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STARPOWER GD300HFX120C2S Nuevo y Original Módulo IGBT STARPOWER Módulos Semiconductores Discretos para Inversor UPS Transistor

Introducción
Perfil de la empresa
Beijing World E To Technology Co., Ltd. es una empresa basada en tecnología con calificaciones de importación y exportación, fundada sobre los principios de innovación y excelencia, se encuentra a la vanguardia de las soluciones alternativas y la tecnología de semiconductores. Especializada en el diseño de productos de semiconductor, personalización contractual y distribución. Tenemos requisitos estrictos en la elección de socios de cooperación, solo colaboramos con empresas tecnológicas y fabricantes con tecnología de diseño y fabricación de primera clase. La optimización de la personalización de líneas de transmisión automáticas de fábrica es otra parte importante de nuestra fabricación bajo contrato.

Nuestra productos
Nuestra lista de productos:
1
Modulo IGBT y Conductor
2
Módulo IGCT y Conductor
3
Placa de núcleo del inversor
4
Modulo de diodo
5
Módulo de tiristores
6
Sensor de corriente
7
El condensador
8
Resistor
9
Sistema de almacenamiento de energía
10
Robots industriales y componentes principales
11
Aeronaves no tripuladas civiles y componentes principales
Descripción de los productos
GD300HFX120C2S_
1200V/300A 2 en un solo paquete

DESCRIPCIÓN GENERAL
Este tipo de Módulo de Potencia proporciona una pérdida de conducción ultra baja, así como robustez ante cortocircuitos. Están diseñados para aplicaciones como inversores generales y UPS.

Características

(1) Tecnología de IGBT de trinchera con bajo VCE(sat)
(2) Capacidad de cortocircuito de 10μs
(3) VCE(sat) con coeficiente de temperatura positivo
(4) Temperatura máxima de la unión de 175℃
(5) Caja con baja inductancia
(6) Recuperación rápida y suave en sentido inverso del Diodo FWD antiparalelo
(7) Placa base aislada con tecnología DBC usando cobre

Aplicaciones típicas

(1) Inversor para accionamiento de motores
(2) Amplificador de servocontrol AC y DC
(3) Suministro de energía ininterrumpido

Clasificaciones máximas absolutas

T C =25℃ a menos que se indique lo contrario


El IGBT
El símbolo
Descripción
Valor
Unidad
V El CES
Voltagem del colector-emittente
1200
V
V El GES
Voltagem del emisor de la puerta
±20
V
Yo C
corriente del colector @ T C =25℃
@ T C =100℃
451
450
A. El
Yo Cm
Corriente Colectora Pulsada t p =1 ms
600
A. El
P D
Disipación de potencia máxima @ T j =175℃
1428
W

Diodo
El símbolo
Descripción
Valor
Unidad
V RRM
Voltado inverso de pico repetitivo
1200
V
Yo F
Diodo de corriente continua hacia adelante
300
A. El
Yo - ¿ Qué?
Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms
600
A. El

Módulo
El símbolo
Descripción
Valor
Unidad
T jmax
Temperatura máxima de unión
175
T el juego
Temperatura de funcionamiento de las uniones
-40 a +150
T El GST
Rango de Temperatura de Almacenamiento
-40 a +125
V ISO
El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1min
2500
V
Envase del producto

MPQ:

12 piezas

Entregado en el embalaje original del fabricante

Añadir caja de madera

De acuerdo con los requisitos del cliente, se pueden añadir cajas de madera para protección.
Por qué elegirnos
1. Solo distribuimos productos de fabricantes chinos con tecnología de primera clase. Esta es nuestra medida clave.
2. Tenemos requisitos estrictos en la selección de fabricantes.
3. Tenemos la capacidad de proporcionar a los clientes soluciones alternativas desde China.
4. Contamos con un equipo responsable.

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