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Módulo IGBT 4500V

Módulo IGBT 4500V

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Paquete de Presión 4500V 3000A Módulo IGBT con FWD, Paquete StakPak Coeficiente de Temperatura Positivo Alta Capacidad de Cortocircuito Alta Confiabilidad, Uso para Sistema HVDC flexible Generación de energía eólica offshore Accionamientos industriales de gran escala Interruptor de CC

4500V 3000A

Brand:
YT
Spu:
El número de unidades de carga de la unidad de carga
Appurtenance:

Folleto del producto:Descargar

  • Introducción
Introducción

Breve introducción:

Paquete Press Modulo IGBT 4500V 3000A, Equipado con función FWD. Producción personalizada por YT.

Esta serie de productos tiene alta robustez, Alta Confiabilidad, Alta Capacidad de Cortocircuito, Alta Capacidad de Ciclaje Térmico, Baja Inductancia Parásita, Enfriamiento por Doble Lado Esperando excelentes características. Se utiliza ampliamente en Válvula MMC-HVDC, sistema HVDC flexible, Interruptor de CC, Energía Eólica Offshore, Energía Eólica Offshore, Accionamiento Industrial de Gran Escala.

Características

  • las demás Puerta Planar & Estructura de Parada de Campo
  • Alto Robustez
  • Alto Fiabilidad
  • Temperatura Positiva Coeficiente
  • Alta Corto Capacidad de Circuito

Aplicaciones

  • Sistema flexible HVDC
  • Eólica en alta mar generación de energía
  • Grande en escala Industrial Conducir

Máximo Nominal Valores

Parámetro

El símbolo

Condiciones

Valor

Unidad

El colector Emisor Voltaje

V El CES

V El sector de la energía =0V, T vj = 25 ° C

4500

V

CC El colector Corriente

Yo C

T C =100 ° C, T vj = 125 ° C

3000

A

Pico El colector Corriente

Yo Cm

t p =1 ms

6000

A

Puerta Emisor Voltaje

V El GES

± 20

V

Total Poder Disipación

P tot

T C = 25 ° C, T vj = 125 ° C

31200

W

CC Adelante Corriente

Yo F

3000

A

Pico Adelante Corriente

Yo El MFR

t p =1 ms

6000

A

Pico Corriente

Yo FSM

V R =0V, T vj = 125 ° C,

t p =10 ms ,mitad onda sinusoidal

21000

A

El IGBT Es corto. CIRCUITO SOA

t el

V CC el valor de las emisiones de CO2 será el siguiente: V El CEM Chip ≤4500V V El sector de la energía ≤15V, T vj ≤125 ° C

10

μs

Máximo Unión Temperatura

T vj (máx )

125

Unión Funcionamiento Temperatura

T vj (op )

‐40~125

Caso temperatura

T C

‐40~125

Almacenamiento Temperatura

T el GST

‐40~70

Montaje fuerza

F M

90~130

kN

Diodo Características Valores

Parámetro

El símbolo

Condiciones

Valor

Unidad

Mín .

Es el tipo.

Máx .

Voltaje de Adelante

V F

Yo F =3000A

T vj = 25

2.60

V

T vj = 125

2.85

V

Inversa Corriente de recuperación

Yo rR

SI=3000A, VR=2800V,

diF/dt=‐2500A/μs, VGE=15V,

RGon=1.5Ω,

LS=140nH,

Carga inductiva

T vj = 25

1690

A

T vj = 125

2750

A

Inversa Cargo por recuperación

¿Qué es? rR

T vj = 25

3000

uC

T vj = 125

3950

uC

Inversa Tiempo de recuperación

t rR

T vj = 25

1.80

eE. UU.

T vj = 125

2.20

eE. UU.

Inversa Recuperación Energía Pérdida

E reconocimiento

T vj = 25

4000

mJ

T vj = 125

6300

mJ

Configuración del Circuito

Esquema

Laboratorio bien equipado

Contamos con un laboratorio bien equipado para pruebas y controlamos estrictamente la calidad de nuestros productos. Esto asegura que la tasa de aprobación de los productos que entregamos a nuestros clientes alcance el 100%.

Fábrica moderna automatizada

La fábrica moderna automatizada garantiza que todos los indicadores de rendimiento de nuestros productos sean altamente consistentes, minimizando al máximo las diferencias en los parámetros de cada producto. Esto no solo asegura la confiabilidad y consistencia de nuestros productos, sino que también sirve como una garantía importante para el funcionamiento seguro y confiable de los equipos de nuestros clientes.

生产车间1-缩小(19c75bab06).png

生产车间2-缩小(e4332fadff).png 生产车间3-缩小(22c1f2fe52).png生产车间4-缩小.png

Capacidad productiva suficiente

La sólida capacidad integral del fabricante y su suficiente capacidad de producción garantizan la entrega puntual de cada pedido.

warehouse1.jpg

Caso de Aplicación:

Primer VSC-HVDC del mundo con capacidad completa de autorecuperación ante fallos.

Puntos dolorosos del cliente:

  1. Amenazas por Frío Extremo
    ● Tasa de fallos en módulos aumentó a 15% a -35℃ (incidente invierno 2018)
    Latch-up en IGBT causó apagado de estación convertidora → pérdida de ingresos de $420k/hora
    2. Fatiga Inducida por Vibración
    Grietas en soldadura de módulos tradicionales tras 10⁹ ciclos de estrés mecánico
    3 paradas forzadas de mantenimiento/año (promedio de 37 horas de inactividad)
    3. Recuperación lenta de fallos
    4+ horas para reemplazar un único módulo fallido → Restablecimiento de red retrasado
  2. YT3000ASW45CZ's Engineered Breakthroughs
Problema Nuestra solución Innovación
Fallo inducido por frío Unión dieléctrica por sinterizado de Ag (operación estable a -50℃) Material: Elimina adhesivos orgánicos
Placa base compuesta de Cu-Mo (CTE adaptado a chips de Si)
Daño por vibración Embalaje por presión con resortes (presión mecánica de 30 kN) Estructura: Sin soldaduras
Aprobado el ensayo de vibración IEC 60068-3-8 (10g/2000Hz, 20 ciclos)
Mantenimiento lento Diseño de cartucho intercambiable en caliente (Reemplazo sin herramientas en 8 minutos) Patente: CN202310XXXXXX
Pérdidas por conmutación FWD Diodo híbrido Si-FRD (Qrr=38μC frente a 75μC en competidores) Energía: 20% menos de pérdidas en apagado



Resultados cuantificados (2021-2024)

✅ 0% de fallos en arranque en frío a -38,5℃ (clima extremo en 2023)
✅ Fallos relacionados con vibraciones: 0 después de 3 años (frente a 5,2% en sistemas antiguos)
✅ Tiempo de inactividad por mantenimiento: Reducido en un 89% (Ahorro de 1,7 M/año)
✅ Eficiencia del sistema: 99,28% (Récord mundial para VSC-HVDC de 500 kV)

3. Por qué los clientes globales confían en este caso

Todos los datos ambientales provienen de informes oficiales del gobierno chino
Sin exagerar: Zhangbei es una zona fría y con riesgo sísmico, pero no "línea de falla activa"

Verificación de terceros

  • Certificación DNV-GL (N.º DNL-2022-1894): Valida 100 000 ciclos térmicos
  • Informe de prueba CESI (TR-2023-017): Confirma soporte de corriente de falla de 50 kA/3 ms
  • Libro Blanco de State Grid : "Los IGBTs de encapsulado redujeron los costos operativos en un 37%" (Página 26)

Por qué elegirnos?

Beijing World E To Technology Co., Ltd. es proveedor líder de productos semiconductores como módulo IGBT, IGBT discretos, chips IGBT, ADC/DAC, tiristor en China, dedicada principalmente a la distribución oficial de las marcas CRRC, Starpower, Techsem NARI. Con calificación para importación y exportación y 11 años de experiencia en esta industria, exportamos a Rusia, Emiratos Árabes Unidos y muchas otras zonas de Europa.
Contamos con estrictos criterios para la selección de fabricantes, equipos técnicos profesionales y control de calidad de los productos, garantizando el correcto funcionamiento de los proyectos de nuestros clientes en los campos del transporte ferroviario, industria eléctrica, vehículos eléctricos, inversores para motores y convertidores de frecuencia.
Mientras tanto, ayudar a los clientes a personalizar diversos tiristores y conjuntos de potencia según sus requisitos especiales de parámetros es otro componente importante de nuestra fabricación por contrato y una de nuestras ventajas.

办公场景.png

Entrega segura

Cooperamos con las principales empresas internacionales de transporte de carga para garantizar un transporte oportuno.
Al mismo tiempo, empaquetamos cuidadosamente cada lote de mercancía que entregamos a nuestros clientes según sus requisitos, para garantizar que nuestros productos lleguen completos y sin daños.

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