(valor)	(Unidad)
VCES	Voltagem del colector-emittente	V GE = 0V, TC= 25 。C	1700	V
V GES	Voltagem del emisor de la puerta	TC= 25 。C	± 20	V
El	Corriente colector-emitente	TC = 80 。C	800	A. El
I C ((PK)	Corriente máxima del colector	t P=1ms	1600	A. El
P máximo	Disposición máxima de energía del transistor	Tvj = 150 。C, TC = 25 。C	6.94	kw
El 2t	Diodo I 2t	VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 125 。C	120	kA2s
El visol	Voltado de aislamiento por módulo	( Terminales comunes a la placa base), AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25 。C	4000	V
Q PD	Descarga parcial por módulo	IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25 。C	10	pC

Características eléctricas

(El símbolo )	(Parámetro )	(Condiciones de ensayo)	(Mín )	(Typ )	(Máx )	(Unidad )
I CES	Corriente de corte del colector	V GE = 0V,VCE = VCES			1	el número de
I CES	Corriente de corte del colector	V GE = 0V, VCE = VCES , TC=125 ° C			25	el número de
I GES	Corriente de fuga de la puerta	V GE = ±20V, VCE = 0V			4	mA
V GE (TH)	Voltagem de umbral de la puerta	I C = 40mA, V GE = VCE	5.00	5.70	6.50	V
VCE (sat) ((*1)	Tensión de saturación colector-emisor	V GE =15V, I C = 800A		2.30	2.60	V
VCE (sat) ((*1)	Tensión de saturación colector-emisor	V GE =15V, I C = 800A,Tvj = 125 ° C		2.80	3.10	V
I F	Corriente de diodo hacia adelante	直流 CC			800	A. El
I FRM	Corriente máxima directa del diodo	t P = 1ms			1600	A. El
VF(*1)	Voltado del diodo hacia adelante	I F = 800A		1.70	2.00	V
VF(*1)	Voltado del diodo hacia adelante	I F = 800A, Tvj = 125 ° C		1.80	2.10	V
C ies	Capacidad de entrada	VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz		60		nF (número de trabajo)
Q g	Cargo por puerta	± 15 V		9		el valor de la concentración
C res	Capacidad de transferencia inversa	VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz		-		nF (número de trabajo)
L M	Inductancia del módulo			20		nH
R INT	Resistencia interna del transistor			270		el valor de la carga
I SC	Corriente de cortocircuito, ISC	Tvj = 125° C, VCC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs, VCE(máx) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9		3700		A. El
el número de teléfono	Tiempo de retraso de apagado	I C =800A VCE =900V L ~ 100nH V GE = ±15V RG(ON) = 2.2Ω RG(OFF)= 2.2Ω		890		el Consejo
el	Tiempo de caída			220		el Consejo
E OFF	Pérdida de energía de apagado			220		mJ
en el momento en que se inicia	Tiempo de retraso de encendido			320		el Consejo
t r	Tiempo de ascenso			190		el Consejo
El EON	Pérdida de energía por encendido			160		mJ
Q rr	Carga de recuperación inversa del diodo	I F = 800A VCE = 900V diF/dt =4000A/us		260		el valor de la concentración
El	Corriente de recuperación inversa del diodo			510		A. El
E rec	Energía de recuperación inversa del diodo			180		mJ
el número de teléfono	Tiempo de retraso de apagado	I C =800A VCE =900V L ~ 100nH V GE = ±15V RG(ON) = 2.2Ω RG(OFF)= 2.2Ω		980		el Consejo
el	Tiempo de caída			280		el Consejo
E OFF	Pérdida de energía de apagado			290		mJ
en el momento en que se inicia	Tiempo de retraso de encendido			400		el Consejo
t r	Tiempo de ascenso			250		el Consejo
El EON	Pérdida de energía por encendido			230		mJ
Q rr	Carga de recuperación inversa del diodo	I F = 800A VCE = 900V diF/dt =4000A/us		420		el valor de la concentración
El	Corriente de recuperación inversa del diodo			580		A. El
E rec	Energía de recuperación inversa del diodo			280		mJ