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Diodo rectificador

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Diodo rectificador

H125ZPR, Diodo Rectificador

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Número de parte H125ZPR-ZT110c(d)T

Brand:

TECHSEM

Spu:

H125ZPR-ZT110c(d)T

Appurtenance:

Folleto del producto:Descargar

Introducción
Esquema

Introducción

I_T(AV)

5250A

V _RRM

52las demás 5600V

6000V 6500V

Características

Baja caída de voltaje directo
Alto voltaje inverso
Carcasas metálicas herméticas con aislantes cerámicos

Aplicaciones típicas

Diodos rectificadores de alta potencia para todo uso
Equipos de soldadura por resistencia de alta potencia
Rectificadores no controlables y medio controlables
Rectificadores controlados

El símbolo	Característica	Condiciones de ensayo		Tj( ℃)	Valor			UNIDAD
El símbolo	Característica	Condiciones de ensayo		Tj( ℃)	MIN	Tipo	Máx.	UNIDAD
IF(AV)	Corriente media directa	180°con una frecuencia de onda senoidal media de 50 Hz, doble lado enfriado,	TC=100 ℃	150			5250	A
VIRM	Voltado inverso de pico repetitivo	tp=10ms		150	5100		6500	V
MIRR	Corriente pico repetitiva	en VRRM		150			400	el número de
El IFSM	Corriente de avance de sobretensión	10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM		150			84	kA
El 1 de enero	I2t para coordinación de fusibles	10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM		150			35280	A²s*10 ⁴
VFO	Voltaje de umbral			150			0.81	V
rF	Resistencia de pendiente directa			150			0.12	mΩ
VFM	Voltaje directo pico	IFM=5000A, F=140kN		25			1.65	V
¿Qué es eso?	Cargo por recuperación	IFM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V		150		20000		el valor de la concentración
Rth(j-c)	Resistencia térmica unión a carcasa	A 180 °seno, enfriado por ambos lados Fuerza de sujeción 140kN					0.004	℃/W
Rth(c-h)	Resistencia térmica de la caja al disipador de calor						0.001	℃/W
- ¿ Qué?	Fuerza de Montaje				110		140	kN
TVj	Temperatura de unión				-40		150	℃
TSTG	Temperatura almacenada				-40		160	℃
El	Peso					3420		g
Esquema	ZT110cT/ ZT110dT

Esquema

H125ZPR-2(1).png

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