Folleto del producto:DESCARGAR
Yo T(AV) |
1200A. El |
V DRM |
2000V~ 30las demás |
V RRM |
1000V~ 25las demás |
t ¿Qué es? |
20~75µs |
Características
Aplicaciones típicas
El símbolo |
Características |
Condiciones de ensayo |
T j (℃ ) |
Valor |
Unidad |
||||
Mín |
Tipo |
Máx |
|||||||
Yo T (Av ) |
Corriente media en estado de conducción |
180。media onda senoidal 50Hz Enfriado por ambos lados, |
T C =55℃ |
125 |
|
|
1200 |
A. El |
|
T C =70℃ |
125 |
|
|
1000 |
A. El |
||||
V DRM |
Repetitivo voltaje pico en estado de corte |
tp=10ms |
125 |
2000 |
|
3000 |
V |
||
V RRM |
Repetitivo voltaje inverso pico |
1000 |
|
2500 |
|||||
Yo DRM /IRRM |
Repetitivo corriente de pico |
a V DRM /VRRM |
125 |
|
|
80 |
el número de |
||
Yo TSM |
Corriente de sobrecarga en estado de conducción |
10ms media onda ola V R =0.6 V RRM |
125 |
|
|
16 |
kA |
||
Yo 2t |
Yo 2t para fusión coordinación |
|
|
1280 |
103A. El 2s |
||||
V A |
Voltaje de umbral |
|
125 |
|
|
1.55 |
V |
||
r T |
Resistencia de pendiente en estado de conducción |
|
|
0.40 |
mΩ |
||||
V TM |
Voltaje pico en estado de conducción |
Yo TM =3000A, F=24kN |
20≤ tq ≤ 35 |
25 |
|
|
2.80 |
V |
|
36≤ tq ≤ 60 |
|
|
2.60 |
V |
|||||
61≤ tq ≤ 75 |
|
|
2.40 |
V |
|||||
dv/dt |
Tasa crítica de aumento de estado de corte voltaje |
V DM =0.67 V DRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
||
di/dt |
Tasa crítica de aumento de estado de conducción corriente (No repetitivo) |
V DM = 67% V DRM a 1600A, Pulso de puerta t r ≤0.5μs Yo GM =1.5A |
125 |
|
|
1500 |
A/μs |
||
¿Qué es? rR |
Cargo por recuperación |
Yo TM =1000A ,tp=4000µs, di/ dt=-20A/µs, V R =100V |
125 |
|
750 |
|
el valor de la concentración |
||
tq |
Tiempo de apagado conmutado por circuito |
Yo TM =1000A ,tp=4000µs, V R =100V dv/dt=30V/µs , di/dt=-20A/µs |
100 |
20 |
|
75 |
μs |
||
Yo GT |
Corriente de disparo de puerta |
V A. El =12V, Yo A. El =1A |
25 |
40 |
|
300 |
el número de |
||
V GT |
Voltaje de disparo de puerta |
0.9 |
|
3.0 |
V |
||||
Yo H |
Corriente de mantenimiento |
20 |
|
500 |
el número de |
||||
Yo L |
Corriente de retención |
|
|
500 |
el número de |
||||
V GD |
Voltaje de puerta no disparado |
V DM =67% V DRM |
125 |
|
|
0.3 |
V |
||
R th (j-c) |
Térmico resistencia Unión a caja |
doble cara enfriado Fuerza de sujeción 24kN |
|
|
|
0.020 |
℃ /W |
||
R th (c-h) |
Térmico resistencia caso a disipador de calor |
|
|
|
0.005 |
||||
F m |
Fuerza de Montaje |
|
|
19 |
|
26 |
kN |
||
T vj |
Temperatura de unión |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
||
T el GST |
Temperatura almacenada |
|
|
-40 |
|
140 |
℃ |
||
W t |
Peso |
|
|
|
440 |
|
g. El |
||
Esquema |
KT50cT |
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