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Módulo IGBT 4500V

Módulo IGBT 4500V

Página de inicio/Productos/Módulo IGBT/Módulo IGBT 4500V

CRRC, YMIF650-45, Módulo IGBT, 4500 V, 650 A

IGBT de conmutación individual, CRRC

Brand:
CRRC
Spu:
El número de unidades de producción
  • Introducción
  • Esquema
Introducción

Breve introducción:

Módulos IGBT de alta tensión, interruptor único producidos por CRRC. 4500V 650A.

Características

  • Conjunto de chip SPT+ para bajas pérdidas
  • Baja V CEsat
  • Bajo control potencia
  • Aplaca base lSiC para alta potencia c ciclado capacidad y
  • Sustrato de AlN para baja resistencia

Típico aplicación

  • Las unidades de tracción
  • Cortador DC
  • Inversores/convertidores de alta tensión

Valores nominales máximos

Parámetro/参数

Símbolo/符号

Condiciones/条件

mIN

máx.

UNIDAD

Voltagem del colector-emittente 集电极 -发射极电压

V El CES

V GE =0V,T vj ≥25°C

4500

V

Colector DC actual 集电极电流 (cuadro de las corrientes eléctricas)

IC

T C =80°C

650

A

Pico de colector actual 集电极峰值电流

ICm

tp=1ms,Tc=80°C

1300

A

Voltagem del emisor de la puerta 栅极发射极电压

V El GES

-20

20

V

Total disipación de potencia pérdida total de potencia

Ptot

T C =25°C,perswitch(IGBT)

6670

A

Corriente directa DC 直流正向电流

IF

650

A

Corriente directa pico 峰值正向电流

IEl MFR

tP=1 ms

1300

A

Pico actual corriente de sobretensión

IFSM

V Barra =0V,T vj =125°C,tp=10ms, onda media seno

5300

A

Corto IGBT cIRCUITO SOA IGBT 短路安全工作区

t el

V CC =3400V,V CEMCHIP ≤4500V V GE ≤15V,Tvj≤125°C

10

μ s

Voltaje de aislamiento 绝缘 electricidad

V sólo

1min, f=50Hz

10200

V

Temperatura de unión 结温

T vj

150

℃

Temperatura de operación de unión erature trabajo frío

T vj(op)

-50

125

℃

Temperatura del caso 温

T C

-50

125

℃

Temperatura de almacenamiento temperatura de almacenamiento

T el GST

-50

125

℃

Torques de montaje término de carga

MS

4

6

Nm

MT 1

8

10

MT 2

2

3

Valores de las características de las IGBT

Parámetro/参数

Símbolo/符号

Condiciones/条件

MIN

tipo

máx.

UNIDAD

El colector (- emisor) ruptura tensión

集电极 -发射极阻断电压

V (BR)CES

V GE =0V,IC=10mA, Tvj=25°C

4500

V

Saturación del colector-emittente tensión

集电极 -发射极饱和电压

V CEsat

IC =650A, V GE =15V

Tvj= 25°C

2.7

3.2

V

Tvj=125°C

3.4

3.8

V

Corte de colector actual 集电极截止电流 (cuadro de las corrientes eléctricas)

IEl CES

V CE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. V GE el valor de la energía de la corriente

Tvj= 25°C

10

el número de

Tvj=125°C

100

el número de

Puerta corriente de fuga 极漏电流 (极 fuga de energía)

IEl GES

V CE =0V,V GE =20V, T vj = 125°C

-500

500

nA

Voltaje de umbral de puerta-emisor 栅极发射极阀值电压

V El número de personas

IC =160mA,V CE =V GE , T vj = 25°C

4.5

6.5

V

Puerta cargar 极电荷 (cuadro de las unidades de carga)

Qg

IC =650A,V CE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. V GE el valor de la presión de escape … 15V

5.4

el valor de la concentración

Capacidad de entrada capacidad de entrada

Cies

V CE =25V,V GE =0V, f=1MHz,T vj = 25°C

71.4

nF (número de trabajo)

Capacidad de salida capacidad de salida

Ces

4.82

Capacidad de transferencia inversa capacitancia de transferencia inversa

Cres

1.28

Retraso de encendido hora 开通延迟时间

t en el

V CC el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

IC =650A,

Barra G =2.2ω ,

V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

Lσ =280nH,

感性负载 (carga de la sensibilidad)

TVj = 25 °C

420

el Consejo

TVj = 125 °C

528

Tiempo de ascenso ¿Qué pasa?

t barra

TVj = 25 °C

160

TVj = 125 °C

190

Tiempo de retraso de apagado tiempo de apagado

t d (off )

TVj = 25 °C

2100

el Consejo

TVj = 125 °C

2970

Tiempo de caída ¿Qué pasa?

t f

TVj = 25 °C

1600

TVj = 125 °C

2760

Conmutación de encendido pérdida de energía pérdida de energía al encender

Eactivado

TVj = 25 °C

1000

mJ

TVj =125 °C

1600

Cambiar el encendido pérdida de energía pérdida de energía al apagar

Eoff

TVj = 25 °C

2000

mJ

TVj =125 °C

2740

Cortocircuito actual corriente de cortocircuito

ISC

t el ≤ 10μ s, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj = 125°C,V CC = 3400V

3940

A

Valores característicos del diodo

Parámetro/参数

Símbolo/符号

Condiciones/条件

mIN

tipo

máx.

UNIDAD

Voltaje de Adelante voltaje directo

V F

IF =650A

TVj = 25 °C

3.2

V

TVj = 125 °C

3.6

Inversa corriente de recuperación corriente de recuperación inversa

IrR

V CC el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

IC =650A,

Barra G =2.2ω ,

V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

Lσ =280nH,

感性负载 (carga de la sensibilidad)

TVj = 25 °C

1200

A

TVj = 125 °C

1300

A

Cargo recuperado carga de recuperación

QrR

TVj = 25 °C

450

el valor de la concentración

TVj = 125 °C

550

el valor de la concentración

Inversa tiempo de recuperación tiempo de recuperación inversa

t rR

TVj = 25 °C

660

el Consejo

TVj = 125 °C

750

Inversa energía de recuperación energía de recuperación inversa

Ereconocimiento

TVj =25 °C

720

mJ

TVj = 125 °C

860

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