TG1800HF17H1-S500,Módulo IGBT,Puente Semi Módulo IGBT,CRRC

符号 (símbolo) El símbolo

参数名称 (nombre del elemento) Parámetro

condiciones de prueba

Condiciones de ensayo

número de valor Valor

unidad Unidad

V El CES

集电极 -voltaje de emisor

Voltagem del colector-emittente

V GE = 0V, T C= 25 °C

1700

V

V El GES

puerta -voltaje de emisor

Voltagem del emisor de la puerta

T C= 25 °C

± 20

V

Yo C

集电极电流 (cuadro de las corrientes eléctricas)

Corriente colector-emitente

T C = 85 °C, T vj máx. = 175°C

1800

R

Yo C(PK)

集电极峰值电流

Corriente máxima del colector

t P=1 ms

3600

R

Pmáx.

pérdida máxima de transistor

Disposición máxima de energía del transistor

T vj = 175°C, T C = 25 °C

9.38

kW

Yo 2t

diodo Yo 2t valor Diodo Yo 2t

V Barra =0V, t P = 10 ms, T vj = 175 °C

551

kA2s

V sólo

绝缘 electricidad (模块 )

El aislamiento tensión -por módulo

短接 todos los terminales, terminales y base de la placa entre la presión eléctrica (Terminal conectado s a placa base), CA RMS,1 min, 50 Hz, T C= 25 °C

4000

V

参数 el número de El símbolo

instrucción

Explicación

valor Valor

unidad Unidad

distancia de escalada

Distancia de creepage

terminal -disipador de calor

Terminal para disipador de calor

36.0

mm

terminal -terminal

Terminal a terminal

28.0

mm

espacio de aislamiento Autorización

terminal -disipador de calor

Terminal para disipador de calor

21.0

mm

terminal -terminal

Terminal a terminal

19.0

mm

índice relativo de trazado por fuga

CTI (Comparative Tracking Index)

400

符号 (símbolo) El símbolo

参数名称 (nombre del elemento) Parámetro

condiciones de prueba

Condiciones de ensayo

el valor más bajo Mín.

典型值 (valor típico) Es el tipo.

máximo valor Máx.

unidad Unidad

Barra el (j-c) El IGBT

El IGBT resistencia térmica de unión a carcasa

Térmica resistencia – El IGBT

16

K / kW

Barra el (j-c) Diodo

resistencia térmica del encapsulado del diodo

Térmica resistencia – Diodo

33

K / kW

Barra el (la) El IGBT

resistencia térmica de contacto (IGBT)

Térmica resistencia –

carcasa a disipador de calor (IGBT)

término de carga 5Nm, pasta térmica 1W/m·K Par de montaje 5Nm,

con montaje grasa 1W/m·K

14

K / kW

Barra el (la) Diodo

resistencia térmica de contacto (Diodo)

Térmica resistencia –

carcasa a disipador de calor (Diodo)

término de carga 5Nm, pasta térmica 1W/m·K Par de montaje 5Nm,

con montaje grasa 1W/m·K

17

K / kW

T vjop

trabajo frío

Unión operativa temperatura

El IGBT chip ( El IGBT )

-40

150

°C

chip de diodo ( Diodo )

-40

150

°C

T el GST

temperatura de almacenamiento

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40

150

°C

M

término de carga

Par de tornillo

para fijación de instalación – M5 Montaje – M5

3

6

Nm

para interconexión de circuitos – M4

Conexiones eléctricas – M4

1.8

2.1

Nm

para interconexión de circuitos – M8

Conexiones eléctricas – M8

8

10

Nm

符号 (símbolo) El símbolo

参数名称 (nombre del elemento) Parámetro

condiciones de prueba

Condiciones de ensayo

el valor más bajo Mín.

典型值 (valor típico) Es el tipo.

máximo valor Máx.

unidad Unidad

Barra el (j-c) El IGBT

El IGBT resistencia térmica de unión a carcasa

Térmica resistencia – El IGBT

16

K / kW

Barra el (j-c) Diodo

resistencia térmica del encapsulado del diodo

Térmica resistencia – Diodo

33

K / kW

Barra el (la) El IGBT

resistencia térmica de contacto (IGBT)

Térmica resistencia –

carcasa a disipador de calor (IGBT)

término de carga 5Nm, pasta térmica 1W/m·K Par de montaje 5Nm,

con montaje grasa 1W/m·K

14

K / kW

Barra el (la) Diodo

resistencia térmica de contacto (Diodo)

Térmica resistencia –

carcasa a disipador de calor (Diodo)

término de carga 5Nm, pasta térmica 1W/m·K Par de montaje 5Nm,

con montaje grasa 1W/m·K

17

K / kW

T vjop

trabajo frío

Unión operativa temperatura

El IGBT chip ( El IGBT )

-40

150

°C

chip de diodo ( Diodo )

-40

150

°C

T el GST

temperatura de almacenamiento

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40

150

°C

M

término de carga

Par de tornillo

para fijación de instalación – M5 Montaje – M5

3

6

Nm

para interconexión de circuitos – M4

Conexiones eléctricas – M4

1.8

2.1

Nm

para interconexión de circuitos – M8

Conexiones eléctricas – M8

8

10

Nm

符号 (símbolo) El símbolo

参数名称 (nombre del elemento) Parámetro

condiciones de prueba

Condiciones de ensayo

el valor más bajo Mín.

典型值 (valor típico) Es el tipo.

máximo valor Máx.

unidad Unidad

Barra 25

valor nominal de resistencia

Nominal resistencia

T C = 25 °C

5

kΩ

△Barra /R

R100 desviación

Desviación de R100

T C = 100 °C, Barra 100=493Ω

-5

5

%

P25

potencia disipada

Disipación de potencia

T C = 25 °C

20

mW

B 25/50

¿ Qué es eso? valor

Valor B

Barra 2 = Barra 25exp [B 25/501/T 2 - 1/(298.15 K))]

3375

K

B 25/80

¿ Qué es eso? valor

Valor B

Barra 2 = Barra 25exp [B 25/801/T 2 - 1/(298.15 K))]

3411

K

B 25/100

¿ Qué es eso? valor

Valor B

Barra 2 = Barra 25exp [B 25/1001/T 2 - 1/(298.15 K))]

3433

K

符号 (símbolo) El símbolo

参数名称 (nombre del elemento) Parámetro

条件

Condiciones de ensayo

el valor más bajo Mín.

典型值 (valor típico) Es el tipo.

máximo valor Máx.

unidad Unidad

Yo El CES

集电极截止电流 (cuadro de las corrientes eléctricas)

Corriente de corte del colector

V GE = 0V, V CE = V El CES

1

el número de

V GE = 0V, V CE = V El CES , T vj = 150 °C

40

el número de

V GE = 0V, V CE = V El CES , T vj =175 °C

60

el número de

Yo El GES

极漏电流 (极 fuga de energía)

Puerta corriente de fuga

V GE el valor de la presión de escape será igual a: V CE = 0V

0.5

mA

V GE (TD)

puerta -voltaje de umbral del emisor Voltagem de umbral de la puerta

Yo C = 60mA, V GE = V CE

5.1

5.7

6.3

V

V CE (sat) (*1)

集电极 -voltaje de saturación del emisor

Saturación del colector-emittente

tensión

V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. Yo C = 1800A

1.70

V

V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. Yo C = 1800A, T vj = 150 °C

2.10

V

V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. Yo C = 1800A, T vj = 175 °C

2.15

V

Yo F

corriente continua directa del diodo Corriente de diodo hacia adelante

CC

1800

R

Yo El MFR

corriente pico repetitiva directa del diodo Diodo corriente hacia adelante pico nt

t P = 1 ms

3600

R

V F (*1)

tensión directa del diodo

Voltado del diodo hacia adelante

Yo F = 1800A, V GE = 0

1.60

V

Yo F = 1800A, V GE = 0, T vj = 150 °C

1.75

V

Yo F = 1800A, V GE = 0, T vj = 175 °C

1.75

V

Yo SC

corriente de cortocircuito

Cortocircuito actual

T vj = 175°C, V CC = de una potencia de 1000 V, V GE ≤de una potencia de 15 V, t p ≤10 μs,

V CE(max) = V El CES – C(*2) ×di/dt, IEC 60747-9

7400

R

Cies

capacidad de entrada

Capacidad de entrada

V CE = 25 V, V GE = 0V, f = las emisiones de CO2

542

nF (número de trabajo)

Pg

极电荷 (cuadro de las unidades de carga)

Cargo por puerta

± 15 V

23.6

el valor de la concentración

Cres

capacidad de transmisión inversa

Capacidad de transferencia inversa

V CE = 25 V, V GE = 0V, f = las emisiones de CO2

0.28

nF (número de trabajo)

CsCE

inductancia parasita del módulo

Módulo parasita inducta el

8.4

nH

Barra CC ’+EE ’

resistencia de la pista del módulo, terminal -chip Mpista del módulo resistencia, terminal-chip

por cada conmutación

por conmutador

0.20

mΩ

Barra El ginto

resistencia interna de la puerta

Puerta interna resistor

1

ω

符号 (símbolo) El símbolo

参数名称 (nombre del elemento) Parámetro

condiciones de prueba

Condiciones de ensayo

el valor más bajo Mín.

典型值 (valor típico) Es el tipo.

máximo valor Máx.

unidad Unidad

t no se puede

tiempo de apagado

Tiempo de retraso de apagado

Yo C =1800A,

V CE = 900V,

V GE = ±de una potencia de 15 V, Barra G ((OFF) = 0,5Ω, CS = 25nH,

g v \/dt =3800V\/μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

1000

el Consejo

T vj = 150 °C

1200

T vj = 175 °C

1250

t f

¿Qué pasa? Tiempo de caída

T vj = 25 °C

245

el Consejo

T vj = 150 °C

420

T vj = 175 °C

485

EOff

pérdida de desconexión

Pérdida de energía de apagado

T vj = 25 °C

425

mJ

T vj = 150 °C

600

T vj = 175 °C

615

t en el

开通延迟时间

Tiempo de retraso de encendido

Yo C =1800A,

V CE = 900V,

V GE = ±de una potencia de 15 V, Barra G (((ON) = 0,5Ω, CS = 25nH,

g yo \/dt = 8500A\/μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

985

el Consejo

T vj = 150 °C

1065

T vj = 175 °C

1070

t barra

¿Qué pasa? Tiempo de ascenso

T vj = 25 °C

135

el Consejo

T vj = 150 °C

205

T vj = 175 °C

210

EActivado

pérdida de conmutación

Energía de encendido pérdida

T vj = 25 °C

405

mJ

T vj = 150 °C

790

T vj = 175 °C

800

PrR

carga de recuperación inversa del diodo Diodo inversa

cargo por recuperación

Yo F =1800A, V CE = 900V,

- ¿ Qué? yo F /dt = 8500A\/μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

420

el valor de la concentración

T vj = 150 °C

695

T vj = 175 °C

710

Yo rR

corriente de recuperación inversa del diodo Diodo inversa

corriente de recuperación

T vj = 25 °C

1330

R

T vj = 150 °C

1120

T vj = 175 °C

1100

Ereconocimiento

pérdida de recuperación inversa del diodo Diodo inversa

energía de recuperación

T vj = 25 °C

265

mJ

T vj = 150 °C

400

T vj = 175 °C

420