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Schweißdiode

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Schweißdiode

Y75ZPA-B,Housingless Schweißdiode

Y75ZPA-B,Housingless Schweißdiode

Y75ZPA-B,Housingless Schweißdiode

Teilenummer Y75ZPA-B-Z68T

Brand:

TECHSEM

Spu:

Y75ZPA-B-Z68T

Appurtenance:

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Einführung
Gliederung

Einführung

I T(AV)	18000A
V DRM ,V RRM	200V 400V

Eigenschaften

Optimiert für hoch aktuell gleichrichter
Sehr niedrige Durchlassspannung und steigung widerstand
Sehr niedriger thermischer widerstand tance

Typische Anwendungen

Hoher Strom anwendung Für Schweißer bis zu 2000Hz
Elektrodenbeschichtung

Symbol	Eigenschaften	Prüfbedingungen	Tj( ℃ )	Wert			Einheit
Symbol	Eigenschaften	Prüfbedingungen	Tj( ℃ )	Min	TYP	Max	Einheit
IF(AV)	Mittlerer Vorwärtsstrom	180° halbe Sinuswelle 50Hz Doppelseitig gekühlt, TC=85 。C	175			18000	A
VRRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung	tp=10ms	175	200		400	V
IRRM	Wiederholender Spitzenstrom	bei VRRM	175			80	mA
IFSM	Überspannungsstrom	10ms Halbwelle VR=0VRRM	175			135	kA
1 t	I2t für Fusionskoordination	10ms Halbwelle VR=0VRRM	175			90000	A2s*103
VFO	Schwellenspannung	Die Ausrüstung ist aus einem Stahlwerk bestehend.	175			0.75	V
rF	Vorwärtssteigungswiderstand	Die Ausrüstung ist aus einem Stahlwerk bestehend.	175			0.017	mΩ
VFM	Maximaler Spitzenwert der Durchlassspannung	IFM=6000A	25			1.00	V
Qrr	Einziehungsgebühr	IFM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V	175			300	μC
Rth(j-c)	Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse	Bei 1800 Sinus, doppelseitig gekühlt				0.003	。C /W
Rth(c-h)	Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper	Bei 1800 Sinus, doppelseitig gekühlt				0.0015	。C /W
FM	Montagekraft			70	80	90	kN
Fernsehen	Junction-Temperatur			-40		175	。C
Tstg	Lagertemperatur			-40		175	。C
Wt	Gewicht				540		g
Gliederung	Z68T

Gliederung

Y75ZPA-B-2(1).png

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