Breve introducción:
Módulos IGBT de alta tensión, interruptor único producidos por CRRC. 4500V 650A.
Características
-
Conjunto de chip SPT+ para bajas pérdidas
-
Baja V CEsat
-
Bajo control potencia
-
Aplaca base lSiC para alta potencia c ciclado capacidad y
-
Sustrato de AlN para baja resistencia
Típico aplicación
- Las unidades de tracción
- Cortador DC
- Inversores/convertidores de alta tensión
Valores nominales máximos
Parámetro/参数 |
Símbolo/符号 |
Condiciones/条件 |
mIN |
máx. |
UNIDAD |
Voltagem del colector-emittente 集电极 -发射极电压 |
V El CES |
V GE =0V,T vj ≥25°C |
|
4500 |
V |
Colector DC actual 集电极电流 (cuadro de las corrientes eléctricas) |
IC |
T C =80°C |
|
650 |
A |
Pico de colector actual 集电极峰值电流 |
ICm |
tp=1ms,Tc=80°C |
|
1300 |
A |
Voltagem del emisor de la puerta 栅极发射极电压 |
V El GES |
|
-20 |
20 |
V |
Total disipación de potencia pérdida total de potencia |
Ptot |
T C =25°C,perswitch(IGBT) |
|
6670 |
A |
Corriente directa DC 直流正向电流 |
IF |
|
|
650 |
A |
Corriente directa pico 峰值正向电流 |
IEl MFR |
tP=1 ms |
|
1300 |
A |
Pico actual corriente de sobretensión |
IFSM |
V Barra =0V,T vj =125°C,tp=10ms, onda media seno |
|
5300 |
A |
Corto IGBT cIRCUITO SOA IGBT 短路安全工作区 |
t el
|
V CC =3400V,V CEMCHIP ≤4500V V GE ≤15V,Tvj≤125°C
|
|
10
|
μ s
|
Voltaje de aislamiento 绝缘 electricidad |
V sólo |
1min, f=50Hz |
|
10200 |
V |
Temperatura de unión 结温 |
T vj |
|
|
150 |
℃ |
Temperatura de operación de unión erature trabajo frío |
T vj(op) |
|
-50 |
125 |
℃ |
Temperatura del caso 温 |
T C |
|
-50 |
125 |
℃ |
Temperatura de almacenamiento temperatura de almacenamiento |
T el GST |
|
-50 |
125 |
℃ |
Torques de montaje término de carga |
MS |
|
4 |
6 |
Nm
|
MT 1 |
|
8 |
10 |
MT 2 |
|
2 |
3 |
Valores de las características de las IGBT
Parámetro/参数 |
Símbolo/符号 |
Condiciones/条件 |
MIN |
tipo |
máx. |
UNIDAD |
|
El colector (- emisor) ruptura tensión
集电极 -发射极阻断电压
|
V (BR)CES
|
V GE =0V,IC=10mA, Tvj=25°C |
4500
|
|
|
V
|
|
Saturación del colector-emittente tensión
集电极 -发射极饱和电压
|
V CEsat
|
IC =650A, V GE =15V |
Tvj= 25°C |
|
2.7 |
3.2 |
V |
Tvj=125°C |
|
3.4 |
3.8 |
V |
Corte de colector actual 集电极截止电流 (cuadro de las corrientes eléctricas) |
IEl CES |
V CE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. V GE el valor de la energía de la corriente |
Tvj= 25°C |
|
|
10 |
el número de |
Tvj=125°C |
|
|
100 |
el número de |
Puerta corriente de fuga 极漏电流 (极 fuga de energía) |
IEl GES |
V CE =0V,V GE =20V, T vj = 125°C |
-500 |
|
500 |
nA |
Voltaje de umbral de puerta-emisor 栅极发射极阀值电压 |
V El número de personas |
IC =160mA,V CE =V GE , T vj = 25°C |
4.5 |
|
6.5 |
V |
Puerta cargar 极电荷 (cuadro de las unidades de carga) |
Qg |
IC =650A,V CE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. V GE el valor de la presión de escape … 15V |
|
5.4 |
|
el valor de la concentración |
Capacidad de entrada capacidad de entrada |
Cies |
V CE =25V,V GE =0V, f=1MHz,T vj = 25°C
|
|
71.4 |
|
nF (número de trabajo)
|
Capacidad de salida capacidad de salida |
Ces |
|
4.82 |
|
Capacidad de transferencia inversa capacitancia de transferencia inversa |
Cres |
|
1.28 |
|
Retraso de encendido hora 开通延迟时间 |
t en el |
V CC el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.
IC =650A,
Barra G =2.2ω ,
V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.
Lσ =280nH,
感性负载 (carga de la sensibilidad)
|
TVj = 25 °C |
|
420 |
|
el Consejo
|
TVj = 125 °C |
|
528 |
|
Tiempo de ascenso ¿Qué pasa? |
t barra |
TVj = 25 °C |
|
160 |
|
TVj = 125 °C |
|
190 |
|
Tiempo de retraso de apagado tiempo de apagado |
t d (off ) |
TVj = 25 °C |
|
2100 |
|
el Consejo
|
TVj = 125 °C |
|
2970 |
|
Tiempo de caída ¿Qué pasa? |
t f |
TVj = 25 °C |
|
1600 |
|
TVj = 125 °C |
|
2760 |
|
Conmutación de encendido pérdida de energía pérdida de energía al encender |
Eactivado |
TVj = 25 °C |
|
1000 |
|
mJ |
TVj =125 °C |
|
1600 |
|
Cambiar el encendido pérdida de energía pérdida de energía al apagar |
Eoff |
TVj = 25 °C |
|
2000 |
|
mJ |
TVj =125 °C |
|
2740 |
|
Cortocircuito actual corriente de cortocircuito |
ISC |
t el ≤ 10μ s, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj = 125°C,V CC = 3400V |
|
3940 |
|
A |
Valores característicos del diodo
Parámetro/参数 |
Símbolo/符号 |
Condiciones/条件 |
mIN |
tipo |
máx. |
UNIDAD |
Voltaje de Adelante voltaje directo |
V F |
IF =650A |
TVj = 25 °C |
|
3.2 |
|
V |
TVj = 125 °C |
|
3.6 |
|
Inversa corriente de recuperación corriente de recuperación inversa |
IrR |
V CC el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.
IC =650A,
Barra G =2.2ω ,
V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.
Lσ =280nH,
感性负载 (carga de la sensibilidad)
|
TVj = 25 °C |
|
1200 |
|
A |
TVj = 125 °C |
|
1300 |
|
A |
Cargo recuperado carga de recuperación |
QrR |
TVj = 25 °C |
|
450 |
|
el valor de la concentración |
TVj = 125 °C |
|
550 |
|
el valor de la concentración |
Inversa tiempo de recuperación tiempo de recuperación inversa |
t rR |
TVj = 25 °C |
|
660 |
|
el Consejo |
TVj = 125 °C |
|
750 |
|
Inversa energía de recuperación energía de recuperación inversa |
Ereconocimiento |
TVj =25 °C |
|
720 |
|
mJ |
TVj = 125 °C |
|
860 |
|