GD750HFA120C6S, Módulo IGBT, STARPOWER

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valores

UNIDAD

V El CES

Voltagem del colector-emittente

1200

V

V El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

V

IC

Corriente Colectora @ T C=100o C

750

A

ICm

Corriente Colectora Pulsada t p =1 ms

1500

A

PD

Disipación de potencia máxima @ T vj =175o C

3125

A

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valores

UNIDAD

V RRM

Volt inverso de pico repetitivo edad

1200

V

IF

Diodo continuo hacia adelante Cu renta

900

A

I- ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms

1500

A

IFSM

Corriente de impulso t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

3104

2472

A

I2t

I2t- valor ,t p =10ms @ T vj =25o C@ T vj =150o C

48174

30554

A2s

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

UNIDAD

T vjmax

Temperatura máxima de unión

175

o C

T vjop

Temperatura de funcionamiento de las uniones

-40 a +150

o C

T El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

o C

V ISO

Voltaje de aislamiento RMS, f=50Hz, t = 1 minuto

4000

V

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

V CE (sat)

Recolector al emisor Voltagem de saturación

IC=750A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =25o C

1.35

1.85

V

IC=750A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =125o C

1.55

IC=750A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =175o C

1.55

V GE (th)

Umbral de emisor de puertas Tensión

IC=24.0el número de ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

V

IEl CES

El colector Cortado -Off Actual

V CE =V El CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

el número de

IEl GES

Fugas de los emisores de puertas Actual

V GE =V El GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barra El ginto

Resistencia de la puerta interna

0.5

ω

Cies

Capacidad de entrada

V CE = 25V, f = 100 kHz, V GE el valor de la energía de la corriente

85.2

nF (número de trabajo)

Cres

Transferencia inversa Capacidad

0.45

nF (número de trabajo)

QG

Cargo por puerta

V GE el valor de la carga de la corriente eléctrica

6.15

el valor de la concentración

t d (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C=750A,

Barra G=0.5Ω,

V GE el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a:

LS =40nH ,T vj =25o C

238

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

76

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

622

el Consejo

t f

Tiempo de caída

74

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

68.0

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

52.8

mJ

t d (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C=750A, Barra G=0.5Ω,

V GE el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a:

LS =40nH ,T vj =125o C

266

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

89

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

685

el Consejo

t f

Tiempo de caída

139

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

88.9

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

67.4

mJ

t d (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C=750A, Barra G=0.5Ω,

V GE el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a:

LS =40nH ,T vj =175o C

280

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

95

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

715

el Consejo

t f

Tiempo de caída

166

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

102

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

72.7

mJ

ISC

Datos de la SC

t P≤8μs, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

T vj =150o C, V CC el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. V El CEM no más de 1200 V

2500

A

t P≤ 6 μs, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

T vj =175o C, V CC el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. V El CEM no más de 1200 V

2400

A

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

V F

Diodo hacia adelante Tensión

IF =750A,V GE =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

IF =750A,V GE =0V,T vj =125o C

1.65

IF =750A,V GE =0V,T vj =175o C

1.65

Qbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F =750A,

-di/dt=6500A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T vj =25o C

79.7

el valor de la concentración

IRM

Pico invertido

Corriente de recuperación

369

A

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

23.3

mJ

Qbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F =750A,

-di/dt=5600A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T vj =125o C

120

el valor de la concentración

IRM

Pico invertido

Corriente de recuperación

400

A

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

39.5

mJ

Qbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F =750A,

-di/dt=5200A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T vj =175o C

151

el valor de la concentración

IRM

Pico invertido

Corriente de recuperación

423

A

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

49.7

mJ

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

Barra 25

Resistencia nominal

5.0

kΩ

∆R/R

Desviación de Barra 100

T C=100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Potencia

Disipación

20.0

mW

B 25/50

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/501/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3375

K

B 25/80

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/801/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3411

K

B 25/100

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3433

K

El símbolo

Parámetro

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

LCE

Inductividad de alejamiento

20

nH

Barra CC+EE

Resistencia de plomo del módulo, terminal al chip

0.80

mΩ

Barra el JC

Unión -a -Caso (perIGBT ) Enlace a la caja (por D) yodo)

0.048 0.088

El número de unidades

Barra el CH

Caso -a -Disipador de calor (perIGBT )El sistema de refrigeración de la caja (p) diodo de acero) En el caso de los equipos de refrigeración de aire acondicionado, el valor de la presión de refrigeración debe ser igual o superior a: Módulo)

0.028 0.051 0.009

El número de unidades

M

El par de conexión de la terminal, Tornillo M6 Torque de montaje El tornillo M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Nuevo Méjico

G

Peso de MÓDULO

350

g