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Módulo IGBT Original YMIF250-65 de CRRC 6500V 250A Transistor de Alta Tensión Choppers Módulos Semiconductores Discretos

Módulo IGBT Original YMIF250-65 de CRRC 6500V 250A Transistor de Alta Tensión Choppers Módulos Semiconductores Discretos

Introducción

Perfil de la empresa

Beijing World E To Technology Co., Ltd. es una empresa basada en la tecnología con calificaciones de importación y exportación, fundada sobre los principios de innovación y excelencia, se encuentra en la vanguardia de las soluciones alternativas y la tecnología de semiconductores. Especializada en el diseño de productos de semiconductor, personalización contractual y distribución. Tenemos requisitos estrictos en la elección de socios de cooperación, solo cooperamos con empresas tecnológicas y fabricantes con tecnología de diseño y fabricación de primera clase. La personalización de la optimización de las líneas de transmisión automática de la fábrica es otra parte importante de nuestra fabricación bajo contrato.

Nuestra productos

1	Modulo IGBT y Conductor
2	Módulo IGCT y Conductor
3	Placa de núcleo del inversor
4	Modulo de diodo
5	Módulo de tiristores
6	Sensor de corriente
7	El condensador
8	Resistor
9	Rele de estado sólido
10	Robots industriales y componentes principales
11	Aeronaves no tripuladas civiles y componentes principales

Descripción de los productos

Características

(1) Base de AISiC para alta capacidad de ciclo de potencia
(2) Substratos de AIN para baja resistencia térmica
(3) SPT+chip-set para bajas pérdidas de conmutación
(4) Baja potencia de conducción

(5) Bajo VCEsat

Aplicaciones típicas

(1) Las unidades de tracción
(2) Controladores de motores
(3) CC Las máquinas de la categoría 84
(4) Inversores/convertidores de alta tensión

El número de unidades de producción

6500V/250A Módulos IGBT de alta tensión

Parámetros clave

El símbolo	Descripción	Valor	Unidad
V _{El CES}		6500	V
V _{CE (sat)}	Es el tipo.	4.3	V
Yo _C	Máx.	250	A. El
Yo _Cm	ICRM	500	A. El

Clasificaciones máximas absolutas

Parámetro	El símbolo	Condiciones	mín	máx	Unidad
Voltagem del colector-emittente	VCES	VGE =0V, Tvj ≥ 25°C		6500	V
Corriente de colector de CC	CI	TC =80°C		250	A. El
Corriente máxima del colector	MIC	tp=1ms,Tc=80°C		500	A. El
Voltagem del emisor de la puerta	VGES		-20	20	V
Disipación total de potencia	Ptot	TC =25°C, por interruptor (IGBT)		3200	W
Corriente directa DC	IF			250	A. El
Corriente directa pico	El número de personas	tP=1 ms		500	A. El
Cortocircuito IGBT SOA	tPSC	VCC =4400V, VCEMCHIP ≤ 6500V VGE ≤ 15V, Tvj≤ 125°C		10	μs
Voltaje de aislamiento	El visol	1min, f=50Hz		10200	V
Temperatura de unión	TVj			125	℃
Temperatura de operación del unión	¿Qué es eso?		-50	125	℃
Temperatura del caso	Tc		-50	125	℃
Temperatura de almacenamiento	TSTG		-50	125	℃
Torques de montaje	Ms		4	6	Nm
	El número de personas		8	10

Por qué elegirnos

1. Solo distribuimos productos de fabricantes chinos con tecnología de primera clase. Esta es nuestra medida clave.
2. Tenemos requisitos estrictos en la selección de fabricantes.
3. Tenemos la capacidad de proporcionar a los clientes soluciones alternativas desde China.
4. Contamos con un equipo responsable.

Envase del producto