Todas las categorías
Solicitar cotización

Obtenga un presupuesto gratuito

Nuestro representante se pondrá en contacto con usted pronto.
Correo electrónico
Nombre
Nombre de la empresa
Mensaje
0/1000

Módulo IGBT 750V

Módulo IGBT 750V

Página de inicio/Productos/Módulo IGBT/Módulo IGBT 750V

Módulo IGBT, GD1000HTA75P6HLT Starpower

750V 1000A,Envase:P6

Brand:
El sistema de energía
Spu:
GD1000HTA75P6HLT
  • Introducción
  • Esquema
  • Esquema del circuito equivalente
Introducción

Introducción breve

Modulo IGBT ,producido por El sistema de energía .1000V 750A. ¿ Qué?

Características

  • Tecnología IGBT de trinchera con baja VCE (sat)
  • Bajas pérdidas de conmutación
  • capacidad de cortocircuito de 6 μs
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Temperatura máxima de la unión 175
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Base aislada de cobre con pinfins usando Si 3N4Tecnología AMB

Aplicaciones típicas

  • Automotriz aplicación
  • Vehículo Híbrido y Eléctrico
  • Inversores para motor de transmisión

En absoluto Máximo Calificaciones T F =25a C a menos que de otro modo anotado

El IGBT

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valores

Unidad

V El CES

Voltagem del colector-emittente

750

V

V El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

V

Yo CN

El colector Cu implementado renta

1000

R

Yo C

Corriente Colectora @ T F =125a C

450

R

Yo Cm

Corriente Colectora Pulsada t p =1 ms

2000

R

PG

Disposición máxima de energía ation @ T F =75a C T vj =175a C

1282

R

Diodo

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valores

Unidad

V RRM

Volt inverso de pico repetitivo edad

750

V

Yo FN

El colector Cu implementado renta

1000

R

Yo F

Diodo continuo hacia adelante Cu renta

450

R

Yo - ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms

2000

R

Módulo

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

Unidad

T vjmax

Temperatura máxima de unión

175

a C

T vjop

Temperatura de las uniones de funcionamiento continua

Durante 10 segundos dentro de un período de 30 segundos, ocurrencia máximo 3000 veces durante la vida útil

-40 a +150 +150 a +175

a C

T El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

a C

V ISO

El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1 mIN

2500

V

g Deslizamiento

Terminal para el sumidero Terminal a terminal

9.0 9.0

mm

g Claro

Terminal para el sumidero Terminal a terminal

4.5 4.5

mm

El IGBT Características T F =25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

V CE (sat)

Recolector al emisor Voltagem de saturación

Yo Cel valor de las emisiones de CO2 GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =25a C

1.10

1.35

V

Yo Cel valor de las emisiones de CO2 GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =150a C

1.10

Yo Cel valor de las emisiones de CO2 GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =175a C

1.10

Yo C=1000A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =25a C

1.40

Yo C=1000A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =175a C

1.60

V GE (th)

Umbral de emisor de puertas Tensión

Yo C=12.9el número de ,V CE =V GE , T vj =25a C

5.5

6.4

7.0

V

Yo El CES

El colector Cortado -Off Actual

V CE =V El CES ,V GE =0V, T vj =25a C

1.0

el número de

Yo El GES

Fugas de los emisores de puertas Actual

V GE =V El GES ,V CE =0V, T vj =25a C

400

nA

Barra El ginto

Resistencia de la puerta interna

1.2

ω

Cies

Capacidad de entrada

V CE =50V,f=100kHz, V GE el valor de la energía de la corriente

66.7

nF (número de trabajo)

Ces

Capacidad de salida

1.50

nF (número de trabajo)

Cres

Transferencia inversa Capacidad

0.35

nF (número de trabajo)

PG

Cargo por puerta

V CE =400V,I C = 450A, V GE el valor de la carga de la corriente eléctrica

4.74

el valor de la concentración

t g (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC =400V,I C= 450A,

Barra ¿ Qué pasa? = 1,2Ω, Barra - ¿ Qué? =1,0Ω, V GE el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a:

CS =24nH, T vj =25a C

244

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

61

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

557

el Consejo

t f

Tiempo de caída

133

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

11.0

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

22.8

mJ

t g (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC =400V,I C= 450A,

Barra ¿ Qué pasa? = 1,2Ω, Barra - ¿ Qué? =1,0Ω, V GE el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a:

CS =24nH, T vj =150a C

260

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

68

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

636

el Consejo

t f

Tiempo de caída

226

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

16.9

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

32.2

mJ

t g (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC =400V,I C= 450A,

Barra ¿ Qué pasa? = 1,2Ω, Barra - ¿ Qué? =1,0Ω, V GE el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a:

CS =24nH, T vj =175a C

264

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

70

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

673

el Consejo

t f

Tiempo de caída

239

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

19.2

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

33.6

mJ

Yo SC

Datos de la SC

t P≤ 6 μs, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

T vj =25a C, V CC =400V, V El CEM ≤750V

4900

R

t P≤3μs, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

T vj =175a C, V CC =400V, V El CEM ≤750V

3800

Diodo Características T F =25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

V F

Diodo hacia adelante Tensión

Yo F el valor de las emisiones de CO2 GE =0V,T vj =25a C

1.40

1.65

V

Yo F el valor de las emisiones de CO2 GE =0V,T vj =150a C

1.35

Yo F el valor de las emisiones de CO2 GE =0V,T vj =175a C

1.30

Yo F =1000A,V GE =0V,T vj =25a C

1.80

Yo F =1000A,V GE =0V,T vj =175a C

1.80

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra =400V,I F = 450A,

-di/dt=7809A/μs,V GE el valor de la presión de escape CS =24nH ,T vj =25a C

18.5

el valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

303

R

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

3.72

mJ

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra =400V,I F = 450A,

-di/dt=6940A/μs,V GE el valor de la presión de escape CS =24nH ,T vj =150a C

36.1

el valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

376

R

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

8.09

mJ

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra =400V,I F = 450A,

-di/dt=6748A/μs,V GE el valor de la presión de escape CS =24nH ,T vj =175a C

40.1

el valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

383

R

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

9.01

mJ

NTC Características T F =25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

Barra 25

Resistencia nominal

5.0

∆R/R

Desviación de Barra 100

T C=100 a C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Potencia

Disipación

20.0

mW

B 25/50

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/501/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3375

K

B 25/80

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/801/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3411

K

B 25/100

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3433

K

Módulo Características T F =25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

CCE

Inductividad de alejamiento

8

nH

Barra CC+EE

Resistencia de plomo del módulo, terminal al chip

0.75

p

Presión máxima en el círculo de enfriamiento el cuco

T placa de base <40a C

T placa de base 40a C

(presión relativa)

2.5 2.0

barra

Barra el JF

Unión -a -Enfriamiento El fluido (perIGBT )Unión a fluido de refrigeración (por D yodo) V/ t=10,0 dM 3/mIN ,T F =75a C

0.068 0.105

0.078 0.120

El número de unidades

M

El par de conexión de la terminal, El tornillo M5 Torque de montaje Tornillo M4

3.6 1.8

4.4 2.2

Nuevo Méjico

G

Peso de Módulo

750

g

Esquema

Esquema del circuito equivalente

Obtenga un presupuesto gratuito

Nuestro representante se pondrá en contacto con usted pronto.
Correo electrónico
Nombre
Nombre de la empresa
Mensaje
0/1000

Producto relacionado

¿Tiene preguntas sobre algún producto?

Nuestro equipo profesional de ventas lo espera para su consulta.
Puedes seguir su lista de productos y hacer cualquier pregunta que te interese.

Solicitar cotización

Obtenga un presupuesto gratuito

Nuestro representante se pondrá en contacto con usted pronto.
Correo electrónico
Nombre
Nombre de la empresa
Mensaje
0/1000

Obtenga un presupuesto gratuito

Nuestro representante se pondrá en contacto con usted pronto.
Correo electrónico
Nombre
Nombre de la empresa
Mensaje
0/1000