(El símbolo ) |
(Parámetro ) |
(Condiciones de ensayo) |
(Mín ) |
(Typ ) |
(Máx ) |
(Unidad ) |
|
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I CES
|
Corriente de corte del colector |
V GE = 0V,VCE = VCES |
|
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1 |
el número de |
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V GE = 0V, VCE = VCES , TC=125 ° C |
|
|
25 |
el número de |
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I GES |
Corriente de fuga de la puerta |
V GE = ±20V, VCE = 0V |
|
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4 |
mA |
|
V GE (TH) |
Voltagem de umbral de la puerta |
I C = 40mA, V GE = VCE |
5.00 |
5.70 |
6.50 |
V |
|
|
VCE (sat) ((*1)
|
Tensión de saturación colector-emisor |
V GE =15V, I C = 800A |
|
2.30 |
2.60 |
V |
|
V GE =15V, I C = 800A,Tvj = 125 ° C |
|
2.80 |
3.10 |
V |
|
I F |
Corriente de diodo hacia adelante |
直流 CC |
|
|
800 |
A |
|
I FRM |
Corriente máxima directa del diodo |
t P = 1ms |
|
|
1600 |
A |
|
|
VF(*1)
|
Voltado del diodo hacia adelante |
I F = 800A |
|
1.70 |
2.00 |
V |
|
I F = 800A, Tvj = 125 ° C |
|
1.80 |
2.10 |
V |
|
C ies |
Capacidad de entrada |
VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz |
|
60 |
|
nF (número de trabajo) |
|
Q g |
Cargo por puerta |
± 15 V |
|
9 |
|
el valor de la concentración |
|
C res |
Capacidad de transferencia inversa |
VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz |
|
-
|
|
nF (número de trabajo) |
|
L M |
Inductancia del módulo |
|
|
20 |
|
nH |
|
R INT |
Resistencia interna del transistor |
|
|
270 |
|
el valor de la carga |
|
|
I SC
|
Corriente de cortocircuito, ISC |
Tvj = 125° C, VCC = 1000V,
V GE ≤15V, tp ≤10μs,
VCE(máx) = VCES – L (*2)×di/dt,
IEC 6074-9
|
|
3700
|
|
A
|
|
el número de teléfono |
Tiempo de retraso de apagado |
I C =800A
VCE =900V
L ~ 100nH
V GE = ±15V
RG(ON) = 2.2Ω
RG(OFF)= 2.2Ω
|
|
890 |
|
el Consejo |
el |
Tiempo de caída |
|
220 |
|
el Consejo |
E OFF |
Pérdida de energía de apagado |
|
220 |
|
mJ |
en el momento en que se inicia |
Tiempo de retraso de encendido |
|
320 |
|
el Consejo |
t r |
Tiempo de ascenso |
|
190 |
|
el Consejo |
El EON |
Pérdida de energía por encendido |
|
160 |
|
mJ |
Q rr |
Carga de recuperación inversa del diodo |
I F = 800A
VCE = 900V
diF/dt =4000A/us
|
|
260 |
|
el valor de la concentración |
El |
Corriente de recuperación inversa del diodo |
|
510 |
|
A |
E rec |
Energía de recuperación inversa del diodo |
|
180 |
|
mJ |
el número de teléfono |
Tiempo de retraso de apagado |
I C =800A
VCE =900V
L ~ 100nH
V GE = ±15V
RG(ON) = 2.2Ω
RG(OFF)= 2.2Ω
|
|
980 |
|
el Consejo |
el |
Tiempo de caída |
|
280 |
|
el Consejo |
E OFF |
Pérdida de energía de apagado |
|
290 |
|
mJ |
en el momento en que se inicia |
Tiempo de retraso de encendido |
|
400 |
|
el Consejo |
t r |
Tiempo de ascenso |
|
250 |
|
el Consejo |
El EON |
Pérdida de energía por encendido |
|
230 |
|
mJ |
Q rr |
Carga de recuperación inversa del diodo |
I F = 800A
VCE = 900V
diF/dt =4000A/us
|
|
420 |
|
el valor de la concentración |
El |
Corriente de recuperación inversa del diodo |
|
580 |
|
A |
E rec |
Energía de recuperación inversa del diodo |
|
280 |
|
mJ |
EN
