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Módulo IGBT 1200V

Módulo IGBT 1200V

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GD750HFA120C6S, Módulo IGBT, STARPOWER

1200V 750A Paquete: C6.1

Brand:
El sistema de energía
Spu:
GD750HFA120C6S
  • Introducción
  • Esquema
  • Esquema del circuito equivalente
Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT ,producido por El sistema de energía . 1200V 800A. ¿ Qué?

Características

  • Tecnología IGBT de trinchera con baja VCE (sat)
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Temperatura máxima de la unión 175
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Base de cobre aislada con tecnología DBC

Aplicaciones típicas

  • Vehículo Híbrido y Eléctrico
  • Inversores para motor de transmisión
  • Suministro de energía ininterrumpible

En absoluto Máximo Calificaciones El F =25o Do a menos que de otro modo anotado

El IGBT

El símbolo

Descripción

Valores

UNIDAD

V El CES

Voltagem del colector-emittente

1200

V

V El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

V

I Do

Corriente Colectora @ T Do =100o Do

750

A

I Cm

Corriente Colectora Pulsada t p =1 ms

1500

A

P D

Disipación de potencia máxima @ T vj =175o Do

3125

W

Diodo

El símbolo

Descripción

Valores

UNIDAD

V RRM

Volt inverso de pico repetitivo edad

1200

V

I F

Diodo continuo hacia adelante Cu renta

900

A

I - ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms

1500

A

I FSM

Corriente de impulso t p =10ms @ T vj =25o Do @ T vj =150o Do

3104

2472

A

I 2el

I 2t- valor ,el p =10ms @ El vj =25o Do @ T vj =150o Do

48174

30554

A 2s

Módulo

El símbolo

Descripción

Valor

UNIDAD

El vjmax

Temperatura máxima de unión

175

o Do

El vjop

Temperatura de funcionamiento de las uniones

-40 a +150

o Do

El El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

o Do

V ISO

Voltaje de aislamiento RMS, f=50Hz, t = 1 minuto

4000

V

El IGBT Características El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

V CE (sat)

Recolector al emisor Voltagem de saturación

I Do =750A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El vj =25o Do

1.35

1.85

V

I Do =750A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El vj =125o Do

1.55

I Do =750A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El vj =175o Do

1.55

V El sector de la energía (th )

Umbral de emisor de puertas Voltaje

I Do =24.0el número de ,V CE =V El sector de la energía , El vj =25o Do

5.5

6.3

7.0

V

I El CES

El colector Corte -Off Corriente

V CE =V El CES ,V El sector de la energía =0V, El vj =25o Do

1.0

el número de

I El GES

Fugas de los emisores de puertas Corriente

V El sector de la energía =V El GES ,V CE =0V, El vj =25o Do

400

nA

R El ginto

Resistencia de la puerta interna

0.5

ω

Do ies

Capacidad de entrada

V CE = 25V, f = 100 kHz, V El sector de la energía el valor de la energía de la corriente

85.2

nF (número de trabajo)

Do res

Transferencia inversa Capacidad

0.45

nF (número de trabajo)

¿Qué es? GRAMO

Cargo por puerta

V El sector de la energía el valor de la carga de la corriente eléctrica

6.15

el valor de la concentración

el d (on )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I Do =750A,

R GRAMO =0.5Ω,

V El sector de la energía el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a:

L S =40nH ,El vj =25o Do

238

el Consejo

el r

Tiempo de ascenso

76

el Consejo

el no se puede

Apagado Tiempo de retraso

622

el Consejo

el f

Tiempo de caída

74

el Consejo

Mi on

Enciende Conmutación Pérdida

68.0

mJ

Mi off

Cambiar el encendido Pérdida

52.8

mJ

el d (on )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I Do =750A, R GRAMO =0.5Ω,

V El sector de la energía el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a:

L S =40nH ,El vj =125o Do

266

el Consejo

el r

Tiempo de ascenso

89

el Consejo

el no se puede

Apagado Tiempo de retraso

685

el Consejo

el f

Tiempo de caída

139

el Consejo

Mi on

Enciende Conmutación Pérdida

88.9

mJ

Mi off

Cambiar el encendido Pérdida

67.4

mJ

el d (on )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I Do =750A, R GRAMO =0.5Ω,

V El sector de la energía el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a:

L S =40nH ,El vj =175o Do

280

el Consejo

el r

Tiempo de ascenso

95

el Consejo

el no se puede

Apagado Tiempo de retraso

715

el Consejo

el f

Tiempo de caída

166

el Consejo

Mi on

Enciende Conmutación Pérdida

102

mJ

Mi off

Cambiar el encendido Pérdida

72.7

mJ

I SC

Datos de la SC

el P ≤8μs, V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

El vj =150o C, V CC el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. V El CEM no más de 1200 V

2500

A

el P ≤ 6 μs, V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

El vj =175o C, V CC el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. V El CEM no más de 1200 V

2400

A

Diodo Características El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

V F

Diodo hacia adelante Voltaje

I F =750A,V El sector de la energía =0V,T vj =25o Do

1.60

2.05

V

I F =750A,V El sector de la energía =0V,T vj =125o Do

1.65

I F =750A,V El sector de la energía =0V,T vj =175o Do

1.65

¿Qué es? r

Cargo recuperado

V R = 600 V,I F =750A,

-di/dt=6500A/μs,V El sector de la energía =-8V, L S =40nH ,El vj =25o Do

79.7

el valor de la concentración

I RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

369

A

Mi reconocimiento

Recuperación inversa Energía

23.3

mJ

¿Qué es? r

Cargo recuperado

V R = 600 V,I F =750A,

-di/dt=5600A/μs,V El sector de la energía =-8V, L S =40nH ,El vj =125o Do

120

el valor de la concentración

I RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

400

A

Mi reconocimiento

Recuperación inversa Energía

39.5

mJ

¿Qué es? r

Cargo recuperado

V R = 600 V,I F =750A,

-di/dt=5200A/μs,V El sector de la energía =-8V, L S =40nH ,El vj =175o Do

151

el valor de la concentración

I RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

423

A

Mi reconocimiento

Recuperación inversa Energía

49.7

mJ

NTC Características El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

R 25

Resistencia nominal

5.0

∆R/R

Desviación de R 100

El Do =100 o Do ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Fuerza

Disipación

20.0

mW

B 25/50

Valor B

R 2=R 25exp [B 25/501/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3375

K

B 25/80

Valor B

R 2=R 25exp [B 25/801/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3411

K

B 25/100

Valor B

R 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3433

K

Módulo Características El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

L CE

Inductividad de alejamiento

20

nH

R CC+EE

Resistencia de plomo del módulo, terminal al chip

0.80

R el JC

Unión -a -Caso (perIGBT ) Enlace a la caja (por D) yodo)

0.048 0.088

El número de unidades

R el CH

Caso -a -Disipador de calor (perIGBT )El sistema de refrigeración de la caja (p) diodo de acero) En el caso de los equipos de refrigeración de aire acondicionado, el valor de la presión de refrigeración debe ser igual o superior a: Módulo)

0.028 0.051 0.009

El número de unidades

METRO

El par de conexión de la terminal, Tornillo M6 Torque de montaje El tornillo M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Nuevo Méjico

GRAMO

Peso de Módulo

350

gRAMO

Esquema

image(c537ef1333).png

Esquema del circuito equivalente

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