Introducción breve
Modulo IGBT ,producido por El sistema de energía .1200V 400A. ¿ Qué?
Características
- Tecnología NPT IGBT
- capacidad de cortocircuito de 10 μs
- Bajas pérdidas de conmutación
- VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
- Cuadro de baja inductancia
- Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
- Base de cobre aislada con tecnología DBC
Aplicaciones típicas
- Fuente de alimentación de modo de conmutación
- Calentamiento por inducción
- Saldadoras electrónicas
En absoluto Máximo Calificaciones T F =25o C a menos que de otro modo anotado
El IGBT
El símbolo |
DESCRIPCIÓN |
Valor |
UNIDAD |
V El CES |
Voltagem del colector-emittente |
1200 |
V |
V El GES |
Voltagem del emisor de la puerta |
±20 |
V |
IC |
Corriente Colectora @ T C=25o C@ T C=60o C |
519
400
|
A |
ICm |
Corriente Colectora Pulsada t p =1 ms |
800 |
A |
PD |
Disipación de potencia máxima @ T vj =150o C |
2450 |
A |
Diodo
El símbolo |
DESCRIPCIÓN |
Valor |
UNIDAD |
V RRM |
Volt inverso de pico repetitivo edad |
1200 |
V |
IF |
Diodo continuo hacia adelante Cu renta |
400 |
A |
I- ¿ Qué? |
Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms |
800 |
A |
MÓDULO
El símbolo |
DESCRIPCIÓN |
Valor |
UNIDAD |
T vjmax |
Temperatura máxima de unión |
150 |
o C |
T vjop |
Temperatura de funcionamiento de las uniones |
-40 a +125 |
o C |
T El GST |
Rango de Temperatura de Almacenamiento |
-40 a +125 |
o C |
V ISO |
Voltaje de aislamiento RMS, f=50Hz, t = 1 minuto |
2500 |
V |
El IGBT Características T C=25o C a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
UNIDAD |
|
V CE (sat)
|
Recolector al emisor Voltagem de saturación |
IC=400A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =25o C |
|
2.90 |
3.35 |
V
|
IC=400A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =125o C |
|
3.60 |
|
V GE (th) |
Umbral de emisor de puertas Tensión |
IC=16.0el número de ,V CE =V GE , T vj =25o C |
4.5 |
5.5 |
6.5 |
V |
IEl CES |
El colector Cortado -Off Actual |
V CE =V El CES ,V GE =0V, T vj =25o C |
|
|
5.0 |
el número de |
IEl GES |
Fugas de los emisores de puertas Actual |
V GE =V El GES ,V CE =0V, T vj =25o C |
|
|
400 |
nA |
Barra El ginto |
Resistencia de la puerta interna el |
|
|
0.6 |
|
ω |
Cies |
Capacidad de entrada |
V CE = 25V, f=1MHz, V GE el valor de la energía de la corriente |
|
26.0 |
|
nF (número de trabajo) |
Cres |
Transferencia inversa Capacidad |
|
1.70 |
|
nF (número de trabajo) |
QG |
Cargo por puerta |
V GE el valor de la carga de la corriente eléctrica |
|
4.2 |
|
el valor de la concentración |
t d (activado ) |
Tiempo de retraso de encendido |
V CC = 600 V,I C=400A, Barra G= 2,2Ω, LS =30nH , V GE el valor de las emisiones de CO2 vj =25o C
|
|
252 |
|
el Consejo |
t barra |
Tiempo de ascenso |
|
63 |
|
el Consejo |
t no se puede |
Apagado Tiempo de retraso |
|
427 |
|
el Consejo |
t f |
Tiempo de caída |
|
44 |
|
el Consejo |
Eactivado |
Enciende Cambio Pérdida |
|
24.7 |
|
mJ |
Eoff |
Cambiar el encendido Pérdida |
|
16.5 |
|
mJ |
t d (activado ) |
Tiempo de retraso de encendido |
V CC = 600 V,I C=400A, Barra G= 2,2Ω, LS =30nH , V GE el valor de las emisiones de CO2 vj =125o C
|
|
258 |
|
el Consejo |
t barra |
Tiempo de ascenso |
|
65 |
|
el Consejo |
t no se puede |
Apagado Tiempo de retraso |
|
465 |
|
el Consejo |
t f |
Tiempo de caída |
|
57 |
|
el Consejo |
Eactivado |
Enciende Cambio Pérdida |
|
35.2 |
|
mJ |
Eoff |
Cambiar el encendido Pérdida |
|
22.6 |
|
mJ |
ISC |
Datos de la SC |
t P≤10μs, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.
T vj =125o C, V CC el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. V El CEM no más de 1200 V
|
|
1600 |
|
A |
Diodo Características T C=25o C a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
UNIDAD |
V F |
Diodo hacia adelante Tensión |
IF =400A,V GE =0V,T vj =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V |
IF =400A,V GE =0V,T vj =125o C |
|
1.90 |
|
Qbarra |
Cargo recuperado |
V Barra = 600 V,I F =400A,
-di/dt=6540A/μs, L S =30nH, V GE se aplicará el método siguiente: T vj =25o C
|
|
38.9 |
|
el valor de la concentración |
IRM |
Pico invertido
Corriente de recuperación
|
|
401 |
|
A |
Ereconocimiento |
Recuperación inversa Energía |
|
13.8 |
|
mJ |
Qbarra |
Cargo recuperado |
V Barra = 600 V,I F =400A,
-di/dt=6300A/μs, L S =30nH, V GE se aplicará el método siguiente: T vj =125o C
|
|
68.0 |
|
el valor de la concentración |
IRM |
Pico invertido
Corriente de recuperación
|
|
444 |
|
A |
Ereconocimiento |
Recuperación inversa Energía |
|
26.2 |
|
mJ |
MÓDULO Características T C=25o C a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
UNIDAD |
LCE |
Inductividad de alejamiento |
|
|
30 |
nH |
Barra CC+EE |
Modulo de resistencia al plomo, Terminal a el chip |
|
0.35 |
|
mΩ |
Barra el JC |
Unión -a -Caso (perIGBT ) Junción-a-Caja (por D iodo) |
|
|
0.051 0.114 |
El número de unidades |
|
Barra el CH
|
En el caso de los equipos de refrigeración de aire acondicionado, el valor de la presión de refrigeración debe ser igual o superior a: El número de unidades de carga Caja-a-disipador (pe r Diodo) Caja-a-disipador (por M ódulo) |
|
0.019 0.042 0.010 |
|
El número de unidades |
M |
El par de conexión de la terminal, El tornillo M5 Torque de montaje Tornillo M6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
Nuevo Méjico |
G |
Peso de MÓDULO |
|
300 |
|
g |
EN
