Breve introducción
Módulos de tiristor (tipo no aislado) ,MTG200 ,MTY200 ,producido por TECHSEM.
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VRRM,VDRM |
Tipo y contorno |
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800V
1000V
1200V
1400V
1600V
1800V
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MTx200-08-213F4 MTx200-10-213F4 MTx200-12-213F4 MTx200-14-213F4 MTx200-16-213F4 MTx200-18-213F4 |
MFx200-08-213F4 MFx200-10-213F4 MFx200-12-213F4 MFx200-14-213F4 MFx200-16-213F4 MFx200-18-213F4 |
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MTx es el acrónimo de cualquier tipo de MTG, MTY
MFx es la abreviatura de cualquier tipo de MFG, MFY
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Características ：
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No aislado. Montaje base como terminal de ánodo o de cstodo
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Tecnología de contacto por presión con Ciclo de potencia aumentado capacidad
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Voltagem baja en estado activo d el cordón
Aplicaciones típicas ：
- Fuente de alimentación para soldadura
- Varios suministros de corriente continua
- Fuente de corriente continua para el invertido PWM
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El símbolo
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Características
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Condiciones de ensayo
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Tj( ℃ ) |
Valor |
Unidad
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Mín |
Tipo |
Máx |
IT(AV) |
Corriente media en estado de conducción |
180° media onda senoidal 50Hz
Refrigerado de un solo lado, TC=90 ℃
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125
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200 |
A |
IT(RMS) |
Corriente de estado en RMS |
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314 |
A |
No puedo no puedo |
Corriente pico repetitiva |
en VDRM en VRRM |
125 |
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20 |
el número de |
ITSM |
Corriente de sobrecarga en estado de conducción |
La velocidad de la corriente de corriente de la corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de |
125 |
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5.2 |
kA |
El 1 de enero |
I2t para coordinación de fusibles |
125 |
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135 |
103A 2s |
VTO |
Voltaje de umbral |
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125
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0.80 |
V |
rT |
Resistencia de pendiente en estado de conducción |
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1.15 |
mΩ |
VTM |
Voltaje pico en estado de conducción |
ITM=600A |
25 |
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1.62 |
V |
dv/dt |
Tasa crítica de aumento de la tensión en estado muerto |
VDM=67%VDRM |
125 |
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800 |
V/μs |
di/dt |
Tasa crítica de aumento de corriente de estado de encendido |
Fuente de puerta 1.5A
tr ≤0.5μs Repetitivo
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125 |
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100 |
A/μs |
IGT |
Corriente de disparo de puerta |
El valor de la corriente de corriente de la corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corri
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25
|
30 |
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150 |
el número de |
Vgt. |
Voltaje de disparo de puerta |
0.8 |
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2.5 |
V |
IH |
Corriente de mantenimiento |
10 |
|
180 |
el número de |
El |
Corriente de retención |
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1000 |
el número de |
VGD |
Voltaje de puerta no disparado |
VDM=67%VDRM |
125 |
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0.2 |
V |
Rth(j-c) |
Resistencia térmica unión a carcasa |
A 180 。seno, un solo lado enfriado por chip |
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0.13 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Resistencia térmica de la caja al disipador |
A 180 ° seno, un solo lado enfriado por chip |
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0.10 |
℃ /W |
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- ¿ Qué?
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Par de conexión de terminal (M6) |
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4.5 |
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6.0 |
Nuevo Méjico |
Par de montaje (M6) |
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|
4.5 |
|
6.0 |
Nuevo Méjico |
TVj |
Temperatura de unión |
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-40 |
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125 |
℃ |
TSTG |
Temperatura almacenada |
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|
-40 |
|
125 |
℃ |
El |
Peso |
|
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280 |
|
g. El |
Esquema |
213F4 |
EN
