TIM500GDM33-PSA011 Nuevo Original CRRC Módulo de Potencia IGBT Transistor Semiconductores Discretos Choppers Inversores/Convertidores Tracción

Perfil de la empresa

Beijing World E To Technology Co., Ltd. es una empresa basada en la tecnología con calificaciones de importación y exportación. Fundada sobre los principios de innovación y excelencia, se encuentra en la vanguardia de las soluciones alternativas y la tecnología de semiconductores, especializándose en el diseño de productos de semiconductores, la personalización contractual y la distribución. Tenemos requisitos estrictos en la elección de socios de cooperación; solo colaboramos con empresas tecnológicas y fabricantes con tecnología de diseño y fabricación de primera clase. La personalización de la optimización de las líneas de transmisión automática de la fábrica es otra parte importante de nuestra fabricación bajo contrato.

Nuestra productos

1	Modulo IGBT y Conductor
2	Módulo IGCT y Conductor
3	Placa de núcleo del inversor
4	Modulo de diodo
5	Módulo de tiristores
6	Sensor de corriente
7	El condensador
8	Resistor
9	Rele de estado sólido
10	Robots industriales y componentes principales
11	Aeronaves no tripuladas civiles y componentes principales

Descripción de los productos

Características

(1) Base de AISiC para alta capacidad de ciclo de potencia
(2) Substratos de AIN para baja resistencia térmica
(3) Alta capacidad de ciclado térmico
(4) Alta densidad de corriente

(5) Resistencia a cortocircuitos de 10μs
(6) Bajo VCEsat

Aplicaciones típicas

(1) Las unidades de tracción
(2) Controladores de motores
(3) Choppers
(4) Inversores/convertidores de voltaje medio

TIM500GDM33 -PSA011

El número de unidades de producción

3300V/500A Módulos IGBT de alta tensión

Parámetros clave

El símbolo	Descripción	Valor	Unidad
V _{El CES}		3300	V
V _{CE (sat)}	Es el tipo.	2.4	V
Yo _C	Máx.	500	A. El
Yo _Cm	ICRM	1000	A. El

Clasificaciones máximas absolutas

El símbolo	Descripción	Valor	Unidad
V _{El CES}	Voltagem del colector-emittente	3300	V
V _{El GES}	Voltagem del emisor de la puerta	±20	V
Yo _C	Corriente Colectora @ T _C=100℃	500	A. El
Yo _Cm	Corriente del colector en pulso, tp=1ms, Tc=140°C	1000	A. El
P _tot	Disipación total de potencia, TC=25°C, por interruptor (IGBT)	5200	W
Yo ²t	Diodo I ²t ,VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150°C	80	kA ²s
V _sólo	1min, f=50Hz	6000	V
t _el	Cortocircuito IGBT SOA VCC=2500V,VCEMCHIP≤3300V VGE≤15V,Tvj≤125°C	10	μs
Yo _F	Corriente directa DC	500	A. El
Yo _{El MFR}	Corriente hacia adelante pico ,tp=1ms	1000	A. El
¿Qué es? _PD	Descarga parcial,V1= 3500V ,V2= 2600V, 50Hz RMS,TC=25°C(IEC 61287)	10	pC
Torques de montaje	M _SMontaje – M6	5	Nm
		M _T1Conexiones eléctricas – M4		2
		M _T2Conexiones eléctricas – M8		8

Valores característicos del diodo

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	typ	Máx.	Valor		Unidad
V _F	Voltaje de Adelante IF =500A	Tvj = 25 °C		2.10	2.60	V		℃
				Tvj = 125 °C		2.25	2.7	V		℃
				Tvj = 150°C		2.25	2.7	V		℃
Yo _rR	Corriente de recuperación inversa Yo _F=500A V _CC=1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		420		A. El
				Tvj = 125 °C			460		A. El		V
				Tvj = 150 °C			490
¿Qué es? _rR	Cargo recuperado Yo _F=500A V _CC=1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		390		el valor de la concentración
				Tvj = 125 °C			620
				Tvj = 150 °C			720
E _{reconocimiento}	Energía de recuperación inversa Yo _F=500A V _CC=1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		480		mJ
				Tvj = 125 °C			760
				Tvj = 150 °C			900

Valores de las características de las IGBT

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidad
_{V _CEsat}	Voltaje de saturación colector-emisor. I _C=500A,V _{El sector de la energía}=15V	Tvj= 25°C		2.40	2.90	V
				Tvj= 125°C		2.95	3.40	V
				Tvj= 150°C		3.10	3.60	V
Yo _{El GES}	Corriente de fuga de la puerta	V _CE=0V, V _{El sector de la energía}=±20V, Tvj=25°C	-500		500	nA
V _{GE (TH)}	Voltaje de umbral de puerta-emisor	Yo _C=40mA, V _CE=V _{El sector de la energía}, Tvj=25°C	5.5	6.1	7.0	V
Yo _{El CES}	Voltaje de saturación colector-emisor. V _CE=3300V,V _{El sector de la energía}el valor de la energía de la corriente	Tvj= 25°C			1	el número de
				Tvj= 125°C			30	el número de
				Tvj = 150 °C			50	el número de
Yo _SC	Corriente de cortocircuito	tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 150°C,VCC= 2500V		250		A. El
Yo _{El MFR}	Corriente de pico directa del diodo	t _P= 1ms		500		A. El
t _{en el}	Tiempo de retraso de encendido	Tvj = 25 °C		650		el Consejo
				Tvj = 125 °C		630		el Consejo
				Tvj = 150 °C		620		el Consejo
t _{no se puede}	Tiempo de retraso de apagado	Tvj = 25 °C		1720		el Consejo
				Tvj = 125 °C		1860		el Consejo
				Tvj = 150 °C		1920		el Consejo
Yo _SC	Corriente de cortocircuito	t _el≤ 10μs, V _{El sector de la energía}el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T _vj= 150°C,V _CC= 2500V		1800		A. El
Las	Capacidad de entrada	V _CE=25V,V _{El sector de la energía}=0V,f=1MHz,Tvj=25°C		90		nF (número de trabajo)
El número de	Cargo por puerta	C=500A,V _CE=1800V,V _{El sector de la energía}=-15V…15V		5.0		el valor de la concentración
El Cres	Capacidad de transferencia inversa	V _CE=25V,V _{El sector de la energía}=0V,f=1MHz,Tvj=25°C		2		nF (número de trabajo)
E _on	Energía de pérdida de conmutación de encendido Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C	V _CC=1800V, I _C=500A, RG(ON)=3.0Ω RG(OFF)=4.5Ω,C _{El sector de la energía}=100nF,V _{El sector de la energía}=±15V L _δ=150nH		730		nH
							880		mJ
							930
E _off	Pérdida de energía de conmutación de apagado Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C				780		mJ
							900
							1020

Por qué elegirnos

1. Solo distribuimos productos de fabricantes chinos con tecnología de primera clase. Esta es nuestra medida clave.
2. Tenemos requisitos estrictos en la selección de fabricantes.
3. Tenemos la capacidad de proporcionar a los clientes soluciones alternativas desde China.
4. Contamos con un equipo responsable.

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