Introducción Técnica
Los transistores de efecto de campo (FET) de baja tensión con estructura de zanja (trench) para semiconductores de potencia han evolucionado a partir de los anteriores FET de puerta planar. Estos dispositivos mejoran el canal conductor horizontal al cambiar a un canal conductor vertical, lo que permite reducir aún más el área de la celda unitaria. Al mismo tiempo, se utiliza una capa epitaxial de baja dopación para garantizar una tolerancia suficiente a la tensión; variando la concentración de dopaje y el espesor de dicha capa epitaxial, es posible obtener fácilmente dispositivos con distintas clasificaciones de tensión. Mientras se asegura que la tensión de ruptura del dispositivo cumpla los requisitos exigidos, una importante tendencia de desarrollo en los dispositivos de potencia con estructura de zanja consiste en reducir el tamaño de cada celda unitaria y aumentar su densidad, lo que contribuye a disminuir la resistencia en conducción por unidad de superficie.
Serie de MOSFET de zanja (Trench) para media y baja tensión productos abarcan rangos de tensión desde N/P20 V hasta 100 V. Se emplean distintos esquemas de diseño para satisfacer los requisitos específicos de rendimiento de diversas aplicación campos, garantizando un excelente rendimiento en cada aplicación respectiva.
Ventajas del producto y competitividad
Alta robustez ante avalanchas
Fuerte resistencia al impacto
Serie completa de productos
Principales campos de aplicación
Conversores de corriente continua
Cargadores y adaptadores
Protección de baterías de litio
Accionamientos de motores
Rectificación síncrona
Interruptores de carga
Diagrama esquemático del MOSFET planar
Catálogo de MOSFET
-- MOSFET de zanja
| Número de pieza |
iD(A)
25℃
|
RDS(ON)(mΩ)
(VGS = 10 V) |
RDS(ON)(mΩ)
(VGS = 4,5 V) |
El número de personas que se encuentran en el lugar de trabajo
(Vcs = 10 V) |
El número de personas que se encuentran en el lugar de trabajo
(VGS = 4,5 V) |
VGS
(V) |
VGs(th)
(V) |
Paquete |
| Es el tipo. |
Máx. |
Es el tipo. |
Máx. |
Es el tipo. |
Es el tipo. |
Es el tipo. |
|
Nivel de voltaje ：30V
|
| LNNO3R040WE |
80 |
2.95 |
4 |
4.6 |
6.8 |
54 |
-- |
±20 |
1.0-2.5 |
DFN5*6 |
| LNNO3R050WE |
50 |
4.2 |
5 |
-- |
-- |
33.7 |
-- |
±20 |
1.0-2.0 |
DFN5*6 |
| LNNE03R078WE |
30 |
6.4 |
7.8 |
9.8 |
13 |
18.3 |
-- |
±20 |
1.0-2.0 |
DFN3*3 |
|
|
Nivel de voltaje ：40V
|
| LNC04R050 |
110 |
3.8 |
5 |
4.7 |
6.2 |
66.7 |
-- |
20 |
1.5 |
El número de la autoridad competente |
| LNN04R050 |
80 |
3.8 |
5 |
4.7 |
6.2 |
66.7 |
-- |
20 |
1.5 |
DFN5*6 |
| LNN04R065WE |
55 |
4.8 |
6.5 |
6.8 |
9.5 |
54 |
-- |
±20 |
1.1-2.2 |
DFN5*6 |
| LNC04R075 |
60 |
5.6 |
7.5 |
-- |
-- |
51.2 |
-- |
±20 |
1.5 |
El número de la autoridad competente |
| LNND04R120 |
20 |
7.5 |
12 |
9.5 |
16 |
25 |
-- |
±20 |
1.5 |
DFN5*6 |
|
|
Nivel de voltaje ：60V
|
| LNE06R079 |
90 |
6 |
.5 7 |
.9 7.6 |
9.5 |
69 |
-- |
20 |
1.3 |
TO-263 |
|
|
Nivel de voltaje ：70V
|
| LNG07R085H |
70 |
7.2 |
8.5 |
-- |
-- |
65.4 |
-- |
±20 |
3 |
TO-252 |
| LNE07R085H |
85 |
7.2 |
8.5 |
-- |
-- |
65.4 |
-- |
20 |
3 |
TO-263 |
Preguntas frecuentes
¿Qué es? : Soy fabricante de equipos eléctricos; ¿cómo puedo elegir sus productos?
A: Elegir el producto adecuado es fundamental para todos los usuarios. Debe indicarme correctamente su campo de aplicación y los parámetros clave del IGBT que necesita. En función de sus requisitos, le recomendaré productos adecuados y le enviaré la hoja de datos del producto para que confirme los parámetros.
P: Soy propietario de una marca; ¿pueden fabricar productos bajo mi marca (OEM)?
A: Sí. Puede elegir el modelo que desee fabricar bajo su marca (OEM) entre toda nuestra gama de productos. Para productos que no figuran en nuestro catálogo, nuestros ingenieros diseñarán soluciones según sus requisitos técnicos.
A continuación, firme el contrato de fabricación.
Puede encargarnos la impresión de su logotipo en su producto, o bien puede realizarla usted mismo. Por supuesto, si desea encargarnos a nuestra empresa la impresión de su logotipo, deberá otorgarnos una carta poder.
P: ¿Cómo garantiza la calidad de sus productos?
A: Nuestra fábrica de producción cuenta con un sistema integral de gestión de la calidad y con un laboratorio de inspección de calidad de primer nivel. Realizamos inspecciones de calidad en los productos semiacabados en puntos clave del proceso productivo y efectuamos una inspección final aleatoria antes del envío. Asimismo, emitimos informes de inspección y certificados de calidad.
P: ¿Cómo garantiza que los productos que suministra son originales y auténticos?
A: (1) Nuestra fábrica firmará una carta de garantía sobre la autenticidad de los productos.
(2) Cada partida de mercancías que exportamos va acompañada de un certificado de origen expedido por la aduana china. s. El
Nos centramos en la aplicación de productos IGBT. Basándonos en la aplicación de los IGBT, hemos ampliado nuestro espectro de productos a la personalización de ensamblajes de potencia de gama alta; al mismo tiempo, nuestra actividad se ha expandido al campo de los productos de control de automatización, incluidos los convertidores ADC/DAC, reguladores LDO, amplificadores de instrumentación, relés electromagnéticos, PhotoMOS y MOSFET.
De este modo, podemos colaborar con los principales fabricantes chinos en nuestros campos de especialización para ofrecer a nuestros clientes productos fiables y rentables.
Fundados sobre los principios de innovación y excelencia, estamos a la vanguardia de las soluciones alternativas y tecnologías en el sector semiconductor.
Nuestra visión es proporcionar soluciones alternativas a nuestros clientes, mejorar el rendimiento costo-eficacia de sus soluciones de aplicación y garantizar la seguridad de su cadena de suministro mediante fabricación en China.
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