符号 (símbolo) El símbolo |
参数名称 (nombre del elemento) Parámetro |
条件
Condiciones de ensayo
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el valor más bajo Mín. |
典型值 (valor típico) Es el tipo. |
máximo valor Máx. |
unidad UNIDAD |
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I El CES
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集电极截止电流 (cuadro de las corrientes eléctricas)
Corriente de corte del colector
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V El sector de la energía = 0V, V CE = V El CES |
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1 |
el número de |
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V El sector de la energía = 0V, V CE = V El CES , El vj = 150 °C |
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40 |
el número de |
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V El sector de la energía = 0V, V CE = V El CES , El vj =175 °C |
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60 |
el número de |
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I El GES |
极漏电流 (极 fuga de energía)
Puerta corriente de fuga
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V El sector de la energía el valor de la presión de escape será igual a: V CE = 0V |
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0.5 |
mA |
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V El sector de la energía (TD) |
puerta -voltaje de umbral del emisor Voltagem de umbral de la puerta |
I Do = 60mA, V El sector de la energía = V CE |
5.1 |
5.7 |
6.3 |
V |
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V CE (sat) (*1)
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集电极 -voltaje de saturación del emisor
Saturación del colector-emittente
voltaje
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V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. I Do = 1800A |
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1.70 |
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V |
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V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. I Do = 1800A, El vj = 150 °C |
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2.10 |
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V |
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V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. I Do = 1800A, El vj = 175 °C |
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2.15 |
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V |
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I F |
corriente continua directa del diodo Corriente de diodo hacia adelante |
CC |
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1800 |
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A |
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I El MFR |
corriente pico repetitiva directa del diodo Diodo corriente hacia adelante pico nt |
el P = 1 ms |
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3600 |
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A |
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V F (*1)
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tensión directa del diodo
Voltado del diodo hacia adelante
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I F = 1800A, V El sector de la energía = 0 |
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1.60 |
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V |
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I F = 1800A, V El sector de la energía = 0, El vj = 150 °C |
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1.75 |
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V |
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I F = 1800A, V El sector de la energía = 0, El vj = 175 °C |
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1.75 |
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V |
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I SC
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corriente de cortocircuito
Cortocircuito corriente
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El vj = 175°C, V CC = de una potencia de 1000 V, V El sector de la energía ≤de una potencia de 15 V, el p ≤10 μs,
V CE(max) = V El CES – L (*2) ×di/dt, IEC 60747-9
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7400
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A
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Do ies |
capacidad de entrada
Capacidad de entrada
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V CE = 25 V, V El sector de la energía = 0V, f = las emisiones de CO2 |
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542 |
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nF (número de trabajo) |
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¿Qué es? gRAMO |
极电荷 (cuadro de las unidades de carga)
Cargo por puerta
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± 15 V |
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23.6 |
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el valor de la concentración |
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Do res |
capacidad de transmisión inversa
Capacidad de transferencia inversa
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V CE = 25 V, V El sector de la energía = 0V, f = las emisiones de CO2 |
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0.28 |
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nF (número de trabajo) |
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L sCE |
inductancia parasita del módulo
Módulo parasita inducta el
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8.4 |
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nH |
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R CC ’+EE ’ |
resistencia de la pista del módulo, terminal -chip METRO pista del módulo resistencia terminal-chip |
por cada conmutación
por conmutador
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0.20 |
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mΩ |
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R El ginto |
resistencia interna de la puerta
Puerta interna resistor
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1 |
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ω |
EN
