Breve introducción:
Paquete Press Modulo IGBT 4500V 3000A, Estructura circular. Producción personalizada por YT.
Esta serie de productos tiene alta robustez, Alta Confiabilidad, Alta Capacidad de Cortocircuito, Alta Capacidad de Ciclaje Térmico, Baja Inductancia Parásita, Enfriamiento por Doble Lado Esperando excelentes características. Se utiliza ampliamente en Válvula MMC-HVDC, sistema HVDC flexible, Interruptor de CC, Energía Eólica Offshore, Energía Eólica Offshore, Accionamiento Industrial de Gran Escala.
Características
Alta fiabilidad gracias a la estructura de sellado hermético
Refrigeración doble por ambos lados
Alta confiabilidad
Coeficiente de Temperatura Positivo
Alta capacidad de cortocircuito y
Aplicaciones
- Transmisión y distribución de energía eléctrica
- Sistema flexible HVDC
- Conmutación de alta potencia
-
Controlador de motor s
En absoluto Máximo Calificaciones (Nota) (T c = 25 ℃ , a menos que de otro modo especificado)
Características |
El símbolo |
Nota |
Condición de ensayo |
Calificación |
Unidad |
Voltagem del colector-emittente |
VCES |
|
|
4500 |
V |
Voltagem del emisor de la puerta |
V GES |
|
|
±20 |
V |
Corriente de colector (CC) |
CI |
(Nota 1) |
|
3000 |
A |
Corriente de colector (pulsada) |
ICP |
(Nota 2) |
|
6000 |
A |
Disipación de potencia del colector |
PC |
(Nota 3) |
T f = 25 ℃ |
25879 |
W |
Temperatura de unión |
Tj |
|
|
-40 a 150 |
℃ |
Temperatura de funcionamiento de las uniones |
Tj(opr) |
|
|
-40 a 125 |
℃ |
Temperatura del caso |
Tc |
|
|
-40 a 85 |
℃ |
Temperatura de almacenamiento |
TSTG |
|
|
-40 a 125 |
℃ |
Fuerza de Montaje |
|
|
|
59 a 70 |
kN |
Eléctrico Caract erísticas
Características |
El símbolo |
Condición de ensayo |
Mín |
Es el tipo. |
Máx |
Unidad |
Corriente de Fuga de Puerta-Emisor |
El IGES |
V GE = ±20 V, VCE = 0 V, Tj = 25 ℃ |
|
|
±100 |
nA |
Corriente de Corte Colector-Emisor |
El CIEM |
VCE = 4500 V, V GE = 0 V, Tj = 25 ℃ |
|
|
0.2 |
el número de |
Tensión de corte entre puerta y emisor |
V GE(off) |
IC = 3,0 A, VCE = 5 V, Tj = 25 ℃ |
6.70 |
7.20 |
7.70 |
V |
Tensión de saturación colector-emisor |
VCE (sat) |
IC = 3000 A, V GE = 15 V, Tj = 25 ℃ |
|
2.10 |
|
V |
IC = 3000 A, V GE = 15 V, Tj = 150 ℃ |
|
2.60 |
3.05 |
Capacidad de entrada |
Las |
VCE = 10 V, V GE = 0 V,f = 100 kHz, Tj = 25 ℃ |
|
402 |
|
nF (número de trabajo) |
Tiempo de conmutación (tiempo de subida) |
tr |
V CC = 2800 V, IC = 3000 A,
V GE = ±15 V, RG(on) = 2,2 Ω , RG(off) = 39 Ω , Tj = 150 ℃
(Carga inductiva, Diodo:3000GXHH32, Ls ≈
300 nH)
Véase la fig. 6.1 y la fig. 6.2
|
— |
0.44 |
— |
μs |
Tiempo de conmutación (retardo de activación) |
en el momento en que se inicia |
— |
0.38 |
— |
μs |
Tiempo de conmutación (tiempo de activación) |
tones |
— |
0.82 |
— |
μs |
Tiempo de conmutación (tiempo de caída) |
tF |
— |
2.20 |
— |
μs |
Tiempo de conmutación (retardo de desactivación) |
el número de teléfono |
— |
11.40 |
— |
μs |
Tiempo de conmutación (tiempo de desactivación) |
toff |
— |
13.60 |
— |
μs |
Pérdida de conmutación de encendido |
El EON |
— |
8.00 |
— |
J |
Pérdida de conmutación de apagado |
E OFF |
— |
20.00 |
— |
J |
Ancho de pulso de cortocircuito |
tPSC |
V CC = 3400 V, V GE = ±15 V,
RG(on) = 2,2 Ω , RG(off) = 39 Ω , Ls ≈ 150 nH
Tj = 125 ℃
|
— |
— |
10 |
μs |
Configuración del Circuito
Esquema
Laboratorio bien equipado
Contamos con un laboratorio bien equipado para pruebas y controlamos estrictamente la calidad de nuestros productos. Esto asegura que la tasa de aprobación de los productos que entregamos a nuestros clientes alcance el 100%.
Fábrica moderna automatizada
La fábrica moderna automatizada garantiza que todos los indicadores de rendimiento de nuestros productos sean altamente consistentes, minimizando al máximo las diferencias en los parámetros de cada producto. Esto no solo asegura la confiabilidad y consistencia de nuestros productos, sino que también sirve como una garantía importante para el funcionamiento seguro y confiable de los equipos de nuestros clientes.
Capacidad productiva suficiente
La sólida capacidad integral del fabricante y su suficiente capacidad de producción garantizan la entrega puntual de cada pedido.
Caso de Aplicación:
Primer VSC-HVDC del mundo con capacidad completa de autorecuperación ante fallos.
Puntos dolorosos del cliente:
-
Amenazas por Frío Extremo
● Tasa de fallos en módulos aumentó a 15% a -35℃ (incidente invierno 2018)
● Latch-up en IGBT causó apagado de estación convertidora → pérdida de ingresos de $420k/hora
2. Fatiga Inducida por Vibración
● Grietas en soldadura de módulos tradicionales tras 10⁹ ciclos de estrés mecánico
● 3 paradas forzadas de mantenimiento/año (promedio de 37 horas de inactividad)
3. Recuperación lenta de fallos
● 4+ horas para reemplazar un único módulo fallido → Restablecimiento de red retrasado
- YT3000ASW45CZ's Engineered Breakthroughs
| Problema |
Nuestra solución |
Innovación |
| Fallo inducido por frío |
Unión dieléctrica por sinterizado de Ag (operación estable a -50℃) |
Material: Elimina adhesivos orgánicos |
|
Placa base compuesta de Cu-Mo (CTE adaptado a chips de Si) |
|
| Daño por vibración |
Embalaje por presión con resortes (presión mecánica de 30 kN) |
Estructura: Sin soldaduras |
|
Aprobado el ensayo de vibración IEC 60068-3-8 (10g/2000Hz, 20 ciclos) |
|
| Mantenimiento lento |
Diseño de cartucho intercambiable en caliente (Reemplazo sin herramientas en 8 minutos) |
Patente: CN202310XXXXXX |
| Pérdidas por conmutación FWD |
Diodo híbrido Si-FRD (Qrr=38μC frente a 75μC en competidores) |
Energía: 20% menos de pérdidas en apagado |
Resultados cuantificados (2021-2024)
✅ 0% de fallos en arranque en frío a -38,5℃ (clima extremo en 2023)
✅ Fallos relacionados con vibraciones: 0 después de 3 años (frente a 5,2% en sistemas antiguos)
✅ Tiempo de inactividad por mantenimiento: Reducido en un 89% (Ahorro de 1,7 M/año)
✅ Eficiencia del sistema: 99,28% (Récord mundial para VSC-HVDC de 500 kV)
3. Por qué los clientes globales confían en este caso
Todos los datos ambientales provienen de informes oficiales del gobierno chino
Sin exagerar: Zhangbei es una zona fría y con riesgo sísmico, pero no "línea de falla activa"
Verificación de terceros
Por qué elegirnos?
Beijing World E To Technology Co., Ltd. es proveedor líder de productos semiconductores como módulo IGBT, IGBT discretos, chips IGBT, ADC/DAC, tiristor en China, dedicada principalmente a la distribución oficial de las marcas CRRC, Starpower, Techsem NARI. Con calificación para importación y exportación y 11 años de experiencia en esta industria, exportamos a Rusia, Emiratos Árabes Unidos y muchas otras zonas de Europa.
Contamos con estrictos criterios para la selección de fabricantes, equipos técnicos profesionales y control de calidad de los productos, garantizando el correcto funcionamiento de los proyectos de nuestros clientes en los campos del transporte ferroviario, industria eléctrica, vehículos eléctricos, inversores para motores y convertidores de frecuencia.
Mientras tanto, ayudar a los clientes a personalizar diversos tiristores y conjuntos de potencia según sus requisitos especiales de parámetros es otro componente importante de nuestra fabricación por contrato y una de nuestras ventajas.
Entrega segura
Cooperamos con las principales empresas internacionales de transporte de carga para garantizar un transporte oportuno.
Al mismo tiempo, empaquetamos cuidadosamente cada lote de mercancía que entregamos a nuestros clientes según sus requisitos, para garantizar que nuestros productos lleguen completos y sin daños.
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