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CRRC 1700V 2400A Módulo IGBT de Alta Tensión TIM2400ESM17-TSA000 Nuevo/Original Módulo de Potencia para Red Inteligente Choppers Inversor Convertidor

CRRC 1700V 2400A Módulo IGBT de Alta Tensión TIM2400ESM17-TSA000 Nuevo/Original Módulo de Potencia para Red Inteligente Choppers Inversor Convertidor

Introducción

Perfil de la empresa

Beijing World E To Technology Co., Ltd. es una empresa basada en la tecnología con calificaciones de importación y exportación. Fundada sobre los principios de innovación y excelencia, se encuentra a la vanguardia de las soluciones alternativas y la tecnología de semiconductores, especializándose en el diseño de productos de semiconductores, personalización contractual y distribución. Tenemos requisitos estrictos en la elección de socios de cooperación; solo colaboramos con empresas tecnológicas y fabricantes con tecnología de diseño y fabricación de primera clase. La optimización de la personalización de líneas de transmisión automática de fábrica constituye otra parte importante de nuestra fabricación bajo contrato. .

Nuestra productos

1	Modulo IGBT y Conductor
2	Módulo IGCT y Conductor
3	Placa de núcleo del inversor
4	Modulo de diodo
5	Módulo de tiristores
6	Sensor de corriente
7	El condensador
8	Resistor
9	Rele de estado sólido
10	Robots industriales y componentes principales
11	Aeronaves no tripuladas civiles y componentes principales

Descripción de los productos

Características

(1) Base de AISiC
(2) Substratos de AIN
(3) Alta capacidad de ciclado térmico
(4) Resistencia a cortocircuitos de 10μs

(5) Dispositivo de bajo Vce(sat)

(6) El Alta densidad de corriente

Aplicaciones típicas

(1) Las unidades de tracción
(2) Controladores de motores
(3) Red Inteligente
(4)Inversor de Alta Fiabilidad

TIM2400ESM17-TSA000

YMIF2400-17(E)

1700V/2400A No casado Interruptor IGBT

Parámetros clave

El símbolo	Descripción	Valor	Unidad
V _{El CES}		1700	V
V _{CE (sat)}	Es el tipo.	1.75	V
Yo _C	Máx.	2400	A. El
Yo _C(RM)	IC ((RM)	4800	A. El

Clasificaciones máximas absolutas

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Valor	Unidad
V _{El CES}	Voltagem del colector-emittente	V _{El sector de la energía}= 0V, T _C= 25 °C	1700	V
V _{El GES}	Voltagem del emisor de la puerta	T _C= 25 °C	±20	V
Yo _C	Corriente colector-emitente	T _C= 75°C	2400	A. El
Yo _C(PK)	Corriente máxima del colector	t _P=1 ms	4800	A. El
P _máx	Disposición máxima de energía del transistor	Tvj= 150°C, TC= 25 °C	19200	W
Yo ²t	Diodo I ²t	V _Rel valor de la presión de escape _P= 10ms, Tvj= 150 °C	1170	kA ²s
El visol	Voltaje de aislamiento –por módulo	( Terminales comunes a la placa base), AC RMS, 1 min, 50Hz, T _C= 25 °C	4000	V
¿Qué es? _PD	Descarga parcial–por módulo	IEC1287. V1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS	10	pC

Datos térmicos y mecánicos

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Máx.	Valor		Unidad
R _{th(J-C) IGBT}	Resistencia térmica – IGBT			6.5	K / kW		℃
R _{th(J-C) Diodo}	Resistencia térmica – Diodo			13	K / kW		℃
R _{th(C-H) IGBT}	Resistencia térmica – de la carcasa al disipador de calor (IGBT)	Par de montaje 5Nm, con grasa de montaje 1W/m·°C		6	K / kW		℃
T _vj	Temperatura de funcionamiento de las uniones	El IGBT	-40	150	°C
T _vj	Temperatura de funcionamiento de las uniones			Diodo	-40	150	°C
M	Par de tornillo	Montaje –M6		5	nm
				Conexiones eléctricas –M4		2	nm
				Conexiones eléctricas –M8		10	nm

Características Eléctricas

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidad
Yo _{El CES}	Corriente de corte del colector	V _{El sector de la energía}= 0V, V _CE= V _{El CES}			1	el número de
				V _{El sector de la energía}= 0V, V _CE= V _{El CES}, T _C= 125 °C			40	el número de
				V _{El sector de la energía}= 0V, V _CE= V _{El CES}, T _C= 150 °C			60	el número de
Yo _{El GES}	Corriente de fuga de la puerta	V _{El sector de la energía}= ±20V, V _CEel valor de la energía			1	mA
V _{GE (TH)}	Voltagem de umbral de la puerta	Yo _C= 40mA, V _{El sector de la energía}= V _CE	5.0	6.0	7.0	V
V _{CE (sat)}	Tensión de saturación colector-emisor	VGE=15V, IC= 1200A,Tvj = 25 °C		1.75		V
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C		1.95		V
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 150 °C		2.05		V
Yo _F	Corriente de diodo hacia adelante	CC		2400		A. El
Yo _{El MFR}	Corriente de pico directa del diodo	t _P= 1ms		4800		A. El
V _F	Voltado del diodo hacia adelante	Yo _F= 250A, V _{El sector de la energía}= 0		1.65		V
				Yo _F= 250A, V _{El sector de la energía}= 0, T _vj= 125 °C		1.75		V
				Yo _F= 250A, V _{El sector de la energía}= 0, T _vj= 150 °C		1.75		V
Yo _SC	Corriente de cortocircuito	Tvj= 150°C, V _CC= 1000V, V _{El sector de la energía}≤15V, tp≤10μs, V _CE(max)= V _{El CES}–L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		12000		A. El
Las	Capacidad de entrada	V _CE= 25V, V _{El sector de la energía}= 0V, f = 100kHz		400		nF (número de trabajo)
El número de	Cargo por puerta	±15		19		el valor de la concentración
El Cres	Capacidad de transferencia inversa	V _CE= 25V, V _{El sector de la energía}= 0V, f = 100kHz		3.0		nF (número de trabajo)
L _M	Inductancia del módulo			10		nH
R _INT	Resistencia interna del transistor			110		mΩ

T caso = 25°C a menos que se indique lo contrario

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín

Typ

Máx

Unidad

t _{no se puede}

Tiempo de retraso de apagado

Yo _C= 2400A
V _CE= 900V
L _S~ 50nH
V _{El sector de la energía}= ±15V
R _{G (((ON)}= 0.5Ω
R _{G ((OFF)}= 0.5Ω

2320

el Consejo

E _Off

Pérdida de energía de apagado

500

t _{en el}

Tiempo de retraso de encendido

1050

el Consejo

E _On

Pérdida de energía por encendido

410

¿Qué es? _rR

Carga de recuperación inversa del diodo

Yo _F= 2400A
V _CE= 900V
diF/dt =10000A/us

480

el valor de la concentración

Yo _rR

Corriente de recuperación inversa del diodo

1000

A. El

E _{reconocimiento}

Energía de recuperación inversa del diodo

320

T caso = 150°C a menos que se indique lo contrario

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín

Typ

Máx

Unidad

t _{no se puede}

Tiempo de retraso de apagado

Yo _C= 2400A
V _CE= 900V
L _S~ 50nH
V GE = ±15V
R _{G (((ON)}= 0.5Ω
R _G(Apagado)= 0,5Ω

2340

el Consejo

E _Off

Pérdida de energía de apagado

1400

t _{en el}

Tiempo de retraso de encendido

450

el Consejo

E _On

Pérdida de energía por encendido

820

¿Qué es? _rR

Carga de recuperación inversa del diodo

Yo _F= 2400A
V _CE= 900V
diF/dt =10000A/us

820

el valor de la concentración

Yo _rR

Corriente de recuperación inversa del diodo

1250

A. El

E _{reconocimiento}

Energía de recuperación inversa del diodo

620

Por qué elegirnos

1. Solo distribuimos productos de fabricantes chinos con tecnología de primera clase. Esta es nuestra medida clave.
2. Tenemos requisitos estrictos en la selección de fabricantes.
3. Tenemos la capacidad de proporcionar a los clientes soluciones alternativas desde China.
4. Contamos con un equipo responsable.

Envase del producto