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Módulo de Transistor IGBT GD450HFX170C6S para UPS Inversor New y Original Componentes Electrónicos Módulo de Potencia starpower

Módulo de Transistor IGBT GD450HFX170C6S para UPS Inversor New y Original Componentes Electrónicos Módulo de Potencia starpower

Introducción

Perfil de la empresa

Beijing World E To Technology Co., Ltd. es una empresa basada en la tecnología con calificaciones de importación y
exportación, principalmente dedicada a la distribución de semiconductores productos y personalización contractual hechos en CHINA.
Tenemos requisitos estrictos en cuanto a la elección de los fabricantes. Por lo tanto, solo distribuimos productos de fabricantes chinos con
tecnología de primera clase.
La personalización de la optimización de las líneas de transmisión automáticas de fábrica es otra parte importante de nuestro contrato
fabricación.

NUESTROS PRODUCTOS

1	Modulo IGBT y Conductor
2	Módulo IGCT y Conductor
3	Módulo FRD
4	Modulo de diodo
5	Módulo de tiristores
6	Sensor de corriente
7	El condensador
8	Resistor
9	Rele de estado sólido
10	Robots industriales y componentes principales
11	Aeronaves no tripuladas civiles y componentes principales

Por qué elegirnos

1. Solo distribuimos productos de fabricantes chinos con tecnología de primera clase. Esta es nuestra medida clave.
2. Tenemos requisitos estrictos en la selección de fabricantes.
3. Tenemos la capacidad de proporcionar a los clientes soluciones alternativas desde China.
4. Contamos con un equipo responsable.

Descripción de los productos

GD450HFX170C6S

1700V/450A 6 en un solo paquete

DESCRIPCIÓN GENERAL
Este tipo de Módulo de Potencia proporciona una pérdida de conducción ultra baja, así como robustez ante cortocircuitos. Están diseñados para aplicaciones como inversores generales y UPS.

Características

(1) Tecnología de IGBT de trinchera con bajo VCE(sat)
(2) Capacidad de cortocircuito de 10μs
(3) VCE(sat) con coeficiente de temperatura positivo
(4) Temperatura máxima de la unión de 175℃
(5) Caja con baja inductancia
(6) Recuperación rápida y suave en sentido inverso del Diodo FWD antiparalelo
(7) Placa base aislada con tecnología DBC usando cobre

Aplicaciones típicas

(1) Inversor para accionamiento de motores
(2) Amplificador de servocontrol AC y DC
(3) Suministro de energía ininterrumpido

Clasificaciones máximas absolutas

T _C=25℃ a menos que se indique lo contrario

El IGBT

El símbolo	Descripción	Valor	Unidad
V _{El CES}	Voltagem del colector-emittente	1700	V
V _{El GES}	Voltagem del emisor de la puerta	±20	V
Yo _C	Corriente Colectora @ T _C=25℃ @ T _C=100℃	706 450	A. El
Yo _Cm	Corriente Colectora Pulsada t _p=1 ms	900	A. El
P _D	Disipación de potencia máxima @ T _j=175℃	2542	W

Diodo

El símbolo	Descripción	Valor	Unidad
V _RRM	Voltado inverso de pico repetitivo	1700	V
Yo _F	Diodo de corriente continua hacia adelante	450	A. El
Yo _{- ¿ Qué?}	Corriente Directa Máxima del Diodo t _p=1 ms	900	A. El

Módulo

El símbolo	Descripción	Valor	Unidad
T _jmax	Temperatura máxima de unión	175	℃
T _{el juego}	Temperatura de funcionamiento de las uniones	-40 a +150	℃
T _{El GST}	Rango de Temperatura de Almacenamiento	-40 a +125	℃
V _ISO	El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1min	2500	V