600V~1800V,410F3
Folleto del producto:DESCARGAR
Breve introducción
Módulos de diodo de recuperación rápida , MZ x40 0,Enfriamiento por Aire ,producido por TECHSEM.
VIRM |
Tipo y contorno |
|
600V 800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V 1800V |
MZx400-06-410F3 MZx400-08-410F3 MZx400-10-410F3 MZx400-12-410F3 MZx400-14-410F3 MZx400-16-410F3 MZx400-18-410F3 MZ400-18-410F3G |
Características ：
Aplicaciones típicas ：
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El símbolo |
Características |
Condiciones de ensayo |
Tj( ℃ ) |
Valor |
Unidad |
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Mín |
Tipo |
Máx |
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IF(AV) |
Corriente media directa |
180。media onda senoidal 50Hz Enfriado por un solo lado, TC=85 。C |
140 |
|
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400 |
A. El |
IF (RMS) |
Corriente directa RMS |
|
|
628 |
A. El |
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MIRR |
Corriente pico repetitiva |
en VRRM |
140 |
|
|
90 |
el número de |
El IFSM |
Corriente de avance de sobretensión |
10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM |
140 |
|
|
9.5 |
kA |
Yo 2t |
I2t para coordinación de fusibles |
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451 |
103A. El 2s |
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VFO |
Voltaje de umbral |
|
140 |
|
|
1.10 |
V |
rF |
Resistencia de pendiente directa |
|
|
0.27 |
mΩ |
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VFM |
Voltaje directo pico |
IFM= 1200A |
25 |
|
|
2.00 |
V |
trr |
Tiempo de recuperación inversa |
IFM=300A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR=50V |
140 |
|
4 |
|
μs |
25 |
|
3 |
|
μs |
|||
Rth(j-c) |
Resistencia térmica unión a carcasa |
Enfriado por un lado por chip |
|
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|
0.090 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Resistencia térmica de la caja al disipador |
Enfriado por un lado por chip |
|
|
|
0.020 |
℃ /W |
VISO (en inglés) |
Voltaje de aislamiento |
50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
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3000 |
|
|
V |
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- ¿ Qué? |
El par de conexión del terminal ((M12) |
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12.0 |
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14.0 |
Nuevo Méjico |
El par de montaje ((M8) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
Nuevo Méjico |
|
TVj |
Temperatura de unión |
|
|
-40 |
|
140 |
℃ |
TSTG |
Temperatura almacenada |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
El |
Peso |
|
|
|
3310 |
|
g. El |
Esquema |
410F3 |
||||||
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