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IGBT discreto

IGBT discreto

Página de inicio/Productos/Módulo IGBT/Igbt Discreto

DG25X12T2, IGBT discreto, energía de arranque

1200V,25A

Brand:
El sistema de energía
  • Introducción
Introducción

Recordatorio amable :F o más IGBT discretos, por favor envíe un correo electrónico.

Características

  • Bajo VCE(sat) Trinchera El IGBT tecnología
  • capacidad de cortocircuito de 10 μs
  • Baja pérdida de conmutación
  • Temperatura máxima de unión 175oC
  • Cuadro de baja inductancia
  • VCE (sat) con positivo temperatura coeficiente
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Paquete sin plomo

Típico Aplicaciones

  • Inversores para motor de transmisión
  • Con un volumen de carga de más de 300 W
  • Suministro de energía ininterrumpible

En absoluto Máximo Calificaciones T C=25o C a menos que de otro modo anotado

El IGBT

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

UNIDAD

V El CES

Voltagem del colector-emittente

1200

V

V El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

V

IC

Corriente Colectora @ T C=25o C

@ T C= 110o C

50

25

A

ICm

Corriente Colectora Pulsada t p limitado por T jmax

100

A

PD

Disipación de potencia máxima @ T j =175o C

573

A

Diodo

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

UNIDAD

V RRM

Voltado inverso de pico repetitivo

1200

V

IF

Corriente continua de avance del diodo @ T C= 110o C

25

A

I- ¿ Qué?

Diodo Máximo Adelante Actual t p limitada por T jmax

100

A

Discreto

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valores

UNIDAD

T el juego

Temperatura de funcionamiento de las uniones

-40 a +175

o C

T El GST

Temperatura de almacenamiento Gama

-55 a +150

o C

T S

Temperatura de Soldadura,1.6mm de caja para 10s

260

o C

M

Torque de montaje Tornillo M3

0.6

Nuevo Méjico

El IGBT Características T C=25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

V CE (sat)

Recolector al emisor

Voltagem de saturación

IC=25A, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=25A, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

T j =125o C

1.95

IC=25A, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

T j =150o C

2.00

V GE (th)

Umbral de emisor de puertas Tensión

IC=0.63el número de ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

IEl CES

El colector Cortado -Off

Actual

V CE =V El CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

el número de

IEl GES

Fugas de los emisores de puertas Actual

V GE =V El GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barra El ginto

Resistencia de la puerta interna el

0

ω

Cies

Capacidad de entrada

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE el valor de la energía de la corriente

2.59

nF (número de trabajo)

Cres

Transferencia inversa

Capacidad

0.07

nF (número de trabajo)

QG

Cargo por puerta

V GE el valor de la carga de la corriente eléctrica

0.19

el valor de la concentración

t d (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C=25A, Barra G=20Ω,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =25o C

28

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

17

el Consejo

t d (off )

Apagado Tiempo de retraso

196

el Consejo

t f

Tiempo de caída

185

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio

Pérdida

1.71

mJ

Eoff

Cambiar el encendido

Pérdida

1.49

mJ

t d (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C=25A, Barra G=20Ω,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =125o C

28

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

21

el Consejo

t d (off )

Apagado Tiempo de retraso

288

el Consejo

t f

Tiempo de caída

216

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio

Pérdida

2.57

mJ

Eoff

Cambiar el encendido

Pérdida

2.21

mJ

t d (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C=25A, Barra G=20Ω,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =150o C

28

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

22

el Consejo

t d (off )

Apagado Tiempo de retraso

309

el Consejo

t f

Tiempo de caída

227

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio

Pérdida

2.78

mJ

Eoff

Cambiar el encendido

Pérdida

2.42

mJ

ISC

Datos de la SC

t P≤ 10 μs, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

T j =150o C, V CC =900V, V El CEM no más de 1200 V

100

A

Diodo Características T C=25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

V F

Diodo hacia adelante

Tensión

IF =25A,V GE =0V,T j =25o C

2.20

2.65

V

IF =25A,V GE =0V,T j = 125o C

2.30

IF =25A,V GE =0V,T j = 150o C

2.25

Qbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE el valor de la presión de escape T j =25o C

1.43

el valor de la concentración

IRM

Pico invertido

Corriente de recuperación

34

A

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

0.75

mJ

Qbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE el valor de la presión de escape T j = 125o C

2.4

el valor de la concentración

IRM

Pico invertido

Corriente de recuperación

42

A

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

1.61

mJ

Qbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE el valor de la presión de escape T j = 150o C

2.6

el valor de la concentración

IRM

Pico invertido

Corriente de recuperación

44

A

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

2.10

mJ

Discreto Características T C=25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

Barra el JC

Enlace a la caja (por IGB) T)

Junción-a-Caja (por D iodo)

0.262

0.495

El número de unidades

Barra thJA

Unión-a-Ambiente

40

El número de unidades

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