1 |
Modulo IGBT y Conductor |
2 |
Módulo IGCT y Conductor |
3 |
Placa de núcleo del inversor |
4 |
Modulo de diodo |
5 |
Módulo de tiristores |
6 |
Sensor de corriente |
7 |
El condensador |
8 |
Resistor |
9 |
Sistema de almacenamiento de energía |
10 |
Robots industriales y componentes principales |
11 |
Aeronaves no tripuladas civiles y componentes principales |
El símbolo |
Descripción |
Valor |
Unidad |
V El CES |
1200 |
V |
|
V CE (sat)
|
Es el tipo. |
1.85 |
V |
Yo C
|
Máx. |
1000 |
A. El |
IC ((RM) |
Máx. |
2000 |
A. El |
El símbolo |
Descripción |
Valor |
Unidad |
V El CES |
Voltagem del colector-emittente |
1700 |
V |
V El GES |
Voltagem del emisor de la puerta |
±20 |
V |
Yo C |
Corriente del colector @ Tcase = 90 °C |
1000 |
A. El |
Yo C(PK) |
Corriente de colector pico, tp=1ms, Tcase = 110 °C |
2000 |
A. El |
P máx |
Disipación máxima de potencia del transistor, Tvj = 150°C, Tcase = 25 °C |
6250 |
W |
Yo 2t |
Diodo I 2t ,V R el valor de la presión de escape P = 10ms, T vj = 150°C |
144 |
kA 2s |
V sólo
|
(Bornes comunes a la placa base), AC RMS, 1 min, 50Hz |
4000 |
V |
Yo F
|
Corriente directa del diodo |
1000 |
A. El |
Yo El MFR
|
Corriente máxima hacia adelante del diodo, tp=1ms |
2000 |
A. El |
Torques de montaje |
Montaje – M5 |
6 |
Nm |
Conexiones eléctricas – M8 |
10 |
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
Mín. |
typ |
Máx. |
Valor |
Unidad |
|
V F
|
Voltado del diodo hacia adelante |
Yo F =1000A, V G. El E = 0, Tvj = 25 °C |
1.80 |
2.20 |
V |
|||
Yo F =1000A, V El sector de la energía = 0, Tvj = 125 °C |
1.90 |
2.30 |
||||||
Yo F =1000A, V El sector de la energía = 0, Tvj = 125 °C |
1.90 |
2.30 |
||||||
Yo El MFR
|
Corriente de pico directa del diodo |
t P = 1ms |
2000 |
A. El |
||||
Yo F
|
Corriente hacia adelante del diodo, |
CC |
1000 |
A. El |
||||
No |
Diodo inverso corriente de recuperación |
IF =1000A, VCE = 900V, - diF/dt = 7200A/us (Tvj= 150 °C). @Tvj= 25 °C
@Tvj= 125 °C
@Tvj= 150 °C
|
520 |
A. El |
||||
620 |
||||||||
655 |
||||||||
¿Qué es eso? |
Diodo inverso cargo por recuperación |
285 |
el valor de la concentración |
|||||
315 |
||||||||
340 |
||||||||
E reconocimiento
|
Energía de recuperación inversa del diodo |
IF =900A, VCE = 600V, - diF/dt = 6800A/us (Tvj= 150 °C).@Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C |
110 |
mJ |
||||
235 |
||||||||
240 |
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
Unidad |
V CE (sat)
|
Tensión de saturación colector-emisor |
V El sector de la energía =15V, I C = 900A, T vj = 25°C |
1.75 |
2.15 |
V |
|
V El sector de la energía =15V, I C = 900A, T v j= 125°C |
2.1 |
2.5 |
||||
V El sector de la energía =15V, I C = 900A, T vj = 150°C |
2.2 |
2.6 |
||||
Yo El CES |
Corriente de corte del colector |
V El sector de la energía =15V, I C = 900A, Tvj= 25°C |
1 |
el número de |
||
V El sector de la energía =15V, I C = 900A, Tvj= 125°C |
10 |
|||||
V El sector de la energía =15V, I C = 900A, Tvj= 150°C |
20 |
|||||
Yo El GES
|
Corriente de fuga de la puerta |
V CE =0V, V El sector de la energía el valor de la presión de escape será igual a: |
4 |
mA |
||
V GE (TH)
|
Voltaje de umbral de puerta-emisor |
Yo C = 40mA, V El sector de la energía = V CE
|
5.0 |
6.0 |
7.0 |
V |
t en el
|
Tiempo de retraso de encendido @Tvj= 25 °C
@Tvj= 125 °C
@Tvj= 150 °C
|
IC =1000A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω, LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C). @Tvj= 25 °C
@Tvj= 25 °C
@Tvj= 25 °C
|
1320 |
el Consejo |
||
1410 |
||||||
1440 |
||||||
el número de teléfono |
Tiempo de retraso de apagado @Tvj= 25 °C
@Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C |
IC =1000A,
VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω, LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C). @Tvj= 25 °C
@Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C |
500 |
el Consejo |
||
470 |
||||||
450 |
||||||
Yo SC
|
Corriente de cortocircuito |
Tvj= 150°C, V CC = 800V, V El sector de la energía ≤15V, tp≤10μs, V CE(max) = VCES –L(*2)×di/dt, IEC 6074-9 |
3800 |
A. El |
||
Las |
Capacidad de entrada |
V CE = 25V, V El sector de la energía = 0V, f = 100kHz |
147 |
nF (número de trabajo) |
||
El Cres |
Capacidad de transferencia inversa |
V CE = 25V, V El sector de la energía = 0V, f = 100kHz |
1.5 |
nF (número de trabajo) |
||
El número de |
Cargo por puerta |
± 15 V |
11.4 |
el valor de la concentración |
||
E on
|
Pérdida de energía por encendido @Tvj= 25 °C
@Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C |
IF =1000A, VCE = 900V, - diF/dt = 7200A/us (Tvj= 150 °C). |
340 |
mJ |
||
370 |
||||||
385 |
||||||
E off
|
Pérdida de energía de conmutación de apagado @Tvj= 25 °C
@Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C |
IIF =1000A, VCE = 900V, - diF/dt = 7200A/us (Tvj= 150 °C). |
350 |
mJ |
||
360 |
||||||
385 |
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