El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
Unidad |
|
El CIEM
|
Corriente de corte del colector
|
VGE = 0V,VCE = VCES |
|
|
1 |
el número de |
VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C |
|
|
20 |
el número de |
VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C |
|
|
30 |
el número de |
El IGES |
Corriente de fuga de la puerta |
VGE = ±20V, VCE = 0V |
|
|
0.5 |
mA |
VGE (TH) |
Voltagem de umbral de la puerta |
IC = 30mA, VGE = VCE |
5.00 |
6.00 |
7.00 |
V |
|
VCE (sat) ((*1)
|
Saturación del colector-emittente voltaje
|
VGE =15V, IC = 1400A |
|
2.00 |
2.40 |
V |
VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 125 °C |
|
2.45 |
2.70 |
V |
VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 150 °C |
|
2.55 |
2.80 |
V |
IF |
Corriente de diodo hacia adelante |
CC |
|
1400 |
|
A |
El número de personas |
Corriente de pico directa del diodo |
tP = 1 ms |
|
2800 |
|
A |
|
VF(*1)
|
Voltado del diodo hacia adelante
|
IF = 1400A, VGE = 0 |
|
1.80 |
2.20 |
V |
IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 125 °C |
|
1.95 |
2.30 |
V |
IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 150 °C |
|
2.00 |
2.40 |
V |
|
ISC
|
Corriente de cortocircuito
|
Tvj = 150°C, VCC = 1000V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,
VCE (max) = VCES L (max) *2) ×di/dt, CEI 6074-9
|
|
5400
|
|
A
|
Las |
capacidad de entrada
Capacidad de entrada
|
VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz |
|
113 |
|
nF (número de trabajo) |
El número de |
Cargo por puerta |
± 15 V |
|
11.7 |
|
el valor de la concentración |
El Cres |
Capacidad de transferencia inversa |
VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz |
|
3.1 |
|
nF (número de trabajo) |
LM |
Inductancia del módulo |
|
|
10 |
|
nH |
RINT |
Resistencia interna del transistor |
|
|
0.2 |
|
mΩ |
|
el número de teléfono
|
Tiempo de retraso de apagado
|
IC =1400A,
VCE = 900V,
VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω , LS = 20nH,
dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C).
|
Tvj= 25 °C |
|
1520 |
|
el Consejo
|
Tvj= 125 °C |
|
1580 |
|
Tvj= 150 °C |
|
1600 |
|
|
tF
|
¿Qué pasa? Tiempo de caída
|
Tvj= 25 °C |
|
460 |
|
el Consejo
|
Tvj= 125 °C |
|
610 |
|
Tvj= 150 °C |
|
650 |
|
|
El número de personas
|
Pérdida de energía de apagado
|
Tvj= 25 °C |
|
460 |
|
mJ
|
Tvj= 125 °C |
|
540 |
|
Tvj= 150 °C |
|
560 |
|
|
en el momento en que se inicia
|
Tiempo de retraso de encendido
|
IC =1400A,
VCE = 900V,
VGE = ±15V, RG(ON) = 1.2Ω , LS = 20nH,
di/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).
|
Tvj= 25 °C |
|
400 |
|
el Consejo
|
Tvj= 125 °C |
|
370 |
|
Tvj= 150 °C |
|
360 |
|
|
tr
|
Tiempo de ascenso
|
Tvj= 25 °C |
|
112 |
|
el Consejo
|
Tvj= 125 °C |
|
120 |
|
Tvj= 150 °C |
|
128 |
|
|
El EON
|
Pérdida de energía por encendido
|
Tvj= 25 °C |
|
480 |
|
mJ
|
Tvj= 125 °C |
|
580 |
|
Tvj= 150 °C |
|
630 |
|
|
¿Qué es eso?
|
Diodo inverso
cargo por recuperación
|
IF =1400A, VCE = 900V,
- diF/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).
|
Tvj= 25 °C |
|
315 |
|
el valor de la concentración
|
Tvj= 125 °C |
|
440 |
|
Tvj= 150 °C |
|
495 |
|
|
No
|
Diodo inverso
corriente de recuperación
|
Tvj= 25 °C |
|
790 |
|
A
|
Tvj= 125 °C |
|
840 |
|
Tvj= 150 °C |
|
870 |
|
|
El Erec
|
Diodo inverso
energía de recuperación
|
Tvj= 25 °C |
|
190 |
|
mJ
|
Tvj= 125 °C |
|
270 |
|
Tvj= 150 °C |
|
290 |
|
EN
