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Módulo de Transistor IGBT TG1400HF12H1-S300 para inversores convertidores New y Original CRRC Turbinas de Viento Motores

Módulo de Transistor IGBT TG1400HF12H1-S300 para inversores convertidores New y Original CRRC Turbinas de Viento Motores

Introducción

Perfil de la empresa

Beijing World E To Technology Co., Ltd. es una empresa basada en la tecnología con calificaciones de importación y exportación, fundada sobre los principios de innovación y excelencia, se encuentra en la vanguardia de las soluciones alternativas y la tecnología de semiconductores. Especializada en el diseño de productos de semiconductor, personalización contractual y distribución. Tenemos requisitos estrictos en la elección de socios de cooperación, solo cooperamos con empresas tecnológicas y fabricantes con tecnología de diseño y fabricación de primera clase. La personalización de la optimización de las líneas de transmisión automática de la fábrica es otra parte importante de nuestra fabricación bajo contrato.

Nuestra productos

1	Modulo IGBT y Conductor
2	Módulo IGCT y Conductor
3	Placa de núcleo del inversor
4	Modulo de diodo
5	Módulo de tiristores
6	Sensor de corriente
7	El condensador
8	Resistor
9	Sistema de almacenamiento de energía
10	Robots industriales y componentes principales
11	Aeronaves no tripuladas civiles y componentes principales

Descripción de los productos

Características

(1) Base de AISiC para alta capacidad de ciclo de potencia
(2) Cu Baseplate
(3) Alta capacidad de ciclado térmico
(4) Alta densidad de corriente

(5) Resistencia a cortocircuitos de 10μs
(6) Bajo VCEsat

Aplicaciones típicas

(1) Accionamientos de motores
(2) Conversores de alta potencia
(3) Aerogeneradores
(4) Invertidor de alta fiabilidad

TG1400HF12H1-S300

1200V/1400A Puente Semi IGBT

Parámetros clave

El símbolo	Descripción	Valor	Unidad
V _{El CES}		1200	V
V _{CE (sat)}	Es el tipo.	1.80	V
Yo _C	Máx.	1400	A. El
IC ((RM)	Máx.	2800	A. El

Clasificación Máxima Absoluta( Tcase = 25°C a menos que se indique lo contrario )

El símbolo	Descripción	Valor	Unidad
V _{El CES}	Voltagem del colector-emittente	1200	V
V _{El GES}	Voltagem del emisor de la puerta	±20	V
Yo _C	Corriente del colector @ Tcase = 100 °C	1400	A. El
Yo _C(PK)	Corriente de colector pico, tp=1ms, Tcase = 110 °C	2800	A. El
P _máx	Disipación máxima de potencia del transistor, Tvj = 150°C, Tcase = 25 °C	7500	W
Yo ²t	Diodo I ²t ,V _Rel valor de la presión de escape _P= 10ms, T _vj= 150°C	172	kA ²s
V _sólo	(Bornes comunes a la placa base), AC RMS, 1 min, 50Hz	4000	V
Yo _F	Corriente directa del diodo	1000	A. El
Yo _{El MFR}	Corriente máxima hacia adelante del diodo, tp=1ms	2000	A. El
Torques de montaje	Montaje – M5	6	Nm
	Montaje – M5	6
		Conexiones eléctricas – M8		10

Características Eléctricas

Por qué elegirnos

1. Solo distribuimos productos de fabricantes chinos con tecnología de primera clase. Esta es nuestra medida clave.
2. Tenemos requisitos estrictos en la selección de fabricantes.
3. Tenemos la capacidad de proporcionar a los clientes soluciones alternativas desde China.
4. Contamos con un equipo responsable.

Envase del producto