Apagado rápido

Y50KFE, Tiristor de apagado rápido no simétrico

Número de parte Y50KFE-KT50cT

Brand:

TECHSEM

Spu:

Y50KFE-KT50cT

Appurtenance:

Folleto del producto:DESCARGAR

Introducción
Esquema

Introducción

Yo T(AV)	1494A. El
V DRM	1200V~ 20las demás
V RRM	1000V~ 18las demás
t ¿Qué es?	15~ 55μs

Características

Puertas amplificadoras interdigitadas
Encendido rápido y alto di/dt
Bajas pérdidas de conmutación

Aplicaciones típicas

Calentamiento por inducción
Soldadores electrónicos
Inversores auto-conmutados

El símbolo	Características	Condiciones de ensayo			Tj(℃ )	Valor			Unidad
El símbolo	Características	Condiciones de ensayo			Tj(℃ )	Mín	Tipo	Máx	Unidad
IT(AV)	Corriente media en estado de conducción	180° con una frecuencia de onda senoidal media de 50 Hz, doble lado enfriado,		TC=55℃	125			1494	A. El
IT(AV)	Corriente media en estado de conducción			TC=70℃	125			1243	A. El
VDRM	Voltado máximo de apagado repetitivo	tp=10ms			125	1200		2000	V
VIRM	Voltado inverso de pico repetitivo	tp=10ms			125	1000		1800	V
No puedo no puedo	Corriente pico repetitiva	en VDRM en VRRM			125			80	el número de
ITSM	Corriente de sobrecarga en estado de conducción	10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM			125			17	kA
El 1 de enero	I2t para coordinación de fusibles	10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM			125			1445	A2s* 103
VTO	Voltaje de umbral				125			1.57	V
rT	Resistencia de pendiente en estado de conducción				125			0.21	mΩ
VTM	Voltaje pico en estado de conducción	ITM=3000A, F=24kN	15μs≤tq≤28μs		25			2.50	V
VTM	Voltaje pico en estado de conducción	ITM=3000A, F=24kN	29μs≤tq≤55μs		25			2.10	V
dv/dt	Tasa crítica de aumento de la tensión en estado muerto	VDM=0.67VDRM			125			1000	V/μs
di/dt	Tasa crítica de aumento de corriente de estado de encendido	VDM= 67%VDRM a 1600A, Impulso de la puerta tr ≤ 0,5μs IGM= 1,5A			125			1500	A/μs
¿Qué es eso?	Cargo por recuperación	ITM= 1000A,tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V			125		750		el valor de la concentración
tq	Tiempo de apagado conmutado por circuito	ITM= 1000A,tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs ,di/dt=-20A/μs			125	15		55	μs
IGT	Corriente de disparo de puerta	El valor de la energía de la unidad de carga será igual a la unidad de carga de la unidad de carga.			25	40		300	el número de
Vgt.	Voltaje de disparo de puerta					0.9		3.0	V
IH	Corriente de mantenimiento					20		500	el número de
El	Corriente de retención							1000	el número de
VGD	Voltaje de puerta no disparado	VDM=67%VDRM			125			0.3	V
Rth(j-c)	Resistencia térmica unión a carcasa	A 1800 seno, enfriado por ambos lados Fuerza de sujeción 24kN						0.020	。C /W
Rth(c-h)	Resistencia térmica de la caja al disipador de calor							0.005	。C /W
- ¿ Qué?	Fuerza de Montaje					19		26	kN
TVj	Temperatura de unión					-40		125	℃
TSTG	Temperatura almacenada					-40		140	℃
El	Peso						440		g. El
Esquema	KT50cT