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Symbol
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Eigenschaften
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Prüfbedingungen
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Tj(°C )
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Wert |
Einheit
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Min |
TYP |
Max |
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IT(AV)
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Mittlerer Einschaltstrom
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180° halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt, |
TC=80°C |
125
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600 |
A |
TC=55°C |
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800 |
A |
VDRM VRRM |
Wiederholte Spitzen-Ausschaltspannung Wiederholte Spitzen-Rückwärts-Spannung |
tp=10ms |
125 |
1900 |
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3000 |
V |
Ich bin hier |
Wiederholender Spitzenstrom |
bei VDRM bei VRRM |
125 |
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60 |
mA |
ITSM |
Überschuss-Einschaltstrom |
10ms Halbwelle |
125 |
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8.5 |
kA |
1 t |
I2t für Fusionskoordination |
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361 |
A2s* 103 |
VTO |
Schwellenspannung |
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125 |
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1.39 |
V |
rT |
Einschaltsteigungswiderstand |
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0.83 |
mΩ |
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VTM
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Spitzeneinschaltspannung
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ITM= 1800A, F= 18kN
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30≤tq≤55 |
25
|
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3.15 |
V |
56≤tq≤75 |
|
|
2.88 |
V |
76≤tq≤100 |
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2.60 |
V |
dv/dt |
Kritische Steigrate der Ausschaltspannung |
VDM=0.67VDRM |
125 |
|
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1000 |
V/μs |
di/dt |
Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms |
VDM= 67%VDRM bis 1600A,
Gate-Puls tr ≤0.5μs IGM= 1.5A Einzelpuls
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125 |
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1200 |
A/μs |
Qrr |
Einziehungsgebühr |
ITM= 1000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR= 100V |
125 |
|
550 |
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μC |
tq |
Schaltungskommutierte Abschaltzeit |
ITM= 1000A, tp=4000µs, VR= 100V dv/dt=30V/µs , di/dt=-20A/µs |
125 |
30 |
|
100 |
μs |
IGT |
Gate-Auslöseström |
VA= 12V, IA= 1A
|
25
|
40 |
|
300 |
mA |
- Ich weiß. |
Gate-Auslösespannung |
0.9 |
|
3.0 |
V |
IH |
Haltestrom |
20 |
|
400 |
mA |
IL |
Haltestrom |
|
|
500 |
mA |
VGD |
Nicht-auslösende Gate-Spannung |
VDM=67%VDRM |
125 |
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0.3 |
V |
Rth(j-c) |
Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse |
Bei 180° Sinus, doppelseitig gekühlt, Klemmkraft 18kN |
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0.028 |
℃ /W
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Rth(c-h) |
Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper |
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0.0075 |
FM |
Montagekraft |
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15 |
|
20 |
kN |
Fernsehen |
Junction-Temperatur |
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-40 |
|
125 |
℃ |
Tstg |
Lagertemperatur |
|
|
-40 |
|
140 |
℃ |
Wt |
Gewicht |
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320 |
|
g |
Gliederung |
KT39cT |
EN
