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Módulo IGBT 750V

Módulo IGBT 750V

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Módulo IGBT GD820HTX75P6HFB Starpower

750V 820A, Envoltorio:P6

Brand:
El sistema de energía
Spu:
GD820HTX75P6HFB
  • Introducción
  • Esquema
  • Esquema del circuito equivalente
Introducción

Introducción breve

Modulo IGBT ,producido por El sistema de energía .820V 750A. ¿ Qué?

Características

  • Tecnología IGBT de trinchera con baja VCE (sat)
  • Bajas pérdidas de conmutación
  • capacidad de cortocircuito de 6 μs
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Temperatura máxima de la unión 175
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Placa base aislada de cobre con tecnología DBC

Aplicaciones típicas

  • Automotriz aplicación
  • Vehículo Híbrido y Eléctrico
  • Inversores para motor de transmisión

En absoluto Máximo Calificaciones T F =25o C a menos que de otro modo anotado

El IGBT

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valores

Unidad

V El CES

Voltagem del colector-emittente

750

V

V El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

V

ICN

El colector Cu implementado renta

820

A

IC

Corriente Colectora @ T F =75o C

450

A

ICm

Corriente Colectora Pulsada t p =1 ms

1640

A

PD

Disposición máxima de energía ation @ T F =75o C T j =175o C

751

A

Diodo

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valores

Unidad

V RRM

Volta inversa de pico repetitivo el sector de la energía

750

V

IFN

El colector Cu implementado renta

820

A

IF

Diodo continuo hacia adelante Cu renta

450

A

I- ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms

1640

A

Módulo

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

Unidad

T jmax

Temperatura máxima de unión

175

o C

T el juego

Temperatura de las uniones de funcionamiento continua

Durante 10 segundos dentro de un período de 30 segundos, ocurrencia máximo 3000 veces durante la vida útil

-40 a +150 +150 a +175

o C

T El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

o C

V ISO

El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1 mIN

2500

V

El IGBT Características T F =25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

V CE (sat)

Recolector al emisor Voltagem de saturación

ICel valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =25o C

1.25

1.50

V

ICel valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =150o C

1.35

ICel valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =175o C

1.40

IC=820A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =25o C

1.55

IC=820A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =175o C

1.90

V El sector de la energía (th)

Umbral de emisor de puertas Voltaje

IC=9.60el número de ,V CE =V El sector de la energía , T j =25o C

5.0

5.7

7.0

V

IC=9.60el número de ,V CE =V El sector de la energía , T j =175o C

3.5

IEl CES

El colector Cortado -Off Actual

V CE =V El CES ,V El sector de la energía =0V, T j =25o C

1.0

el número de

IEl GES

Fugas de los emisores de puertas Actual

V El sector de la energía =V El GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barra El ginto

Resistencia de la puerta interna

0.7

ω

Cies

Capacidad de entrada

V CE =50V,f=100kHz, V El sector de la energía el valor de la energía de la corriente

42.1

nF (número de trabajo)

Ces

Capacidad de salida

1.80

nF (número de trabajo)

Cres

Transferencia inversa Capacidad

1.18

nF (número de trabajo)

PG

Cargo por puerta

V CE =400V,I C =450A, V El sector de la energía =-8... +15V

3.01

el valor de la concentración

t d (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC =400V,I C= 450A, Barra G= 2,4Ω, LS =24nH ,V El sector de la energía el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a:

T j =25o C

126

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

62

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

639

el Consejo

t f

Tiempo de caída

149

el Consejo

Eactivado

Enciende Conmutación Pérdida

17.3

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

25.4

mJ

t d (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC =400V,I C= 450A, Barra G= 2,4Ω, LS =24nH ,V El sector de la energía el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a:

T j =150o C

136

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

68

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

715

el Consejo

t f

Tiempo de caída

221

el Consejo

Eactivado

Enciende Conmutación Pérdida

22.5

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

31.0

mJ

t d (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC =400V,I C= 450A, Barra G= 2,4Ω, LS =24nH ,V El sector de la energía el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a:

T j =175o C

138

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

68

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

739

el Consejo

t f

Tiempo de caída

227

el Consejo

Eactivado

Enciende Conmutación Pérdida

24.8

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

32.6

mJ

ISC

Datos de la SC

t P≤ 6 μs, V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

5100

A

T j =25o C, V CC =400V, V El CEM ≤750V

t P≤3μs, V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

T j =175o C, V CC =400V, V El CEM ≤750V

3800

Diodo Características T F =25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

V F

Diodo hacia adelante Voltaje

IF el valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía =0V,T j =25o C

1.40

1.65

V

IF el valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía =0V,T j =150o C

1.35

IF el valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía =0V,T j =175o C

1.30

IF =820A,V El sector de la energía =0V,T j =25o C

1.70

IF =820A,V El sector de la energía =0V,T j =175o C

1.65

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra =400V,I F = 450A,

-di/dt=7070A/μs,V El sector de la energía =-8V, LS =24nH ,T j =25o C

16.0

el valor de la concentración

IRM

Pico invertido

Corriente de recuperación

254

A

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

5.03

mJ

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra =400V,I F = 450A,

-di/dt=6150A/μs,V El sector de la energía =-8V, LS =24nH ,T j =150o C

36.0

el valor de la concentración

IRM

Pico invertido

Corriente de recuperación

320

A

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

9.49

mJ

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra =400V,I F = 450A,

-di/dt=6010A/μs,V El sector de la energía =-8V, LS =24nH ,T j =175o C

40.5

el valor de la concentración

IRM

Pico invertido

Corriente de recuperación

338

A

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

10.5

mJ

NTC Características T F =25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

Barra 25

Resistencia nominal

5.0

∆R/R

Desviación de Barra 100

T C=100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Potencia

Disipación

20.0

mW

B 25/50

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/501/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3375

K

B 25/80

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/801/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3411

K

B 25/100

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3433

K

Módulo Características T F =25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

LCE

Inductividad de alejamiento

8

nH

Barra CC+EE

Resistencia de plomo del módulo, terminal al chip

0.75

p

V/ t=10,0 dM 3/mIN ,T F =75o C

64

el mbar

p

Presión máxima en el círculo de enfriamiento el cuco

T placa de base <40o C

T placa de base 40o C

(presión relativa)

2.5 2.0

barra

Barra el JF

Unión -a -Refrigeración El fluido (perIGBT )Unión a fluido de refrigeración (por D yodo) V/ t=10,0 dM 3/mIN ,T F =75o C

0.116 0.175

0.133 0.200

El número de unidades

M

El par de conexión de la terminal, El tornillo M5 Torque de montaje Tornillo M4

3.6 1.8

4.4 2.2

Nuevo Méjico

G

Peso de Módulo

750

g

Esquema

Esquema del circuito equivalente

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