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Módulo IGBT 1200V

Módulo IGBT 1200V

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GD200SGU120C2S, Módulo IGBT, STARPOWER

1200V 200A

Brand:
El sistema de energía
Spu:
GD200SGU120C2S
  • Introducción
  • Esquema
  • Esquema del circuito equivalente
Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1200V 200A. ¿ Qué?

Características

  • Tecnología NPT IGBT
  • capacidad de cortocircuito de 10 μs
  • Bajas pérdidas de conmutación
  • Robusto con un rendimiento ultra rápido
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Base de cobre aislada con tecnología DBC

Aplicaciones típicas

  • Fuentes de alimentación conmutadas
  • Calentamiento por inducción
  • Saldadoras electrónicas

En absoluto Máximo Calificaciones El Do =25 a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Descripción

GD200SGU120C2S

Unidades

V El CES

Voltagem del colector-emittente

1200

V

V El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

V

I Do

Corriente del colector @ El Do =25

@ T Do =80

320

200

A

I Cm

Corriente Colectora Pulsada t p =1ms

400

A

I F

Corriente continua de avance del diodo @ T Do =80

200

A

I - ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms

400

A

P D

Disipación de potencia máxima @ T j =150

1645

W

El jmax

Temperatura máxima de unión

150

El El GST

Temperatura de almacenamiento Autonomía

-40 a +125

V ISO

El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1 mínimo

4000

V

Montaje Par

Terminal de señal Tornillo:M4

1.1 a 2.0

El sistema de control de la velocidad de la corriente de corriente será el siguiente:

entre 2,5 y 5.0

Nuevo Méjico

El número de unidades de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga

3,0 a 5.0

Eléctrico Características de El IGBT El Do =25 a menos que de otro modo anotado

Desactivado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

V (BR )El CES

Recolector-emittente

Voltaje de ruptura

El j =25

1200

V

I El CES

El colector Corte -Off

Corriente

V CE =V El CES ,V El sector de la energía =0V, El j =25

5.0

el número de

I El GES

Fugas de los emisores de puertas Corriente

V El sector de la energía =V El GES ,V CE =0V, El j =25

400

nA

Sobre las características

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

V El sector de la energía (th )

Umbral de emisor de puertas Voltaje

I Do =2.0el número de ,V CE =V El sector de la energía , El j =25

4.4

4.9

6.0

V

V CE (sat)

Recolector al emisor

Voltagem de saturación

I Do =200A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j =25

3.10

3.55

V

I Do =200A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j =125

3.45

Cambiar de características

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

el d (on )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I Do =200A, R GRAMO =4.7Ω,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j =25

577

el Consejo

el r

Tiempo de ascenso

120

el Consejo

el d (off )

Apagado Tiempo de retraso

540

el Consejo

el f

Tiempo de caída

123

el Consejo

Mi on

Enciende Conmutación Pérdida

16.3

mJ

Mi off

Cambiar el encendido Pérdida

12.0

mJ

el d (on )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I Do =200A, R GRAMO =4.7Ω,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j =125

609

el Consejo

el r

Tiempo de ascenso

121

el Consejo

el d (off )

Apagado Tiempo de retraso

574

el Consejo

el f

Tiempo de caída

132

el Consejo

Mi on

Enciende Conmutación Pérdida

22.0

mJ

Mi off

Cambiar el encendido Pérdida

16.2

mJ

Do ies

Capacidad de entrada

V CE =30V,f=1MHz,

V El sector de la energía el valor de la energía de la corriente

16.9

nF (número de trabajo)

Do es

Capacidad de salida

1.51

nF (número de trabajo)

Do res

Transferencia inversa

Capacidad

0.61

nF (número de trabajo)

I SC

Datos de la SC

el P ≤ 10 μs, V El sector de la energía =15 V,

El j =125℃,V CC =900V, V El CEM no más de 1200 V

1800

A

L CE

Inductividad de alejamiento

20

nH

R CC+EE

Modulo de plomo

Resistencia

Terminal a el chip

0.18

Eléctrico Características de Diodo El Do =25 a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

V F

Diodo hacia adelante

Voltaje

I F =200A

El j =25

1.82

2.25

V

El j =125

1.92

¿Qué es? r

Recuperado

Cargar

I F =200A,

V R el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

R GRAMO = 4,7Ω,

V El sector de la energía el valor de la presión de escape

El j =25

13.1

el valor de la concentración

El j =125

26.1

I RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

El j =25

123

A

El j =125

172

Mi reconocimiento

Recuperación inversa Energía

El j =25

7.0

mJ

El j =125

12.9

Características térmicas ics

El símbolo

Parámetro

Es el tipo.

Máx.

Unidades

R θ JC, el otro

Enlace a la caja (por IGB) T)

0.076

El número de unidades

R θ JC, el otro

Enlace a la caja (por D) Yodo)

0.128

El número de unidades

R θ CS

En el caso de los productos de la categoría M2 o M3, el valor de las emisiones de CO2 de los productos de la categoría M2 y M3 será el valor de las emisiones de CO2 de los productos de la categoría M3. (Mentir)

0.035

El número de unidades

Peso

Peso Módulo

300

gRAMO

Esquema

Esquema del circuito equivalente

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