Breve introducción:
Módulos IGBT de alta tensión y un solo interruptor producidos por CRRC. 3300V 1200A.
Características
- SPT+chip-set para pérdidas de conmutación ultra bajas
- Baja VCE sat
- Baja potencia de conducción
- Placa base de AlSiC para alta capacidad de ciclo de potencia
- Sustrato de AlN para baja resistencia térmica
Típico aplicación
- Tracción rives
- Cortador DC
- Inversores/convertidores de voltaje medio
- Sistema UPS de voltaje medio
- Sistema de energía eólica
Valores nominales máximos
Parámetro |
El símbolo |
Condiciones |
M en |
M ax |
Unidad |
Voltagem del colector-emittente |
VCES |
VGE=0V,Tvj≥25°C |
|
3300 |
V |
CC corriente de Colector |
CI |
TC =80 °C |
|
1200 |
A |
Corriente máxima del colector |
MIC |
tp =1ms,Tc=80°C |
|
2400 |
A |
Voltaje de puerta-emisor |
VGE |
|
-20 |
20 |
V |
Disipación total de potencia |
Ptot |
TC =25°C, por interruptor(IGBT) |
|
10500 |
W |
Corriente directa DC |
IF |
|
|
1200 |
A |
Corriente directa pico |
El número de personas |
tp = 1 ms |
|
2400 |
A |
Corriente de sobretensión |
El IFSM |
VR = 0 V, Tvj = 125 °C,
tp = 10 ms, half-sinewave
|
|
9000 |
A |
Cortocircuito IGBT SOA |
tPSC |
VCC = 2500 V, VCEM CHIP ≤ 3300V VGE ≤ 15 V, Tvj ≤ 125 °C |
|
10 |
μs |
Voltaje de aislamiento |
El visol |
1 min, f = 50 Hz |
|
10200 |
V |
Temperatura de unión |
TVj |
|
|
150 |
°C |
Temperatura de operación del unión |
¿Qué es eso? |
|
-50 |
125 |
°C |
Temperatura del caso |
Tc |
|
-50 |
125 |
°C |
Temperatura de almacenamiento |
TSTG |
|
-50 |
125 |
°C |
|
Torques de montaje
|
M s |
Base-disipador, tornillos M6 |
4 |
6 |
Nm
|
El número de personas |
Terminales principales, tornillos M8 , |
8 |
10 |
El valor de las emisiones |
Terminales auxiliares, tornillos M6 |
2 |
3 |
Característica IGBT
Parámetro |
El símbolo |
Condiciones |
mín |
typ |
máx |
Unidad |
Voltaje de ruptura colector (- emisor) |
V (BR) CES |
VGE = 0 V, IC= 12 mA, Tvj = 25 °C
|
3300 |
|
|
V
|
Voltaje de saturación colector-emisor |
VCE sat
|
C = 1200 A, VGE= 15 V
|
Tvj=25°C |
|
3.1 |
3.4 |
V |
Tvj=125°C |
|
3.8 |
4.3 |
V |
Corriente de corte del colector |
El CIEM |
VCE = 3300 V, VGE = 0 V
|
Tvj=25°C |
|
|
12 |
el número de |
Tvj=125°C |
|
|
120 |
el número de |
Corriente de fuga de la puerta |
El IGES |
VCE = 0 V, VGE = ± 20 V, Tvj =125 °C
|
-500 |
|
500 |
nA
|
Voltaje de umbral de puerta-emisor |
VGE (h) |
IC =240mA,VCE =VGE,Tvj =25°C |
5.5 |
|
7.5 |
V |
Cargo por puerta |
El número de |
IC =1200 A VCE =1800V VGE = -15V ..15 V |
|
12.1 |
|
el valor de la concentración |
Capacidad de entrada |
Las |
VCE = 25 V, V GE = 0 V, f = 1 MHz, Tvj = 25 °C
|
|
187 |
|
nF (número de trabajo) |
Capacidad de salida |
Coes |
|
11.57 |
|
nF (número de trabajo) |
Capacidad de transferencia inversa |
El Cres |
|
2.22 |
|
nF (número de trabajo) |
Tiempo de retraso de encendido |
en el momento en que se inicia
|
VCC = 1800 V, IC = 1200A,
RG = 3.9Ω ,VGE =±15V
L σ = 280nH, carga inductiva
|
Tvj=25°C |
|
750 |
|
el Consejo |
Tvj=125°C |
|
750 |
|
el Consejo |
Tiempo de ascenso |
tr |
Tvj=25°C |
|
400 |
|
el Consejo |
Tvj=125°C |
|
470 |
|
el Consejo |
Tiempo de retraso de apagado |
el número de teléfono |
Tvj=25°C |
|
1600 |
|
el Consejo |
Tvj=125°C |
|
1800 |
|
el Consejo |
Tiempo de caída |
tF |
Tvj=25°C |
|
1100 |
|
el Consejo |
Tvj=125°C |
|
1200 |
|
el Consejo |
Pérdida de conmutación al encender |
El EON
|
Tvj=25°C |
|
1400 |
|
mJ |
Tvj=125°C |
|
1800 |
|
mJ |
Pérdida de energía de conmutación de apagado |
El número de personas
|
Tvj=25°C |
|
1300 |
|
mJ |
Tvj=125°C |
|
1700 |
|
mJ |
Corriente de cortocircuito |
ISC
|
VCC = 2500 V, VGE = 15V, L σ = 280nH, carga inductiva |
|
5000
|
|
A
|
Característica del diodo
Parámetro |
El símbolo |
Condiciones |
mín |
typ |
máx |
Unidad |
Voltaje de Adelante |
VF
|
IF = 1200 A |
Tvj = 25 °C |
|
2.3 |
2.6 |
V |
Tvj = 125 °C |
|
2.35 |
2.6 |
V |
Corriente de recuperación inversa |
No
|
VCC= 1800 V, IC= 1200 A,
RG=2.3Ω ,VGE=±15V, L σ = 280nH,carga inductiva
|
Tvj = 25 °C |
|
900 |
|
A |
Tvj = 125 °C |
|
1000 |
|
A |
Cargo recuperado |
¿Qué es eso?
|
Tvj = 25 °C |
|
700 |
|
el valor de la concentración |
Tvj = 125 °C |
|
1000 |
|
el valor de la concentración |
Tiempo de recuperación inversa |
trr
|
Tvj = 25 °C |
|
850 |
|
el Consejo |
Tvj = 125 °C |
|
2200 |
|
el Consejo |
Energía de recuperación inversa |
El Erec
|
Tvj = 25 °C |
|
850 |
|
mJ |
Tvj = 125 °C |
|
1300 |
|
mJ |
EN
