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Módulo IGBT CRRC TG1000HF17H1-S300 1700V Inversores Convertidores Impulsores Original Nuevo Turbinas Eólicas Módulos Semiconductores Discretos

Introducción
Perfil de la empresa
Beijing World E To Technology Co., Ltd. es una empresa basada en la tecnología con calificaciones de importación y exportación, fundada sobre los principios de innovación y excelencia, se encuentra en la vanguardia de las soluciones alternativas y la tecnología de semiconductores. Especializada en el diseño de productos de semiconductor, personalización contractual y distribución. Tenemos requisitos estrictos en la elección de socios de cooperación, solo cooperamos con empresas tecnológicas y fabricantes con tecnología de diseño y fabricación de primera clase. La personalización de la optimización de las líneas de transmisión automática de la fábrica es otra parte importante de nuestra fabricación bajo contrato.
Nuestra productos
1
Modulo IGBT y Conductor
2
Módulo IGCT y Conductor
3
Placa de núcleo del inversor
4
Modulo de diodo
5
Módulo de tiristores
6
Sensor de corriente
7
El condensador
8
Resistor
9
Sistema de almacenamiento de energía
10
Robots industriales y componentes principales
11
Aeronaves no tripuladas civiles y componentes principales
Descripción de los productos

Características

(1) Base de AISiC para alta capacidad de ciclo de potencia
(2) Cu Baseplate
(3) Alta capacidad de ciclado térmico
(4) Alta densidad de corriente

(5) Resistencia a cortocircuitos de 10μs
(6) Bajo VCEsat

Aplicaciones típicas

(1) Accionamientos de motores
(2) Conversores de alta potencia
(3) Aerogeneradores
(4) Invertidor de alta fiabilidad
TG1000HF17H1-S300
1700V/1000A Puente Semi IGBT
Parámetros clave
El símbolo
Descripción
Valor
Unidad
V El CES
1200
V
V CE (sat)
Es el tipo.
1.85
V
Yo C
Máx.
1000
A. El
IC ((RM)
Máx.
2000
A. El


Clasificación Máxima Absoluta( Tcase = 25°C a menos que se indique lo contrario )
El símbolo
Descripción
Valor
Unidad
V El CES
Voltagem del colector-emittente
1700
V
V El GES
Voltagem del emisor de la puerta
±20
V
Yo C
Corriente del colector @ Tcase = 90 °C
1000
A. El
Yo C(PK)
Corriente de colector pico, tp=1ms, Tcase = 110 °C
2000
A. El
P máx
Disipación máxima de potencia del transistor, Tvj = 150°C, Tcase = 25 °C
6250
W
Yo 2t
Diodo I 2t ,V R el valor de la presión de escape P = 10ms, T vj = 150°C
144
kA 2s
V sólo
(Bornes comunes a la placa base), AC RMS, 1 min, 50Hz
4000
V
Yo F
Corriente directa del diodo
1000
A. El
Yo El MFR
Corriente máxima hacia adelante del diodo, tp=1ms
2000
A. El
Torques de montaje
Montaje – M5
6
Nm
Conexiones eléctricas – M8
10
Características Eléctricas
El símbolo
Parámetro
Condiciones de ensayo
Mín.
typ
Máx.
Valor
Unidad
V F
Voltado del diodo hacia adelante
Yo F =1000A, V G. El E = 0, Tvj = 25 °C
1.80
2.20
V
Yo F =1000A, V El sector de la energía = 0, Tvj = 125 °C
1.90
2.30
Yo F =1000A, V El sector de la energía = 0, Tvj = 125 °C
1.90
2.30
Yo El MFR
Corriente de pico directa del diodo
t P = 1ms
2000
A. El
Yo F
Corriente hacia adelante del diodo,
CC
1000
A. El
No
Diodo inverso
corriente de recuperación
IF =1000A,
VCE = 900V,
- diF/dt = 7200A/us
(Tvj= 150 °C).
@Tvj= 25 °C
@Tvj= 125 °C
@Tvj= 150 °C
520
A. El
620
655
¿Qué es eso?
Diodo inverso
cargo por recuperación
285
el valor de la concentración
315
340
E reconocimiento
Energía de recuperación inversa del diodo
IF =900A,
VCE = 600V,
- diF/dt = 6800A/us
(Tvj= 150 °C).@Tvj= 25 °C
@Tvj= 125 °C
@Tvj= 150 °C
110
mJ
235
240

Características Eléctricas
El símbolo
Parámetro
Condiciones de ensayo
Mín.
Es el tipo.
Máx.
Unidad
V CE (sat)
Tensión de saturación colector-emisor
V El sector de la energía =15V, I C = 900A, T vj = 25°C
1.75
2.15
V
V El sector de la energía =15V, I C = 900A, T v j= 125°C
2.1
2.5
V El sector de la energía =15V, I C = 900A, T vj = 150°C
2.2
2.6
Yo El CES
Corriente de corte del colector
V El sector de la energía =15V, I C = 900A, Tvj= 25°C
1
el número de
V El sector de la energía =15V, I C = 900A, Tvj= 125°C
10
V El sector de la energía =15V, I C = 900A, Tvj= 150°C
20
Yo El GES
Corriente de fuga de la puerta
V CE =0V, V El sector de la energía el valor de la presión de escape será igual a:
4
mA
V GE (TH)
Voltaje de umbral de puerta-emisor
Yo C = 40mA, V El sector de la energía = V CE
5.0
6.0
7.0
V
t en el
Tiempo de retraso de encendido
@Tvj= 25 °C
@Tvj= 125 °C
@Tvj= 150 °C

IC =1000A,
VCE = 900V,
VGE = ±15V,
RG(OFF) = 1.8Ω,
LS = 20nH,
dv/dt =3000V/us
(Tvj= 150 °C).
@Tvj= 25 °C
@Tvj= 25 °C
@Tvj= 25 °C
1320
el Consejo
1410
1440
el número de teléfono
Tiempo de retraso de apagado
@Tvj= 25 °C
@Tvj= 125 °C
@Tvj= 150 °C
IC =1000A,
VCE = 900V,
VGE = ±15V,
RG(OFF) = 1.8Ω,
LS = 20nH,
dv/dt =3000V/us
(Tvj= 150 °C).
@Tvj= 25 °C
@Tvj= 25 °C
@Tvj= 25 °C
500
el Consejo
470
450
Yo SC
Corriente de cortocircuito
Tvj= 150°C, V CC = 800V,
V El sector de la energía ≤15V, tp≤10μs,
V CE(max) = VCES –L(*2)×di/dt,
IEC 6074-9
3800
A. El
Las
Capacidad de entrada
V CE = 25V, V El sector de la energía = 0V, f = 100kHz
147
nF (número de trabajo)
El Cres
Capacidad de transferencia inversa
V CE = 25V, V El sector de la energía = 0V, f = 100kHz
1.5
nF (número de trabajo)
El número de
Cargo por puerta
± 15 V
11.4
el valor de la concentración
E on
Pérdida de energía por encendido
@Tvj= 25 °C
@Tvj= 125 °C
@Tvj= 150 °C
IF =1000A,
VCE = 900V,
- diF/dt = 7200A/us
(Tvj= 150 °C).
340
mJ
370
385
E off
Pérdida de energía de conmutación de apagado
@Tvj= 25 °C
@Tvj= 125 °C
@Tvj= 150 °C
IIF =1000A,
VCE = 900V,
- diF/dt = 7200A/us
(Tvj= 150 °C).
350
mJ
360
385
Por qué elegirnos
1. Solo distribuimos productos de fabricantes chinos con tecnología de primera clase. Esta es nuestra medida clave.
2. Tenemos requisitos estrictos en la selección de fabricantes.
3. Tenemos la capacidad de proporcionar a los clientes soluciones alternativas desde China.
4. Contamos con un equipo responsable.
Envase del producto

MPQ:

2 piezas

Añadir caja de madera
De acuerdo con los requisitos del cliente, se pueden añadir cajas de madera para protección.



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