DESCRIPCIÓN GENERAL
Este tipo de Módulo de Potencia proporciona una pérdida de conducción ultra baja, así como robustez ante cortocircuitos. Están diseñados para aplicaciones como inversores generales y UPS.
1 |
Modulo IGBT y Conductor |
2 |
Módulo IGCT y Conductor |
3 |
Placa de núcleo del inversor |
4 |
Modulo de diodo |
5 |
Módulo de tiristores |
6 |
Sensor de corriente |
7 |
El condensador |
8 |
Resistor |
9 |
Rele de estado sólido |
10 |
Robots industriales y componentes principales |
11 |
Aeronaves no tripuladas civiles y componentes principales |
El símbolo |
Descripción |
Valor |
Unidad |
V El CES |
Voltagem del colector-emittente |
1700 |
V |
V El GES |
Voltagem del emisor de la puerta |
±20 |
V |
Yo C |
Corriente Colectora @ T C =25℃ @ T C =100℃ |
1069 600 |
A. El |
Yo Cm |
Corriente Colectora Pulsada t p =1 ms |
1200 |
A. El |
P D
|
Disipación de potencia máxima @ T j =175℃ |
4166 |
W |
El símbolo |
Descripción |
Valor |
Unidad |
V RRM
|
Voltado inverso de pico repetitivo |
1700 |
V |
Yo F |
Diodo de corriente continua hacia adelante |
600 |
A. El |
Yo - ¿ Qué? |
Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms |
1200 |
A. El |
Yo FSM
|
Corriente de pico hacia adelante VR=0V, tp=10ms, @Tj=25℃ @Tj=150℃ |
3400 |
A. El |
2700 |
|||
Yo 2t |
Valor de I 2 t, tp=10ms @ Tj=25℃ @ Tj=150℃ |
57800 |
A. El 2s |
36450 |
El símbolo |
Descripción |
Valor |
Unidad |
T jmax
|
Temperatura máxima de unión |
175 |
℃ |
T el juego
|
Temperatura de funcionamiento de las uniones |
-40 a +150 |
℃ |
T El GST |
Rango de Temperatura de Almacenamiento |
-40 a +125 |
℃ |
V ISO
|
El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1min |
4000 |
V |
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